新聞中心

EEPW首頁 > 消費電子 > 業(yè)界動態(tài) > 西數(shù)超車三星電子或點燃NAND價格戰(zhàn)

西數(shù)超車三星電子或點燃NAND價格戰(zhàn)

作者: 時間:2016-10-13 來源:MoneyDJ 收藏

  全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作,打算超車三星電子,搶先生產(chǎn)64層3D Flash。不過外資警告,要是WD和東芝真的追上三星,三星可能會擴產(chǎn)淹沒市場,重創(chuàng)價格。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201610/311260.htm

  巴倫(Barronˋs)11日報道,Jefferies & Co.的James Kisner表示,WD和東芝計劃搶在三星之前,生產(chǎn)64層3D flash,此舉可能導致三星擴產(chǎn)還擊。報告稱,當前三星在業(yè)界握有主導權(quán),將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了閃迪)在第四季末的生產(chǎn)情況,決定64層3D NAND的增產(chǎn)速度。要是三星認為WD技術(shù)趕上,可能會快速增加3D NAND產(chǎn)能。

  報告指出,反諷的是,近期內(nèi)東芝/閃迪64層技術(shù)發(fā)展緩慢,對業(yè)界較為有利。倘若WD迅速增產(chǎn)64層3D NAND,三星也會擴產(chǎn)迎擊,這么一來,WD可能會流失企業(yè)固態(tài)硬盤(SSD)市占,SSD是NAND利潤最高的市場,而且業(yè)界的價格壓力也會大增。如今WD進退不得,不能放慢速度,以免對手追上,但是發(fā)展太快,又可能導致三星強力反擊。

  三星是第一家開發(fā)出3D NAND Flash業(yè)者,技術(shù)遙遙領(lǐng)先,不過據(jù)傳日廠東芝(Toshiba)砸重金研發(fā)后,情勢一夕驟變,東芝即將超車三星,成為首家生產(chǎn)64層3D NAND Flash的廠商。

  BusinessKorea 7月20日報道,2013年三星電子率先制造3D NAND,東芝直到今年春天才加入生產(chǎn)行列,不過卻以光速追上對手,計劃今年第三季生產(chǎn)全球首款的64層3D NAND Flash,比三星快了一季。

  64層3D NAND Flash極為重要,業(yè)界認為64層3D NAND Flash的出現(xiàn),代表平面NAND Flash時代畫上句點。3D NAND Flash采垂直堆疊,可提高存儲器容量和速度,表現(xiàn)優(yōu)于平面NAND Flash。

  廠商爭相投資3D NAND Flash,令人憂心忡忡。據(jù)傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn),SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開出,屆時3D NAND可能會從供不應(yīng)求、淪為供給過剩。

  BusinessKorea 6日報道,NAND需求爆發(fā),據(jù)悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月,改在明年三、四月開始生產(chǎn)第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工,加上原本的華城(Hwaseong)廠,屆時三星3D NAND產(chǎn)能將從當前水準提高兩倍、至32萬片。

  SK海力士也準備生產(chǎn)3D NAND,仁川廠M14線無塵室正在裝設(shè)儀器,估計第二代36層3D NAND可在今年第二季出貨、第三季量產(chǎn)。第四季將加碼投資第三代48層3D NAND,估計未來3D NAND將占SK海力士產(chǎn)出的一半。



關(guān)鍵詞: 西數(shù) NAND

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉