AVR開(kāi)發(fā)前準(zhǔn)備—熔絲位(Fuse)快速入門(mén)

　　AVR通過(guò)熔絲來(lái)控制芯片內(nèi)部的一些功能，比如JTAG，時(shí)鐘的使用，掉電檢測(cè)電壓，是否允許調(diào)試等。

　　AVR Studio 中 STK500 處理熔絲位有巨大的優(yōu)勢(shì)：它是以功能組合讓用戶(hù)配置。 這種方式與小馬(PnoyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的優(yōu)勢(shì)(優(yōu)勢(shì)是如此明顯，可以用“巨大優(yōu)勢(shì)”來(lái)形容)：

　　有效避免因不熟悉熔絲位讓芯片鎖死 (這是初學(xué)者的惡夢(mèng))， 筆者曾經(jīng)鎖死過(guò)三片Atmega16。

　　不需要靠記憶與查文檔，就能配置熔絲位(這也是初學(xué)者的惡夢(mèng))

　　動(dòng)手之前：請(qǐng)你一定弄清楚了，你這樣改會(huì)有什么后果，除非你有很多錢(qián)不在乎多鎖死幾個(gè)芯片。備份你的熔絲位狀態(tài)，在點(diǎn)擊Program之前再次檢查熔絲位設(shè)置正確與否，不要誤點(diǎn)了某項(xiàng)而沒(méi)有注意到。

　　通過(guò)下圖的方法打開(kāi)連接：

　　使用操作界面如下： (注意：下圖中，打勾的表示選中，代表0。沒(méi)有打勾的表示1)。

　　上圖的資料有很多相關(guān)項(xiàng)，你需要認(rèn)識(shí)以下的代碼，以理解意思。英文翻譯說(shuō)明如下：

　　英文中文

　　On-Chip Debug Enabled片內(nèi) 調(diào)試 使能

　　JTAG Interface EnabledJTAG 接口 使能

　　Serial program downloading (SPI) enabled串行編程下載(SPI) 使能 (ISP下載時(shí)該位不能修改)

　　Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle;芯片擦除時(shí)EEPROM的內(nèi)容保留

　　Boot Flash section size=xxxx words引導(dǎo)(Boot)區(qū)大小為xxx個(gè)詞

　　Boot start address=$yyyy;引導(dǎo)(Boot)區(qū)開(kāi)始地址為 $yyyy

　　Boot Reset vector Enabled引導(dǎo)(Boot)、復(fù)位 向量 使能

　　Brown-out detection level at VCC=xxxx V;掉電檢測(cè)的電平為 VCC=xxxx 伏

　　Brown-out detection enabled;掉電檢測(cè)使能

　　Start-up time: xxx CK + yy ms啟動(dòng)時(shí)間 xxx 個(gè)時(shí)鐘周期 + yy 毫秒

　　Ext. Clock;外部時(shí)鐘

　　Int. RC Osc.內(nèi)部 RC(阻容) 振蕩器

　　Ext. RC Osc.外部 RC(阻容) 振蕩器

　　Ext. Low-Freq. Crystal;外部 低頻 晶體

　　Ext. Crystal/Resonator Low Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 低頻

　　Ext. Crystal/Resonator Medium Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 中頻

　　Ext. Crystal/Resonator High Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 高頻

　　注：以上中文是對(duì)照 ATmega16的中、英文版本數(shù)據(jù)手冊(cè)而翻譯。盡量按照了官方的中文術(shù)語(yǔ)。

　　應(yīng)用舉例：

　　比如我們想使用片內(nèi)的RC振蕩(即不需要接晶振)，可以選擇選擇下面三者之一：

　　Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;

　　[CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;

　　[CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]

　　如圖：內(nèi)部1M晶振，默認(rèn)情況典型設(shè)置。(兩個(gè)圖分別為上下兩部分，沒(méi)有顯示的部分均為不選中狀態(tài)。)

　　下圖顯示的是選擇內(nèi)部晶振，1 Mhz RC

　　比如我們想使用外部7.3728M晶振，可以選擇選擇下面三者之一：

　　Ext. Crystal/Resonator High Freq.;

　　Start-up time: 258 CK + 4 ms;

　　[CKSEL=1110 SUT=00] 或后面與Ext. Crystal/Resonator High Freq.;.... 有關(guān)的選擇。

　　如下兩圖：7.3728M晶振典型融絲位(及本站的開(kāi)發(fā)板使用時(shí)候的典型設(shè)置)

　　如果你在使用過(guò)程中遇到什么問(wèn)題，歡迎討論，http://bbs.avrvi.com。

　　后記：說(shuō)說(shuō)Mega128的熔絲位

　　ATmega128是avr系列中一款高性能的芯片，設(shè)計(jì)的時(shí)候兼容M103模式，但是這個(gè)M103模式經(jīng)常害人。基于此，說(shuō)說(shuō)ATmega128的熔絲位，順便說(shuō)說(shuō)其他的功能。

　　默認(rèn)情況下M103模式是選中的，應(yīng)該將其去掉;晶振是內(nèi)部1M晶振，如果你使用外部晶振，應(yīng)該進(jìn)行修改。M128可以開(kāi)啟硬件的看門(mén)狗，選中此項(xiàng)，看門(mén)狗不需要程序初始化，只需要程序里面喂狗就可以了。

　　默認(rèn)熔絲第一部分

　　M103兼容模式，使能JTAG，使能SPI，Bootloader區(qū)大小4096，未使能BOOT。

　　默認(rèn)熔絲第二部分

　　DOD為2.7V，內(nèi)部1M晶振。

　　下面是本站使用M128開(kāi)發(fā)板的典型設(shè)置，M103模式取消，使用M128模式，使用外部7.3728M晶振。

　　典型熔絲第一部分(只說(shuō)修改部分)

　　去掉了M103，從而使用M128模式。

　　典型熔絲第二部分

　　選擇最后一項(xiàng)，即使用外部高頻晶振。