我國存儲器產(chǎn)業(yè)深陷“缺芯之痛”

　　在國家政策的刺激下，2016年各地紛紛傳出加碼存儲器芯片的聲音：北京有紫光集團宣布投資300億美元做存儲器，武漢有武漢新芯準備耗資240億美元打造國家級存儲器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晉江也在躍躍欲試。

　　喧鬧中，隨著今年下半年長江存儲的正式成立，武漢新芯與紫光集團走到了一起。合流背后到底發(fā)生了什么?它們的合流對整個存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展意味著什么?中國到底該怎樣發(fā)展存儲?

　　盡管從2016年第二季度起存儲器行業(yè)的產(chǎn)品價格出現(xiàn)了回升，但是行業(yè)整體仍然處于周期性底部的位置，市場主要廠商三星、海力士、美光等在資本開支產(chǎn)能擴張方面仍然較為謹慎，而在智能移動終端需求、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器需求以及固態(tài)影片需求帶動的情況下，DRAM和NANDFlash市場均有逐步從供過于求向供給不足轉(zhuǎn)移的趨勢，而在這種行業(yè)周期性底部有轉(zhuǎn)變趨勢的情況下，中國內(nèi)地的逆周期投資有望推動國內(nèi)廠商成為市場崛起的新生力量。

　　據(jù)介紹，存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設(shè)備等各種智能終端產(chǎn)品不可或缺的關(guān)鍵器件。然而，我國一直是全球集成電路領(lǐng)域最大貿(mào)易逆差國，每年進口額超過兩千億美元，其中，存儲器芯片是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的主要短板，長期以來市場一直被海外巨頭牢牢占據(jù)。以動態(tài)隨機存取存儲器和閃存兩種主要存儲器芯片為例，今年第一季度，DRAM市場93%的份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。

　　大力發(fā)展存儲器不僅是市場需求，同時也是信息安全和產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。存儲器產(chǎn)業(yè)芯片國產(chǎn)化之路邁出的重要一步——芯片國產(chǎn)化是中國政府在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實踐之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)受到國家政策的扶持，近期從國家層面到地方層面的政策及資本的支持也是持續(xù)不斷。

　　國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武表示，應(yīng)該把發(fā)展存儲器芯片作為國家戰(zhàn)略來實施。為消除“缺芯之痛”，國內(nèi)多地開始斥巨資布局存儲器芯片研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域。目前，北京、武漢、晉江等地發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的積極性高漲，各種資金也加速向這一領(lǐng)域匯集。

　　充沛的資金支持和巨大的內(nèi)需市場，以及業(yè)已形成的本土化集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為國內(nèi)企業(yè)進軍存儲器芯片領(lǐng)域提供了發(fā)展基礎(chǔ)。但不容忽視的是，存儲器芯片面臨高技術(shù)壁壘和激烈的全球化競爭，之前就有許多涉足存儲器芯片領(lǐng)域的廠商最后被迫退出市場的先例。

　　國內(nèi)企業(yè)在當前新形勢下發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，不應(yīng)只是簡單追趕，而要更加注重技術(shù)原創(chuàng)和市場創(chuàng)新;應(yīng)做好長期準備，在資金上確保持續(xù)投入;另外，更為關(guān)鍵的是，要在立足自身市場特點的基礎(chǔ)上追趕世界領(lǐng)先水平。

　　清華大學(xué)微電子研究所所長魏少軍認為，做存儲器芯片不能四面開花，一定要集中力量辦大事。同時，發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)一定要遵循市場規(guī)律，要淡化“政府主導(dǎo)”的思路，誰的市場能力強，就由誰來主導(dǎo)。魏少軍預(yù)計，10年之后，中國自有存儲器產(chǎn)業(yè)規(guī)模應(yīng)該力爭達到250億美元，在國際上做到四分天下有其一，在國內(nèi)占據(jù)半壁江山。