啟動(dòng)電路圖

圖1 PWM邏輯電路及輸出電路

圖1中，V8為振蕩電路產(chǎn)生的振蕩脈沖，其占空比為50％，由該脈沖決定開關(guān)器件的工作頻率。V1為原邊電流采樣電阻上的壓降，V2為輸出電壓的反饋值，V3是用于驅(qū)動(dòng)開關(guān)管的信號(hào)。V2經(jīng)過PI調(diào)節(jié)器進(jìn)行誤差放大后輸入到比較器的反向端，與輸入到比較器同向端的經(jīng)過誤差放大后的V1值進(jìn)行比較，從而決定V3的脈寬大小。邏輯電路產(chǎn)生的信號(hào)經(jīng)過輸出級(jí)后用來(lái)驅(qū)動(dòng)MOSFET的開通和關(guān)斷，該信號(hào)（V3）的占空比與輸出電壓的反饋值V2成反比，實(shí)現(xiàn)電壓反饋式的控制環(huán)，同時(shí)，該信號(hào)的占空比還與輸入的直流電壓值成反比，以實(shí)現(xiàn)電路的前饋控制。V3信號(hào)由經(jīng)過放大后的原邊電流的采樣電阻上的電壓值和經(jīng)過PI調(diào)節(jié)器的輸出電壓的反饋值共同來(lái)控制。圖2為各個(gè)反饋信號(hào)的誤差放大值、振蕩脈沖V8以及MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V3波形。圖2中1）為振蕩脈沖V8的波形，2）為驅(qū)動(dòng)信號(hào)V3的波形，3）、4）為電壓反饋和電流反饋值經(jīng)過誤差放大后的波形（V2和V1的波形）。

圖3為啟動(dòng)電路圖。

圖3 啟動(dòng)電路圖

該啟動(dòng)電路由雙極性晶體管Q1，穩(wěn)壓二極管D1,D3和二極管D2以及電容C1構(gòu)成。在電路啟動(dòng)的初期，輸入的直流電源通過雙極性晶體管Q1給電容C1充電，使電路開始工作。等到反饋的電壓值Feedback比電路中的穩(wěn)壓二極管D1的穩(wěn)壓值大時(shí)，雙極性晶體管Q1被關(guān)斷，該電路停止工作。PWM比較器的工作電壓由Feedback信號(hào)提供。這種電路的優(yōu)點(diǎn)是可以有效地減小損耗，而很多國(guó)外產(chǎn)品的啟動(dòng)電路是由大電阻和電容構(gòu)成，因而在電阻上將會(huì)有一定的損耗。

在圖1的驅(qū)動(dòng)控制電路中，我們還可以看到，該電路有逐周電流檢測(cè)功能。逐周的峰值漏極電流限制電路以原邊電流的采樣電阻作為檢測(cè)電阻。器件內(nèi)部的PI調(diào)節(jié)器的輸出值設(shè)有＋5V的電壓限制，而采樣電阻上的電壓值放大5倍后與PI調(diào)節(jié)器的輸出值進(jìn)行比較，故設(shè)計(jì)電路時(shí)就可以精確地計(jì)算出電流峰值，通過選定采樣電阻值和原副邊的匝數(shù)比來(lái)進(jìn)行電流限制。當(dāng)MOSFET的漏極電流太大使采樣電阻上的壓降放大后超過＋5V的閾值時(shí)，MOSFET就會(huì)被關(guān)斷，直到下一個(gè)時(shí)鐘周期開始。