單片機(jī)硬件設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)

　?。?）盡量在關(guān)鍵元件，如ROM、RAM等芯片旁邊安裝去耦電容。實(shí)際上，印制電路板走線(xiàn)、引腳連線(xiàn)和接線(xiàn)等都可能含有較大的電感效應(yīng)。大的電感可能會(huì)在Vcc走線(xiàn)上引起嚴(yán)重的開(kāi)關(guān)噪聲尖峰。防止Vcc走線(xiàn)上開(kāi)關(guān)噪聲尖峰的唯一方法，是在VCC與電源地之間安放一個(gè)0.1uF的電子去耦電容。如果電路板上使用的是表面貼裝元件，可以用片狀電容直接緊靠著元件，在Vcc引腳上固定。最好是使用瓷片電容，這是因?yàn)檫@種電容具有較低的靜電損耗（ESL）和高頻阻抗，另外這種電容溫度和時(shí)間上的介質(zhì)穩(wěn)定性也很不錯(cuò)。盡量不要使用鉭電容，因?yàn)樵诟哳l下它的阻抗較高。

在安放去耦電容時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)：

　·在印制電路板的電源輸入端跨接100uF左右的電解電容，如果體積允許的話(huà)，電容量大一些則更好。

　·原則上每個(gè)集成電路芯片的旁邊都需要放置一個(gè)0.01uF的瓷片電容，如果電路板的空隙太小而放置不下時(shí)，可以每10個(gè)芯片左右放置一個(gè)1～10的鉭電容。

　·對(duì)于抗干擾能力弱、關(guān)斷時(shí)電流變化大的元件和RAM、ROM等存儲(chǔ)元件，應(yīng)該在電源線(xiàn)（Vcc）和地線(xiàn)之間接入去耦電容。

　·電容的引線(xiàn)不要太長(zhǎng)，特別是高頻旁路電容不能帶引線(xiàn)。

　?。?）在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，地線(xiàn)的種類(lèi)有很多，有系統(tǒng)地、屏蔽地、邏輯地、模擬地等，地線(xiàn)是否布局合理，將決定電路板的抗干擾能力。在設(shè)計(jì)地線(xiàn)和接地點(diǎn)的時(shí)候，應(yīng)該考慮以下問(wèn)題：

　·邏輯地和模擬地要分開(kāi)布線(xiàn)，不能合用，將它們各自的地線(xiàn)分別與相應(yīng)的電源地線(xiàn)相連。在設(shè)計(jì)時(shí)，模擬地線(xiàn)應(yīng)盡量加粗，而且盡量加大引出端的接地面積。一般來(lái)講，對(duì)于輸入輸出的模擬信號(hào)，與單片機(jī)電路之間最好通過(guò)光耦進(jìn)行隔離。

　·在設(shè)計(jì)邏輯電路的印制電路版時(shí)，其地線(xiàn)應(yīng)構(gòu)成閉環(huán)形式，提高電路的抗干擾能力。

　·地線(xiàn)應(yīng)盡量的粗。如果地線(xiàn)很細(xì)的話(huà)，則地線(xiàn)電阻將會(huì)較大，造成接地電位隨電流的變化而變化，致使信號(hào)電平不穩(wěn)，導(dǎo)致電路的抗干擾能力下降。在布線(xiàn)空間允許的情況下，要保證主要地線(xiàn)的寬度至少在2～3mm以上，元件引腳上的接地線(xiàn)應(yīng)該在1.5mm左右。

　·要注意接地點(diǎn)的選擇。當(dāng)電路板上信號(hào)頻率低于1MHz時(shí)，由于布線(xiàn)和元件之間的電磁感應(yīng)影響很小，而接地電路形成的環(huán)流對(duì)干擾的影響較大，所以要采用一點(diǎn)接地，使其不形成回路。當(dāng)電路板上信號(hào)頻率高于10MHz時(shí)，由于布線(xiàn)的電感效應(yīng)明顯，地線(xiàn)阻抗變得很大，此時(shí)接地電路形成的環(huán)流就不再是主要的問(wèn)題了。所以應(yīng)采用多點(diǎn)接地，盡量降低地線(xiàn)阻抗。

　·電源線(xiàn)的布置除了要根據(jù)電流的大小盡量加粗走線(xiàn)寬度外，在布線(xiàn)時(shí)還應(yīng)使電源線(xiàn)、地線(xiàn)的走線(xiàn)方向與數(shù)據(jù)線(xiàn)的走線(xiàn)方身一致在布線(xiàn)工作的最后，用地線(xiàn)將電路板的底層沒(méi)有走線(xiàn)的地方鋪滿(mǎn)，這些方法都有助于增強(qiáng)電路的抗干擾能力。

　·數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度應(yīng)盡可能地寬，以減小阻抗。數(shù)據(jù)線(xiàn)的寬度至少不小于0.3mm(12mil)，如果采用0.46～0.5mm(18mil～20mil)則更為理想。

　·由于電路板的一個(gè)過(guò)孔會(huì)帶來(lái)大約10pF的電容效應(yīng)，這對(duì)于高頻電路，將會(huì)引入太多的干擾，所以在布線(xiàn)的時(shí)候，應(yīng)盡可能地減少過(guò)孔的數(shù)量。再有，過(guò)多的過(guò)孔也會(huì)造成電路板的機(jī)械強(qiáng)度降低。

一個(gè)單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的硬件電路設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容：一是系統(tǒng)擴(kuò)展，即單片機(jī)內(nèi)部的功能單元，如ROM、RAM、I/O、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、中斷系統(tǒng)等不能滿(mǎn)足應(yīng)用系統(tǒng)的要求時(shí)，必須在片外進(jìn)行擴(kuò)展，選擇適當(dāng)?shù)男酒?，設(shè)計(jì)相應(yīng)的電路。二是系統(tǒng)的配置，即按照系統(tǒng)功能要求配置外圍設(shè)備，如鍵盤(pán)、顯示器、打印機(jī)、A/D、D/A轉(zhuǎn)換器等，要設(shè)計(jì)合適的接口電路。

系統(tǒng)的擴(kuò)展和配置應(yīng)遵循以下原則：

1、盡可能選擇典型電路，并符合單片機(jī)常規(guī)用法。為硬件系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化打下良好的基礎(chǔ)。

2、系統(tǒng)擴(kuò)展與外圍設(shè)備的配置水平應(yīng)充分滿(mǎn)足應(yīng)用系統(tǒng)的功能要求，并留有適當(dāng)余地，以便進(jìn)行二次開(kāi)發(fā)。

3、硬件結(jié)構(gòu)應(yīng)結(jié)合應(yīng)用軟件方案一并考慮。硬件結(jié)構(gòu)與軟件方案會(huì)產(chǎn)生相互影響，考慮的原則是：軟件能實(shí)現(xiàn)的功能盡可能由軟件實(shí)殃，以簡(jiǎn)化硬件結(jié)構(gòu)。但必須注意，由軟件實(shí)現(xiàn)的硬件功能，一般響應(yīng)時(shí)間比硬件實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)，且占用CPU時(shí)間。

4、系統(tǒng)中的相關(guān)器件要盡可能做到性能匹配。如選用CMOS芯片單片機(jī)構(gòu)成低功耗系統(tǒng)時(shí)，系統(tǒng)中所有芯片都應(yīng)盡可能選擇低功耗產(chǎn)品。

5、可靠性及抗干擾設(shè)計(jì)是硬件設(shè)計(jì)必不可少的一部分，它包括芯片、器件選擇、去耦濾波、印刷電路板布線(xiàn)、通道隔離等。

6、單片機(jī)外圍電路較多時(shí)，必須考慮其驅(qū)動(dòng)能力。驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，系統(tǒng)工作不可靠，可通過(guò)增設(shè)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力或減少芯片功耗來(lái)降低總線(xiàn)負(fù)載。

7、盡量朝“單片”方向設(shè)計(jì)硬件系統(tǒng)。系統(tǒng)器件越多，器件之間相互干擾也越強(qiáng)，功耗也增大，也不可避免地降低了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。隨著單片機(jī)片內(nèi)集成的功能越來(lái)越強(qiáng)，真正的片上系統(tǒng)SoC已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)，如ST公司新近推出的μPSD32××系列產(chǎn)品在一塊芯片上集成了80C32核、大容量FLASH存儲(chǔ)器、SRAM、A/D、I/O、兩個(gè)串口、看門(mén)狗、上電復(fù)位電路等等。

單片機(jī)系統(tǒng)硬件抗干擾常用方法實(shí)踐

影響單片機(jī)系統(tǒng)可靠安全運(yùn)行的主要因素主要來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部和外部的各種電氣干擾，并受系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、元器件選擇、安裝、制造工藝影響。這些都構(gòu)成單片機(jī)系統(tǒng)的干擾因素，常會(huì)導(dǎo)致單片機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行失常，輕則影響產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量，重則會(huì)導(dǎo)致事故，造成重大經(jīng)濟(jì)損失。

形成干擾的基本要素有三個(gè)：（1）干擾源。指產(chǎn)生干擾的元件、設(shè)備或信號(hào)，用數(shù)學(xué)語(yǔ)言描述如下：du/dt，di/dt大的地方就是干擾源。如：雷電、繼電器、可控硅、電機(jī)、高頻時(shí)鐘等都可能成為干擾源。（2）傳播路徑。指干擾從干擾源傳播到敏感器件的通路或媒介。典型的干擾傳播路徑是通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)的傳導(dǎo)和空間的輻射。（3）敏感器件。指容易被干擾的對(duì)象。如：A/D、D/A變換器，單片機(jī)，數(shù)字IC，弱信號(hào)放大器等。干擾的分類(lèi)1干擾的分類(lèi)干擾的分類(lèi)有好多種，通常可以按照噪聲產(chǎn)生的原因、傳導(dǎo)方式、波形特性等等進(jìn)行不同的分類(lèi)。按產(chǎn)生的原因分：可分為放電噪聲音、高頻振蕩噪聲、浪涌噪聲。按傳導(dǎo)方式分：可分為共模噪聲和串模噪聲。按波形分：可分為持續(xù)正弦波、脈沖電壓、脈沖序列等等。2干擾的耦合方式干擾源產(chǎn)生的干擾信號(hào)是通過(guò)一定的耦合通道才對(duì)測(cè)控系統(tǒng)產(chǎn)生作用的。因此，我有有必要看看干擾源和被干擾對(duì)象之間的傳遞方式。干擾的耦合方式，無(wú)非是通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)、空間、公共線(xiàn)等等，細(xì)分下來(lái)，主要有以下幾種：（1）直接耦合：這是最直接的方式，也是系統(tǒng)中存在最普遍的一種方式。比如干擾信號(hào)通過(guò)電源線(xiàn)侵入系統(tǒng)。（2）公共阻抗耦合：這也是常見(jiàn)的耦合方式，這種形式常常發(fā)生在兩個(gè)電路電流有共同通路的情況。為了防止這種耦合，通常在電路設(shè)計(jì)上就要考慮。使干擾源和被干擾對(duì)象間沒(méi)有公共阻抗。（3）電容耦合：又稱(chēng)電場(chǎng)耦合或靜電耦合。是由于分布電容的存在而產(chǎn)生的耦合。（4）電磁感應(yīng)耦合：又稱(chēng)磁場(chǎng)耦合。是由于分布電磁感應(yīng)而產(chǎn)生的耦合。（5）漏電耦合：這種耦合是純電阻性的，在絕緣不好時(shí)就會(huì)發(fā)生。

常用硬件抗干擾技術(shù)針對(duì)形成干擾的三要素，采取的抗干擾主要有以下手段。1抑制干擾源抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的du/dt，di/dt。這是抗干擾設(shè)計(jì)中最優(yōu)先考慮和最重要的原則，常常會(huì)起到事半功倍的效果。減小干擾源的du/dt主要是通過(guò)在干擾源兩端并聯(lián)電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。減小干擾源的di/dt則是在干擾源回路串聯(lián)電感或電阻以及增加續(xù)流二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。抑制干擾源的常用措施如下：（1）繼電器線(xiàn)圈增加續(xù)流二極管，消除斷開(kāi)線(xiàn)圈時(shí)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)干擾。僅加續(xù)流二極管會(huì)使繼電器的斷開(kāi)時(shí)間滯后，增加穩(wěn)壓二極管后繼電器在單位時(shí)間內(nèi)可動(dòng)作更多的次數(shù)。（2）在繼電器接點(diǎn)兩端并接火花抑制電路（一般是RC串聯(lián)電路，電阻一般選幾K到幾十K，電容選0.01uF），減小電火花影響。（3）給電機(jī)加濾波電路，注意電容、電感引線(xiàn)要盡量短。（4）電路板上每個(gè)IC要并接一個(gè)0.01μF～0.1μF高頻電容，以減小IC對(duì)電源的影響。注意高頻電容的布線(xiàn)，連線(xiàn)應(yīng)靠近電源端并盡量粗短，否則，等于增大了電容的等效串聯(lián)電阻，會(huì)影響濾波效果。（5）布線(xiàn)時(shí)避免90度折線(xiàn)，減少高頻噪聲發(fā)射。（6）可控硅兩端并接RC抑制電路，減小可控硅產(chǎn)生的噪聲（這個(gè)噪聲嚴(yán)重時(shí)可能會(huì)把可控硅擊穿的）。2切斷干擾傳播路徑按干擾的傳播路徑可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩類(lèi)。所謂傳導(dǎo)干擾是指通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)傳播到敏感器件的干擾。高頻干擾噪聲和有用信號(hào)的頻帶不同，可以通過(guò)在導(dǎo)線(xiàn)上增加濾波器的方法切斷高頻干擾噪聲的傳播，有時(shí)也可加隔離光耦來(lái)解決。電源噪聲的危害最大，要特別注意處理。所謂輻射干擾是指通過(guò)空間輻射傳播到敏感器件的干擾。一般的解決方法是增加干擾源與敏感器件的距離，用地線(xiàn)把它們隔離和在敏感器件上加蔽罩。切斷干擾傳播路徑的常用措施如下：（1）充分考慮電源對(duì)單片機(jī)的影響。電源做得好，整個(gè)電路的抗干擾就解決了一大半。許多單片機(jī)對(duì)電源噪聲很敏感,要給單片機(jī)電源加濾波電路或穩(wěn)壓器，以減小電源噪聲對(duì)單片機(jī)的干擾。比如，可以利用磁珠和電容組成π形濾波電路，當(dāng)然條件要求不高時(shí)也可用100Ω電阻代替磁珠。（2）如果單片機(jī)的I/O口用來(lái)控制電機(jī)等噪聲器件，在I/O口與噪聲源之間應(yīng)加隔離（增加π形濾波電路）。（3）注意晶振布線(xiàn)。晶振與單片機(jī)引腳盡量靠近，用地線(xiàn)把時(shí)鐘區(qū)隔離起來(lái)，晶振外殼接地并固定。（4）電路板合理分區(qū)，如強(qiáng)、弱信號(hào)，數(shù)字、模擬信號(hào)。盡可能把干擾源（如電機(jī)、繼電器）與敏感元件（如單片機(jī)）遠(yuǎn)離。（5）用地線(xiàn)把數(shù)字區(qū)與模擬區(qū)隔離。數(shù)字地與模擬地要分離，最后在一點(diǎn)接于電源地。A/D、D/A芯片布線(xiàn)也以此為原則。（6）單片機(jī)和大功率器件的地線(xiàn)要單獨(dú)接地，以減小相互干擾。大功率器件盡可能放在電路板邊緣。（7）在單片機(jī)I/O口、電源線(xiàn)、電路板連接線(xiàn)等關(guān)鍵地方使用抗干擾元件如磁珠、磁環(huán)、電源濾波器、屏蔽罩，可顯著提高電路的抗干擾性能。3提高敏感器件的抗干擾性能提高敏感器件的抗干擾性能是指從敏感器件這邊考慮盡量減少對(duì)干擾噪聲的拾取，以及從不正常狀態(tài)盡快恢復(fù)的方法。提高敏感器件抗干擾性能的常用措施如下：（1）布線(xiàn)時(shí)盡量減少回路環(huán)的面積，以降低感應(yīng)噪聲。（2）布線(xiàn)時(shí)，電源線(xiàn)和地線(xiàn)要盡量粗。除減小壓降外，更重要的是降低耦合噪聲。（3）對(duì)于單片機(jī)閑置的I/O口，不要懸空，要接地或接電源。其它IC的閑置端在不改變系統(tǒng)邏輯的情況下接地或接電源。（4）對(duì)單片機(jī)使用電源監(jiān)控及看門(mén)狗電路，如：IMP809，IMP706，IMP813，X5043，X5045等，可大幅度提高整個(gè)電路的抗干擾性能。（5）在速度能滿(mǎn)足要求的前提下，盡量降低單片機(jī)的晶振和選用低速數(shù)字電路。（6）IC器件盡量直接焊在電路板上，少用IC座。4其它常用抗干擾措施交流端用電感電容濾波:去掉高頻低頻干擾脈沖。變壓器雙隔離措施:變壓器初級(jí)輸入端串接電容,初、次級(jí)線(xiàn)圈間屏蔽層與初級(jí)間電容中心接點(diǎn)接大地,次級(jí)外屏蔽層接印制板地,這是硬件抗干擾的關(guān)鍵手段。次級(jí)加低通濾波器:吸收變壓器產(chǎn)生的浪涌電壓。采用集成式直流穩(wěn)壓電源:因?yàn)橛羞^(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱等保護(hù)。I/O口采用光電、磁電、繼電器隔離，同時(shí)去掉公共地。通訊線(xiàn)用雙絞線(xiàn):排除平行互感。防雷電用光纖隔離最為有效。A/D轉(zhuǎn)換用隔離放大器或采用現(xiàn)場(chǎng)轉(zhuǎn)換:減少誤差。外殼接大地:解決人身安全及防外界電磁場(chǎng)干擾。加復(fù)位電壓檢測(cè)電路。防止復(fù)位不充份,CPU就工作,尤其有EEPROM的器件,復(fù)位不充份會(huì)改變EEPROM的內(nèi)容。印制板工藝抗干擾：①電源線(xiàn)加粗，合理走線(xiàn)、接地，三總線(xiàn)分開(kāi)以減少互感振蕩。②CPU、RAM、ROM等主芯片,VCC和GND之間接電解電容及瓷片電容，去掉高、低頻干擾信號(hào)。③獨(dú)立系統(tǒng)結(jié)構(gòu),減少接插件與連線(xiàn)，提高可靠性,減少故障率。④集成塊與插座接觸可靠,用雙簧插座,最好集成塊直接焊在印制板上，防止器件接觸不良故障。⑤有條件采用四層以上印制板,中間兩層為電源及地。