【IAR學(xué)習(xí)】學(xué)習(xí)筆記

如果你在C代碼的頭文件里包含stdbool.h, bool數(shù)據(jù)類型也可以使用在C語言里。也可以使用布爾值 false和 true。不過是占用8位1個字節(jié)。

＃i nclude
＃i nclude
bool y=0;//定義位變量
void main(void)
{
y=!y;//取反位變量
PORTB_Bit3=y;//傳遞位變量
}

IAR for AVR 學(xué)習(xí)筆記（4）--Flash操作

FLASH常用類型的具體操作方法

4．1．FLASH 區(qū)域數(shù)據(jù)存儲。

用關(guān)鍵字 __flash 控制來存放， __ flash 關(guān)鍵字寫在數(shù)據(jù)類型前后效果一樣
__flash unsigned char a;//定義一個變量存放在flash空間
unsigned char __flash a;//效果同上
__flash unsigned char p[];//定義一個數(shù)組存放在flash空間
對于flash空間的變量的讀操作同SRAM數(shù)據(jù)空間的操作方法一樣，編譯器會自動用
LPM，ELPM 指令來操作。

例：

＃i nclude
__flash unsigned char p[];
__flash unsigned char a;
void main(void)
{PORTB=p[1];// 讀flash 數(shù)組變量的操作
PORTB=a;// 讀flash 變量的操作
}

由于在正常的程序中，flash 空間是只讀的，所以沒有賦值的變量是沒有意義的。定義常數(shù)在flash 空間，只要給變量賦與初值就可以了。由于常數(shù)在flash空間的地址是隨機(jī)分配的，讀取變量才可以讀取到常數(shù)值。

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IAR-AVR –C 編譯器簡要指南

__flash unsigned char a=9;//定義一個常數(shù)存放在EEPROM空間。
__flash unsigned char p[]={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定義一個組常數(shù)存放在flash 空間。

例：

＃i nclude
__flash unsigned char p[]={1,2,3,4,5,6,7,8};
__flash unsigned char a=9;
void main(void)
{
PORTB=a;//讀取flash 空間值9
PORTC=p[0]; //讀取flash 空間值
}

4.1.2flash 空間絕對地址定位：

__flash unsigned char a @ 0x8;//定義變量存放在flash 空間0X08單元__flash unsigned char p[] @ 0x22//定義數(shù)組存放在flash 空間，開始地址為0X22單元
__flash unsigned char a @ 0x08=9;//定義常數(shù)存放在flash 空間0X08單元
__flash unsigned char p[] @ 0x22={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定義一個組常數(shù)存放在EEPROM空間開始地址為0X22單元

由于常數(shù)在flash 空間的地址是已經(jīng)分配的，讀取flash 空間值可以用變量和地址。

4．2．與 __flash 有關(guān)的指針操作。 __flash 關(guān)鍵字控制指針的存放和類型。

4.2.1指向flash 空間的指針flash 指針（控制類型屬性）

unsigned char __flash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，8位。
unsigned int __flash * p;//定義個指向flash 空間地址的指針，16位。
unsigned int __farflash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，24位。
unsigned int __hugeflash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，24位。
unsigned char __flash * p;//定義一個指向flash 空間地址的指針，指針本身存放在SARM中。P的值代表flash 空間的某一地址。*p表示flash 空間該地址單元存放的內(nèi)容。例：假定p=10,表示flash空間地址10單元，而flash M空間10單元的內(nèi)容就用*p來讀取。

例：

＃i nclude
char __flash t @ 0x10 ;
char __flash *p ;
void main(void)
{
PORTB=*p;//讀取flash 空間10單元的值
PORTB=*（p+3）;//讀取flash 空間0x13單元的值
}

4.2.2．存儲于flash 空間的指針數(shù)據(jù)指針

就象存儲與flash 空間的數(shù)據(jù)一樣控制存儲屬性

__flash unsigned char * p; //定義指向SARMM空間地址的指針，指針本身存放在flash 中。

4．3．控制數(shù)據(jù)和指針存放的__flash 定義必須是全局變量，控制類型屬性（好像只有指針）可以是局部變量。

＃i nclude
__flash unsigned char p;//控制存放
void main(void)
{
unsigned char __flash* t;//控制屬性
PORTB=p;
PORTB=*t;
}

4．4． __root 關(guān)鍵字保證沒有使用的函數(shù)或者變量也能夠包含在目標(biāo)代碼中.

定義存放在__flash 空間的數(shù)據(jù)在程序編譯時會自動生成代碼嵌入到flash代碼中，對于程序沒有使用也要求編譯的數(shù)據(jù)（比如可以在代碼中嵌入你的版本號，時間等）必須加關(guān)鍵字__root 限制。

例：

＃i nclude
__root __flash unsigned char p @ 0x10 =0x56;
void main(void)
{}

程序沒有使用P變量，編譯也會生成該代碼。

:020000020000FC
:1000000016C018951895189518951895189518955F
:10001000569518951895189518951895189518953A
:10002000189518951895089500008895FECF0FE94A
:100030000DBF00E00EBFC0E8D0E003D0F4DFF4DF76
:06004000F3CF01E008957A
:0400000300000000F9
:00000001FF

4．5．flash 操作宏函數(shù)：在comp_a90.h intrinsics.h頭文件里有詳細(xì)說明。flash 空間具正常情況下有只讀性能，對于讀flash 數(shù)據(jù)編譯器會自動編譯對應(yīng)的LPM,ELPM指令，但對于flash 空間的自編程寫命令SPM就沒有對應(yīng)的C指令了，這里不講解詳細(xì)的自編程方法，只是講解一下對flash 的讀寫函數(shù)。

直接在程序中讀取flash 空間地址數(shù)據(jù)：要包含intrinsics.h頭文件
__load_program_memory(const unsigned char __flash *);//64K空間
//從指定flash 空間地址讀數(shù)據(jù)。該函數(shù)在intrinsics.h頭文件里有詳細(xì)說明。

在comp_a90.h文件有它的簡化書寫_LPM(ADDR)。注意匯編指令LPM Rd ,Z中的Z是一個指針。所以用(const unsigned char __flash *)來強(qiáng)制轉(zhuǎn)換為指向flash空間地址指針。故該條宏函數(shù)的正確寫法應(yīng)該如下：

__load_program_memory(（const unsigned char __flash *）ADDR);

例：

＃i nclude
＃i nclude
void main(void)
{PORTB=__load_program_memory((const unsigned char __flash *)0x12);
}

該條函數(shù)書寫不方便，在comp_a90.h文件有簡化：

#define _LPM(ADDR) __load_program_memory (ADDR)稍微方便一點(diǎn)。改為
#define _LPM(ADDR) __load_program_memory ((const unsigned char
__flash *)ADDR)就更方便了，直接使用數(shù)據(jù)就可以了。

例：

＃i nclude
＃i nclude
＃i nclude
void main(void)
{
PORTB=__LPM(0x12);// 從指定flash 空間地址單元0x12中讀數(shù)據(jù)
}
__extended_load_program_memory(const unsigned char __farflash *);
//128K空間_ELPM(ADDR); //128K空間

參照上面的理解修改可以書寫更簡單。

4.6.自編程函數(shù)：

_SPM_GET_LOCKBITS()；//讀取縮定位
_SPM_GET_FUSEBITS()；//讀取熔絲位
_SPM_ERASE(Addr)；//16位頁擦除
_SPM_FILLTEMP(Addr,Word)；//16位頁緩沖
_SPM_PAGEWRITE(Addr；)//16位頁寫入
_SPM_24_ERASE(Addr)； //24位頁擦除
_SPM_24_FILLTEMP(Addr,Data)； //24位頁緩沖
_SPM_24_PAGEWRITE(Addr) //24位頁寫入

IAR for AVR 學(xué)習(xí)筆記（5）--SRAM操作

SARM數(shù)據(jù)類型的具體操作方法

SARM空間是AVR單片機(jī)最重要的部分，所有的操作必須依賴該部分來完成。變量在SARM空間的存儲模式有tiny ,small large 三種，也就是對應(yīng)于__tiny, __near __far三中存儲屬性。一旦選擇為哪種存儲模式，對應(yīng)的數(shù)據(jù)默認(rèn)屬性也就確定了，但可以采用__tiny, __near __far關(guān)鍵字來更改。

對于程序中的局部變量，編譯器會自動處理的，我們也不可能加什么儲存屬性，但I(xiàn)AR提供了強(qiáng)大的外部變量定義。

5．1．定義變量在工作寄存器

IAR編譯器內(nèi)部使用了部分工作寄存器，留給用戶的只有R4-R15供12個寄存器供用戶使用，要使用工作寄存器必須在工程選項里打開鎖定選項。

例：

定義兩個變量使用工作寄存器R14，R15。

＃i nclude
__regvar __no_init char g @ 15;
__regvar __no_init char P @ 14;
void main(void)
{
g++;
P++;
}

在工程選項里c/c++ complier>code里打開要使用的寄存器R14-R15。

編譯結(jié)果就如下，看看是不是直接使用了寄存器做為數(shù)據(jù)應(yīng)用

// 4 void main(void)
main:
CFI Block cfiBlock0 Using cfiCommon0
CFI Function main
// 5 { g++;
REQUIRE ?Register_R14_is_global_regvar
REQUIRE ?Register_R15_is_global_regvar
INC R15
// 6 P++; }
INC R14
RET

注意：定義在寄存器里變量不能帶有初始值。最好不要使用超過9個寄存器變量，不然可能引起潛在的危險，因為建立庫的時候沒有鎖定任何寄存器。

5．2．定義變量的絕對地址.沒有特性的變量是隨機(jī)分配的，要給變量分配地址必須加以特性修飾注意在定義地址的時候千萬不要和片內(nèi)寄存器地址重合了。