寫MSP430片內(nèi)flash

// 參數(shù)： adr 為地址 , 范圍 0x1000~0xFFFF
void FlashRead(long adr,uint8 *bBuf,uint8 bLen)
{
while (bLen--)
*bBuf++=*(uint8 *)adr++;
return;
}

// 寫入地址 adr 寫入數(shù)據(jù)：*pc_byte

void FlashWrite(long adr,uchar *Datain,uint len)
{

//FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;

while(FCTL3 & BUSY); //如果處于忙狀態(tài)，則等待
while(count--)
{

while(FCTL3 & BUSY);
*(uchar*)adr++ = *Datain++;
}
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
}

EraseSectorFlash 過程

void EraseSectorFlash(unsigned int adr)
{

_DINT();
uchar *p0;
//FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//選擇時鐘源，分頻
FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK
while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙，則等待
FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作 每段512字節(jié)
p0 = (unsigned char *)adr;//數(shù)值強制轉(zhuǎn)換成指針
*p0 = 0; //向段內(nèi)任意地址寫0，即空寫入，啟動擦除操作
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
_EINT(); //開總中斷
}

查看空閑的FLASH 地址，避免擦除代碼所在的地址。每次擦除均是一段一段的擦除，每段512字節(jié)。

找不到datasheet，不知道段的起止地址的，可以打開memory ，在內(nèi)存窗口，用代碼嘗試隨便寫入一個任意地址，看哪些地方被改寫成0xFF 就知道段的起止，如：

我們在0x15000寫入（EraseSectorFlash(0x15000);），那里原本有非0xFF數(shù)據(jù)，好辨認（是FF的可以先寫再擦）。看到段的起止是15000-151ff 剛好是512 。

0x15000+0x200->0x15200 所以下一段的起始地址是 0x15200 以此類推。

驗證代碼：

EraseSectorFlash(0x2A000);
EraseSectorFlash(0x2A200);
EraseSectorFlash(0x2A400);
EraseSectorFlash(0x2A600);

FlashWrite(0x2A000,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xCB,900);
FlashWrite(0x2A200,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xCA,900);
FlashWrite(0x2A400,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xC9,900);
FlashWrite(0x2A600,origin_protect_data,512);

1 Msp430Flash型單片機內(nèi)部Flash存儲器介紹

MSP430的Flash存儲器是可位、字節(jié)、字尋址和編程的存儲器。該模塊由一個集成控制器來控制編程和擦除的操作?？刂破靼ㄈ齻€寄存器，一個時序發(fā)生器及一個提供編程、擦除電壓的電壓發(fā)生器。

Msp430的Flash存儲器的特點有：

1） 產(chǎn)生內(nèi)部編程電壓

2） 可位、字節(jié)、字編程，可以單個操作，也可以連續(xù)多個操作

3） 超低功耗操作

4） 支持段擦除和多段模塊擦除

2 Flash存儲器的分割

Msp430 Flash存儲器分成多個段?？蓪ζ溥M行單個字節(jié)、字的寫入，也可以進行連續(xù)多個字、字節(jié)的寫入操作，但是最小的擦除單位是段。

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