寫(xiě)MSP430片內(nèi)flash

Flash 存儲(chǔ)器被分割成兩部分：主存儲(chǔ)器和信息存儲(chǔ)器，兩者在操作上沒(méi)有什么區(qū)別。兩部分的區(qū)別在于段的大小和物理地址的不同。

以Msp430F149為例，信息存儲(chǔ)器有兩個(gè)128字節(jié)的段，即segmentA和segmentB，主存儲(chǔ)器有多個(gè)512字節(jié)的段。Msp430F149內(nèi)部Flash的地址為0x1000H~0xFFFFH，計(jì)60K。信息段SegA的起始地址為0x1080H，信息段SegB的起始地址為0x1000H。

3 Flash存儲(chǔ)器的操作

在默認(rèn)狀態(tài)下，處于讀操作模式。在讀操作模式中，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器不能被擦除和寫(xiě)入，時(shí)序發(fā)生器和電壓發(fā)生被關(guān)閉，存儲(chǔ)器操作指向ROM區(qū)。

Msp430 Flash存儲(chǔ)器在系統(tǒng)編程ISP（in-system programmable）不需要額外的外部電壓。CPU能夠?qū)lash直接編程。Flash存儲(chǔ)器的寫(xiě)入/擦除通過(guò)BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位確定。

3.1 擦除

Flash存儲(chǔ)器各位的缺省值為1，每一位都可以單獨(dú)編程為0，但只有擦除操作才能將其恢復(fù)為1。擦除操作的最小單位是段。通過(guò)erase和meras位設(shè)置可選擇3種擦除模式。

擦除操作開(kāi)始于對(duì)擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置執(zhí)行一次空寫(xiě)入。空寫(xiě)入的目的是啟動(dòng)時(shí)序發(fā)生器和擦除操作。在空寫(xiě)入操作之后，BUSY位自動(dòng)置位，并保持到擦除周期結(jié)束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期結(jié)束后自動(dòng)復(fù)位。

3.2 寫(xiě)入

寫(xiě)入模式由WRT和BLKWRT位進(jìn)行設(shè)置。

倍，因?yàn)殡妷喊l(fā)生器在塊寫(xiě)入完成器件均能保持。對(duì)于這兩種寫(xiě)入模式，任何能修改目的操作數(shù)的指令均能用于修改地址。一個(gè)Flash字不能再擦除器件進(jìn)行兩次以上的寫(xiě)入。

當(dāng)啟動(dòng)寫(xiě)入操作時(shí)，BUSY置位，寫(xiě)入結(jié)束時(shí)復(fù)位。

4 操作編程

4.1 Flash擦除

對(duì)Flash要寫(xiě)入數(shù)據(jù)，必須先擦除相應(yīng)的段，且對(duì)Flash存儲(chǔ)器的擦除必須是整段進(jìn)行的，可以一段一段擦，也可以多段一起擦除。擦除操作的順序如下：

1） 選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘源和分頻因子；

2） 清除LOCK位

3） 判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步

4） 使能段操作，設(shè)置ERASE、MERAS位等（如果是擦除一段，則ERASE=1，如果擦除多段，則MERAS=1，如果擦除整個(gè)Flash，則ERASE=1，MERAS=1）

5） 對(duì)擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置作一次空寫(xiě)入，以啟動(dòng)擦除操作

6） 在擦除周期內(nèi)，時(shí)鐘源始終有效，不修改分頻因子

7） 操作完成后，置位LOCK

根據(jù)上述操作順序，編寫(xiě)程序代碼如下：

void FlashErase(unsigned int adr)

{

uchar *p0;

(關(guān)閉中斷：_DINT();//關(guān)閉總中斷 本人注）

FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//選擇時(shí)鐘源，分頻

FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK

while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙，則等待

FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作

p0 = (unsigned char *)adr;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針

*p0 = 0; //向段內(nèi)任意地址寫(xiě)0，即空寫(xiě)入，啟動(dòng)擦除操作

FCTL1 = FWKEY;

FCTL3 = FWKEY + LOCK;

while(FCTL3 & BUSY);（ _EINT(); //開(kāi)總中斷 本人注）

}

4.2 寫(xiě)入

對(duì)Flash的寫(xiě)入數(shù)據(jù)可以是單字、單字節(jié)，也可以是連續(xù)多個(gè)字或字節(jié)（即塊操作）。編程寫(xiě)入操作的順序如下：

1） 選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘源和分頻因子；

2） 清除LOCK位

3） 判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步操作

4） 使能寫(xiě)入功能，設(shè)置WRT、BLKWRT（如果寫(xiě)入單字或單字節(jié)則WRT=1，如果是塊寫(xiě)入，或者是多字、多字節(jié)連續(xù)寫(xiě)入則WRT=1，BLKWRT=1）；

5） 判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步操作

6） 寫(xiě)入數(shù)據(jù)

7） 判忙，完了之后清除WRT，置位LOCK

根據(jù)上述操作順序，編寫(xiě)程序代碼如下：

//write single byte

//Adr 為要編程的地址，沒(méi)有奇偶地址要求、DataB為要編程的字節(jié)數(shù)據(jù)

void FlashWB(unsigned char Adr,unsigned char DataB)

{

FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3

FCTL3 = FWKEY;

FCTL1 = FWKEY + WRT;

while(FCTL3 & BUSY);

*((unsigned int *)Adr)=DataB;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針，指向地址數(shù)據(jù)Adr所表示的內(nèi)存單元（*((unsignedchar *)Adr)？本人注）

//將數(shù)據(jù)字DataW賦值給內(nèi)存單元

FCTL1 = FWKEY;

FCTL3 = FWKEY + LOCK;

while(FCTL3 & BUSY);

}

//write single word

//Adr 為要編程的地址，應(yīng)該是偶地址、DataW為要編程的字?jǐn)?shù)據(jù)