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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米

作者: 時間:2016-11-01 來源:精實新聞 收藏

  電子智能手機吃悶棍,力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳為了穩(wěn)固龍頭地位,將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 ,對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后,技術(shù)差距約為一年半。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201611/339439.htm

  BusinessKorea 31 日報導,半導體產(chǎn)業(yè)透露,內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 ,準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 。同時,該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重,目標明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說,明年三星 10 納米等級 DRAM,將占整體 DRAM 生產(chǎn)的一半。

  DRAMExchange 估計,當前三星 DRAM 生產(chǎn)以 20 納米為主、占 82%,18 納米僅占 12%。

  三星制程微縮進展比原先預期更為快速,內(nèi)存部門主管 Chung Eun-seung 2015 年初暗示,2020 年將量產(chǎn) 10 納米等級 DRAM,如今看來,應該 2019 年初就能達成目標。

  三星是 DRAM 霸主,IHS 數(shù)據(jù)顯示,今年第二季三星的 DRAM 市占率高達 46.6%。對手 SK 海力士和美光的 DRAM 制程仍停留在 20 納米等級,要到明年第二季之后才會開始生產(chǎn) 18 納米 DRAM,技術(shù)差距約在一年到一年半之間。



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