新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 高通聯(lián)發(fā)科海思手機(jī)芯片10nm大戰(zhàn)開打

高通聯(lián)發(fā)科海思手機(jī)芯片10nm大戰(zhàn)開打

作者: 時(shí)間:2016-11-22 來源:工商時(shí)報(bào) 收藏
編者按:明年第一季將是高通、聯(lián)發(fā)科、海思等三大手機(jī)晶片廠的10奈米晶片大戰(zhàn)開打,雖然規(guī)格上仍是高通領(lǐng)先同業(yè),不過能否真正放量出貨并搶下手機(jī)廠訂單,關(guān)鍵反而在于臺(tái)積電及三星等晶圓代工廠能否符合預(yù)期開出產(chǎn)能。

  手機(jī)晶片10奈米大戰(zhàn)正式開打!手機(jī)晶片龍頭(Qualcomm)搶在美國(guó)消費(fèi)性電子展(CES)前發(fā)表10奈米Snapdragon 835手機(jī)晶片,采用三星10奈米制程生產(chǎn)。聯(lián)發(fā)科交由臺(tái)積電10奈米代工的Helio X30也已進(jìn)入量產(chǎn)階段,明年上半年將再推出Helio X35搶市,至于華為旗下半導(dǎo)體Kirin 970也將在明年采用臺(tái)積電10奈米量產(chǎn)。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201611/340521.htm

  宣布子公司技術(shù)公司發(fā)表新一代Snapdragon 835手機(jī)晶片,雖然大部份細(xì)節(jié)規(guī)格都還沒正式公布,但說明將支援最新的Quick Charge 4快充技術(shù),進(jìn)行5分鐘充電后,將手機(jī)使用時(shí)間延長(zhǎng)至5小時(shí)以上,且Quick Charge 4支援 Type-C連接埠和通用匯流排電力傳輸(USB-PD),可廣泛的適用于各種連接線和轉(zhuǎn)接器之上。

  聯(lián)發(fā)科早在10月初就說明了新一代10奈米Helio X30手機(jī)晶片部份細(xì)節(jié)。聯(lián)發(fā)科Helio X30手機(jī)晶片是10核心架構(gòu),確認(rèn)將采用2+4+4的三叢集運(yùn)算架構(gòu),包括運(yùn)算時(shí)脈高達(dá)2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配運(yùn)算時(shí)脈達(dá)2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及運(yùn)算時(shí)脈達(dá)2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。與上一代十核心Helio X20手機(jī)晶片相較,運(yùn)算效能可提升43%,功耗上則可節(jié)省58%。

  聯(lián)發(fā)科Helio X30已經(jīng)在第四季將率先進(jìn)入量產(chǎn)投片階段,采用臺(tái)積電10奈米制投片,策略上就是希望藉由臺(tái)積電在晶圓代工市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)來打造Helio X30,以對(duì)抗采用三星10奈米生產(chǎn)的高通Snapdragon 835。同時(shí),聯(lián)發(fā)科新一代Helio X30手機(jī)晶片支援LTE Cat.10規(guī)格,并且是全球全模的手機(jī)晶片,預(yù)期明年第一季將可順利出貨,明年上半年還會(huì)再推出支援Cat.12的10奈米Helio X35搶市。

  華為旗下半導(dǎo)體已經(jīng)加快10奈米微縮速度,業(yè)界預(yù)期,明年上半年將會(huì)推出首款采用臺(tái)積電10奈米生產(chǎn)的Kirin 970手機(jī)晶片,雖然架構(gòu)上可能仍是8核心,但在數(shù)據(jù)機(jī)上會(huì)率先支援Cat.12的全球全模規(guī)格。



關(guān)鍵詞: 高通 海思

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉