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【解析】反激初級電流波形異常如何讓解決?

作者: 時(shí)間:2016-12-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
  反激是一種常見的電源設(shè)計(jì)方式,反激是將初級取消激勵時(shí)的次級輸出,將存儲的能量及進(jìn)行釋放。反激電源電路當(dāng)中,同樣涉及波形的問題,也會有異常情況出現(xiàn),那么在反激電源中出現(xiàn)電流波形異常時(shí),應(yīng)該如何解決呢?

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/326391.htm

  圖1

  如圖1所示,變壓器是反激變壓器,變壓器符號直接找的,所以同名端不對,但電路是對的。此反激電路用途為給次級的大電容充電,輸入220v直流,需要給6800uF*4的電容充電到500v。電路由分立元件組成,由驅(qū)動芯片驅(qū)動開關(guān)IGBT,次級電流減小到0后再次開通IGBT。

  圖2

  那么問題來了,圖2中的初級電流波形太難看,開通和關(guān)斷時(shí)沖擊電流太大,且震蕩嚴(yán)重,變壓器參數(shù)初級100uH,匝數(shù)比1:3,變壓器初級并聯(lián)電容25nF,是如何造成的呢?  測試方法的方法是:次級開路,初級測并聯(lián)電容,頻率100kHZ。

  使用到的變壓器繞發(fā)是:

  變壓器初級6匝,初級6匝中間密繞,1.5mm特氟龍線;次級18匝,次級0.5mm特氟龍線繞滿一層,貼近骨架在最里層。

  可以確定的是,波形是沒有錯誤的,波形的異常是由IGBT拖尾造成的,換MOSFET即可。下面的表格中總結(jié)了MOSFET和IGBT的開關(guān)時(shí)間。

  表1 MOSFET開關(guān)時(shí)間

  表2 IGBT開關(guān)時(shí)間

  第一個表格是MOSFET的開關(guān)時(shí)間,第二個表格是IGBT的開關(guān)時(shí)間,只有關(guān)斷延時(shí)時(shí)間長一些,其他三個時(shí)間差不多,那么這些關(guān)斷延時(shí)是否對初級電流的波形產(chǎn)生了影響?實(shí)際上,這些時(shí)間是電流降到額定10%的時(shí)間,實(shí)際上還有一條細(xì)長尾巴,并且由于電流較小,所以這條尾巴就越發(fā)明顯。

  在更換了MOSFET的型號之后,測量出來的波形如下圖所示:

  圖3

  從圖3中我們可以看到MOS管開啟和關(guān)斷時(shí)震蕩仍然很大,關(guān)斷后的電流還有比較大的起伏。這是因?yàn)楣茏記]有開起來的緣故,Vgs12V電阻6.2歐,按照pdf手冊應(yīng)該是可以開起來的,但是由于IC有內(nèi)阻,導(dǎo)致Id沒有升起來。

  有人也許會問,C內(nèi)阻大點(diǎn)是應(yīng)該發(fā)熱比較嚴(yán)重,不至于引起這么大的震蕩吧?

  電源是給高壓大電容充電的,輸入220V直流,初級峰值電流10A。電流在圖上可以看到,振蕩部分遠(yuǎn)大于10A,采樣電阻10毫歐,震蕩峰值有30-40A,所以要選這么大管子。

  如果是用幾個微秒的掃描時(shí)間去測量一個工頻電路基本都會顯示類似的震檔波形,其實(shí)這個波形是不真實(shí)的東西。只是一個無關(guān)緊要的瞬間斷續(xù)電流的信號,如果用示波器兩通道把這個電流波形與正弦電壓波同時(shí)測量顯示出來,就比較容易看明白了。

  本篇文章對反激電源中初級電流的波形異常進(jìn)行了分析,并對波形異常的情況提出了幾種解決方法。希望大家在閱讀過本篇文章之后能夠有所收獲,并運(yùn)用文章當(dāng)中的知識解決遇到的問題。



關(guān)鍵詞: 反激初級電流波

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