起直流穩(wěn)壓(流)電子負(fù)載核心作用的功率MOSFET
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時(shí)間：2016-12-05
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201612/326460.htm
給運(yùn)算放大器 IC1A的反相輸入端。由于運(yùn)算放大器的直流增益在線(xiàn)性反饋工作區(qū)內(nèi)很高，反相輸入端保持與非反相輸入端相等，即相當(dāng)于VIREF。放大器產(chǎn)生自己的輸出值，以使 MOSFET Q2和Q3工作于線(xiàn)性區(qū)，因而會(huì)消耗電源的功率。源極電流值與電流環(huán)基準(zhǔn) VIREF成正比，即ILOAD=VIREF/RSHUNT。可利用一個(gè)連接到穩(wěn)定電壓基準(zhǔn)上的電阻分壓器設(shè)定 VIREF，或者使用來(lái)自一個(gè)基于PC的I/O卡的D/A轉(zhuǎn)換器輸出，以實(shí)現(xiàn)靈活的配置。
電壓工作模式的情況與電流模式相同，只不過(guò)檢測(cè)的變量是輸出電壓，這一輸出電壓是經(jīng)過(guò)分壓器RA/RB衰減的，所以電子負(fù)載的工作電壓比運(yùn)放電源電壓高。檢測(cè)出的電壓被反饋到 IC1B的非反相輸入端，MOSFET 再次工作在線(xiàn)性區(qū)。負(fù)載電壓VLOAD=VVREF×(RA+RB)/RB。
本電路適用于描述有兩種電源模式的光伏電池模塊的特性。采用本電路和基于PC的設(shè)置時(shí)，Helios技術(shù)公司（www.heliostechnology.com）的一個(gè)光伏電池模塊的I-V特性曲線(xiàn)表明有一個(gè)區(qū)在VMPP（最高點(diǎn)的電壓）以上，在VMPP這一電壓下，陡峭的過(guò)渡與一個(gè)電壓源相對(duì)應(yīng)（圖2）。在低于 VMPP 的電壓下，光伏電池模塊猶如一個(gè)電流源。一般情況下，用一個(gè)簡(jiǎn)單的電流模式電子負(fù)載描述I-V 特性曲線(xiàn)這一平坦區(qū)的特性是很困難的，因?yàn)殡妷狠敵鰧?duì)電流的微小變化很敏感，因此，恒定電壓模式負(fù)載就是一種較好的選擇。
評(píng)論