Vishay推出新系列VRPower?集成式DrMOS功率級(jí)解決方案

新器件采用標(biāo)準(zhǔn)的6mm x 6mm PowerPAK MLP66-40L、新型5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L和4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP4535-22L封裝。

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 12 月11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用3種PowerPAK?封裝尺寸的新系列VRPower?集成式DrMOS功率級(jí)解決方案，用以應(yīng)對(duì)高功率和高性能的多相POL應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。

Vishay Siliconix SiC789和SiC788采用MLP66-40L封裝和符合Intel? 4.0 DrMOS標(biāo)準(zhǔn)(6mm x 6mm)的占位；SiC620和SiC620R采用新型5mm x 5mm 的MLP55-31L封裝；SiC521采用4.5mm x 3.5mm的MLP4535-22L封裝。這些器件適用于需要大電流，電路板空間有限的計(jì)算和存儲(chǔ)設(shè)備、電信交換機(jī)和路由器、圖形卡、比特幣挖礦機(jī)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

SiC789和SiC788的6 mm x 6 mm封裝便于已經(jīng)采用Intel標(biāo)準(zhǔn)DrMOS 4.0占位的設(shè)計(jì)升級(jí)到更高的輸出功率，而新的5mm x 5mm和3.5mm x 4.5mm占位非常適合電路板空間受限，需要采用更多小尺寸電壓穩(wěn)壓器的新設(shè)計(jì)。PowerPAK MLP55-31L和MLP4535-22L在設(shè)計(jì)上還有多項(xiàng)改進(jìn)和提高，改善了封裝的寄生效應(yīng)和熱性能，充分發(fā)揮Vishay最先進(jìn)的Gen IV MOSFET的動(dòng)態(tài)性能。

比如，SiC620R采用可雙面冷卻的MLP55-31L封裝，在典型的多相降壓轉(zhuǎn)換器里能夠輸出70A電流，效率達(dá)到95%。通過(guò)在封裝的正面和背面對(duì)器件進(jìn)行冷卻，在占位比前一代封裝縮小33%的同時(shí)，損耗還減少了20%。在筆記本電腦和服務(wù)器、通信交換機(jī)及游戲機(jī)主板的外接電源里，3.5mm x 4.5mm尺寸的SiC521能夠連續(xù)輸出25A電流，峰值電流達(dá)40A。

VRPower系列的柵極驅(qū)動(dòng)IC兼容各種PWM控制器，支持5V和3.3V的三態(tài)PWM邏輯。另外，驅(qū)動(dòng)IC整合了二極管仿真模式電路，能夠提高輕負(fù)載條件下的效率，自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制有助于進(jìn)一步提高在所有負(fù)載點(diǎn)下的效率。器件的保護(hù)功能包括欠壓鎖定(UVLO)、擊穿保護(hù)，過(guò)熱報(bào)警功能在結(jié)溫過(guò)高時(shí)會(huì)向系統(tǒng)發(fā)出警報(bào)。

器件規(guī)格表：