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巨磁阻傳感器原理及其應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2016-12-19 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
目前磁性傳感器在汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用中主要有霍爾效應(yīng),各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng),巨磁阻效應(yīng)以及穿遂磁阻效應(yīng)。英飛凌是少數(shù)幾個(gè)同時(shí)掌握磁性感應(yīng)技術(shù)并應(yīng)用于產(chǎn)品中的半導(dǎo)體公司之一。

磁性傳感器廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代汽車(chē)中,如速度檢測(cè),角度檢測(cè),位置檢測(cè),電流檢測(cè)等。根據(jù)磁性感應(yīng)原理,可分為霍爾原理及磁阻原理。其中磁阻式根據(jù)原理又可分為常磁阻效應(yīng)(Ordinary Magneto Resistance, OMR)、各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng)(Anisotropic Magneto Resistance,AMR)、巨磁阻效應(yīng)(Giant Magneto Resistance,GMR)、超巨磁阻效應(yīng)(Colossal Magneto Resistance,CMR)、穿遂磁阻效應(yīng)(Tunnel Magneto Resistance,TMR)、巨磁阻抗效應(yīng)(Giant Magneto impedance,GMI)以及特異磁阻效應(yīng)(Extraordinary Magneto Resistance,EMR)等。

目前磁性傳感器在汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用中主要有霍爾效應(yīng),各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng),巨磁阻效應(yīng)以及穿遂磁阻效應(yīng)。英飛凌是少數(shù)幾個(gè)同時(shí)掌握有以上磁性感應(yīng)技術(shù)并應(yīng)用于產(chǎn)品中的半導(dǎo)體公司之一。

相比于霍爾效應(yīng)和各項(xiàng)異性磁阻效應(yīng),巨磁阻效應(yīng)具有更好的靈敏度,更小的噪聲以及氣隙表現(xiàn),非常適合汽車(chē)領(lǐng)域中需要高精度以及較大工作氣隙要求的應(yīng)用。目前英飛凌巨磁阻系列傳感器涵蓋速度及角度應(yīng)用,本文主要介紹巨磁阻傳感器原理及其在速度檢測(cè)和角度檢測(cè)方面應(yīng)用。

集成巨磁阻原理

所謂磁阻效應(yīng)是指導(dǎo)體或半導(dǎo)體在磁場(chǎng)作用下其電阻值發(fā)生變化的現(xiàn)象,巨磁阻效應(yīng)在1988年由彼得•格林貝格(Peter Grünberg)和艾爾伯•費(fèi)爾(Albert Fert)分別獨(dú)立發(fā)現(xiàn),他們因此共同獲得2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。研究發(fā)現(xiàn)在磁性多層膜如Fe/Cr和Co/Cu中,鐵磁性層被納米級(jí)厚度的非磁性材料分隔開(kāi)來(lái)。在特定條件下,電阻率減小的幅度相當(dāng)大,比通常磁性金屬與合金材料的磁電阻值約高10余倍,這一現(xiàn)象稱為“巨磁阻效應(yīng)”。

巨磁阻效應(yīng)可以用量子力學(xué)解釋,每一個(gè)電子都能夠自旋,電子的散射率取決于自旋方向和磁性材料的磁化方向。自旋方向和磁性材料磁化方向相同,則電子散射率就低,穿過(guò)磁性層的電子就多,從而呈現(xiàn)低阻抗。反之當(dāng)自旋方向和磁性材料磁化方向相反時(shí),電子散射率高,因而穿過(guò)磁性層的電子較少,此時(shí)呈現(xiàn)高阻抗。

如圖1所示,兩側(cè)藍(lán)色層代表磁性材料薄膜層,中間橘色層代表非磁性材料薄膜層。綠色箭頭代表磁性材料磁化方向,灰色箭頭代表電子自旋方向,黑色箭頭代表電子散射。左圖表示兩層磁性材料磁化方向相同,當(dāng)一束自旋方向與磁性材料磁化方向都相同的電子通過(guò)時(shí),電子較容易通過(guò)兩層磁性材料,因而呈現(xiàn)低阻抗。而右圖表示兩層磁性材料磁化方向相反,當(dāng)一束自旋方向與第一層磁性材料磁化方向相同的電子通過(guò)時(shí),電子較容易通過(guò),但較難通過(guò)第二層磁化方向與電子自旋方向相反的磁性材料,因而呈現(xiàn)高阻抗。


圖1:巨磁阻效應(yīng)示意圖

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/331426.htm基于巨磁阻效應(yīng)的傳感器其感應(yīng)材料主要有三層:即參考層(Reference Layer或Pinned Layer),普通層(Normal Layer)和自由層(Free Layer)。參考層具有固定磁化方向,其磁化方向不會(huì)受到外界磁場(chǎng)方向影響。普通層為非磁性材料薄膜層,將兩層磁性材料薄膜層分隔開(kāi)。自由層磁場(chǎng)方會(huì)隨著外界平行磁場(chǎng)方向的改變而改變。


圖2:巨磁阻磁性感應(yīng)層結(jié)構(gòu)

巨磁阻阻值由自由層和參考層之間磁場(chǎng)方向夾角決定,其電阻變化率如式2-1所示:

GMR傳感器應(yīng)用

如上文所說(shuō),巨磁阻電阻值取決于自由層和參考層之間磁場(chǎng)方向夾角,自由層磁化方向會(huì)隨著外界磁場(chǎng)方向改變而改變。巨磁阻傳感器磁場(chǎng)工作區(qū)間如圖3所示,當(dāng)外界磁場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)|BK|時(shí)巨磁阻傳感器工作在飽和區(qū),此時(shí)自由層和參考層磁化方向平行,進(jìn)一步增加外界磁場(chǎng)強(qiáng)度不會(huì)導(dǎo)致電阻值變化。當(dāng)外界磁場(chǎng)強(qiáng)度范圍在- BK
圖3:GMR磁場(chǎng)工作區(qū)間特性曲線

通常外界磁場(chǎng)強(qiáng)度BK為5mT時(shí),巨磁阻阻值變化率在10%左右。磁場(chǎng)線性區(qū)間用于速度檢測(cè),而飽和區(qū)間則用于角度檢測(cè)。

1.速度檢測(cè)

巨磁阻速度傳感器在汽車(chē)領(lǐng)域可以用于ABS、變速箱、凸輪和曲軸等速度及位置檢測(cè)。

巨磁阻傳感器其感應(yīng)單元由四個(gè)巨磁阻單元組成一個(gè)惠斯通電橋,如圖4所示為惠斯通電橋結(jié)構(gòu),每一個(gè)半橋包含兩個(gè)巨磁阻單元,兩個(gè)半橋之間距離通常為2.5mm(為了適應(yīng)較小齒距輪速目標(biāo)輪,TLE5041PlusC差分感應(yīng)單元間距離為2.0mm)用于產(chǎn)生差分速度信號(hào)。如果需要檢測(cè)目標(biāo)輪轉(zhuǎn)動(dòng)方向,則可以在正中間增加第5個(gè)巨磁阻單元。方向信號(hào)和速度信號(hào)存在90°的相位偏移,通過(guò)比較速度信號(hào)和方向信號(hào)之間相位,可以判斷目標(biāo)輪轉(zhuǎn)向,從而輸出相應(yīng)PWM信息用來(lái)反映目標(biāo)輪轉(zhuǎn)動(dòng)方向。

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