控告三星/高通/蘋果FinFET技術(shù)侵權(quán) 這家公司有多牛？

　　他們表示，三星、GlobalFoundries、臺(tái)積電使用 FinFET 技術(shù)生產(chǎn)、銷售手機(jī)芯片，但卻不支付使用費(fèi)。三星、GlobalFoundries供應(yīng)芯片給高通，臺(tái)積電則幫蘋果生產(chǎn) iPhone 用芯片。

　　除了智能手機(jī)知名之外，三星還是全球重要的半導(dǎo)體公司，在2016年TOP20半導(dǎo)體公司中營(yíng)收排名第二，僅次于英特爾(Intel)，領(lǐng)先于臺(tái)積電(TSMC)。

　　在FinFET代工上，三星也比TSMC公司搶先量產(chǎn)14nm FinFET工藝，不僅為高通(Qualcomm)代工驍龍820/821處理器，還把14nm工藝工藝授權(quán)給了AMD好基友格羅方德(GlobalFoundries)公司。

　　三星為何在FinFET工藝上領(lǐng)先?TSMC早前指責(zé)三星挖走了TSMC前研發(fā)部門高管Liang Mong-song，后者帶著技術(shù)資料跳槽，他們認(rèn)為三星在14nm FinFET工藝上進(jìn)展迅速就是靠著TSMC的技術(shù)，不過(guò)TSMC跟三星之間只是打了嘴仗，TSMC并沒(méi)有起訴三星。這次不同了，這家公司直接向法院起訴了，顯然是有備而來(lái)。

　　韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)專利管理子公司 KAIST IP，日前向德州聯(lián)邦地方法院提起專利侵權(quán)訴訟，控告三星電子、Qualcomm和GlobalFoundries擅自盜用其所擁有的“FinFET”技術(shù)專利，要求支付專利使用費(fèi)。

　　KAIST IP 指出，“長(zhǎng)期以來(lái)持續(xù)和三星就支付使用費(fèi)一事進(jìn)行協(xié)商，不過(guò)三星全面拒絕，導(dǎo)致協(xié)商破裂。且除了三星、Qualcomm和GlobalFoundries之外，今后也計(jì)劃對(duì)臺(tái)灣臺(tái)積電、蘋果(Apple)提告”。

　　KAIST IP 表示，三星、GlobalFoundries、臺(tái)積電使用 FinFET 技術(shù)生產(chǎn)、銷售手機(jī)芯片，但卻不支付使用費(fèi)。三星、GlobalFoundries供應(yīng)芯片給高通，臺(tái)積電則幫蘋果生產(chǎn) iPhone 用芯片。 雖然普通人沒(méi)聽(tīng)過(guò)KAIST(韓國(guó)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院)的名頭，不過(guò)他們?nèi)ツ晔欠敲绹?guó)院校在美國(guó)申請(qǐng)專利第二多的高校，申請(qǐng)了105項(xiàng)專利，排名第一的則是中國(guó)清華大學(xué)，申請(qǐng)了185項(xiàng)專利，因此KAIST在科研實(shí)力上還是很有底氣的，他們這次通過(guò)管理專利的子公司KAIST IP在美國(guó)德州聯(lián)邦法院提起了法律訴訟，指控三星、GlobalFoundries及Qualcomm侵犯了他們編號(hào)為6885055的美國(guó)專利——一種雙柵極FinFET設(shè)備及其制造方法。

　　根據(jù)KAIST所述，2001年還在韓國(guó)圓光大學(xué)任職的教授Lee Jong-ho提出了這種技術(shù)，三星當(dāng)時(shí)對(duì)FinFET工藝并沒(méi)有任何興趣。不過(guò)在Intel率先推出類似FinFET工藝的3D晶體管技術(shù)之后，三星邀請(qǐng)了Lee教授給自家工程師演講，獲得了這種專利技術(shù)。

　　KASIT IP指出，三星盜用Lee教授的技術(shù)可以節(jié)省大量開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本，但卻沒(méi)有支付任何專利費(fèi)。他們指責(zé)三星還在持續(xù)侵犯該技術(shù)，絲毫不考慮Lee教授的權(quán)益或者適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償。

　　由于三星的14nm FinFET工藝不僅自己用，還授權(quán)給了GlobalFoundries公司，并為Qualcomm代工處理器，因此后面兩家也一起被告上了法庭。

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星關(guān)系人士已表示，“目前正在掌握訴狀內(nèi)容。三星從 2000 年代初期就研發(fā) 3D 半導(dǎo)體技術(shù)，并擁有 FinFET 技術(shù)相關(guān)的自家專利”。

　　另外，F(xiàn)inFET技術(shù)的發(fā)明人是胡正明教授，目前不知道他申請(qǐng)了多少專利。