美國開發(fā)出不依賴半導體的微電子器件

　　美國加州大學圣地亞哥分校的一個研究團隊開發(fā)出一款基于納米結構的、不依賴半導體傳導的光控微電子器件，在低電壓和低功率激光激發(fā)的條件下可將電導率比現(xiàn)有半導體器件提高近10倍。這一成果發(fā)表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。

　　傳統(tǒng)的半導體器件受到材料本身的限制，在頻率、功耗等方面存在極限，而利用自由電子替代半導體材料通常需要高電壓、大功率激光或高溫激發(fā)。該團隊在硅片上用金加工出一種類似蘑菇形狀的納米結構(稱為“超材料”結構)，在10伏以下的直流電壓和低功率紅外激光激發(fā)下，即可釋放自由電子，從而極大地提高器件的電導率。

　　這一器件不可能完全替代半導體器件，但可能在特殊需求下得到最佳應用，如超高頻器件或大功率器件。未來不同的超材料表面結構可能適用于不同類型的微電子器件，應用于光化學、光催化、光伏轉化等領域。