中芯國際超聯(lián)電成為晶圓代工第3大廠商?
有報導(dǎo)稱,大陸最大晶圓代工業(yè)者中芯國際(SMIC),今年先后宣布14納米制程將在2018年投產(chǎn),以及2016年投資金額提升至25億美元。這兩項指標(biāo)都超過了全球第3大晶圓代工業(yè)者聯(lián)電,意味中芯有機會超過聯(lián)電,成為全球第3大晶圓代工業(yè)者。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/341859.htm報導(dǎo)指出,目前在全球半導(dǎo)體制造工藝上,掌握10納米制程技術(shù)的臺積電是全球晶圓代工業(yè)的領(lǐng)先廠商。
聯(lián)電廈門廠擬引進28納米制程 目前仍卡關(guān)
格羅方德(GlobalFoundries)買下三星的14納米FinFET(鰭式場效電晶體)技術(shù),成為第3家掌握該技術(shù)的晶圓代工廠,但該公司虧損多年,更曾傳出要賣給大陸企業(yè),與中芯國際的競爭不明顯。
反觀與中芯競爭最直接的就是聯(lián)電,聯(lián)電早早在大陸設(shè)立和艦科技,目前在廈門已有12寸晶圓廠。
報導(dǎo)提到,本來聯(lián)電希望將28納米制程導(dǎo)入大陸,但由于聯(lián)電14納米制程在中國臺灣地區(qū)尚未量產(chǎn),因此目前仍處于卡關(guān)階段。
今年中芯投資25億美元 聯(lián)電為22億美元
即使2017上半年聯(lián)電廈門廠如期采用14納米FinFET技術(shù),廈門廠引進的也只是28納米制程,與中芯國際是同樣水準(zhǔn),因此競爭力不見得會比中芯更有優(yōu)勢。
至于投資金額,今年聯(lián)電投資金額為22億美元,而中芯國際在上半年就已調(diào)升至25億美元,中芯投資金額首度超越聯(lián)電,加速了中芯的半導(dǎo)體技術(shù)進程。
報導(dǎo)指出,若中芯的14納米FinFET技術(shù)如愿趕在2018年投產(chǎn),屆時相較聯(lián)電的競爭優(yōu)勢將更明顯。
聯(lián)電廈門廠11月啟用 40納米制程良率99%
今年11月16日聯(lián)電宣布,于廈門設(shè)立的12寸合資晶圓廠聯(lián)芯集成電路(廈門)舉行揭幕典禮,且該廠打破過去紀(jì)錄,自2015年3月動工以來,僅20個月即開始量產(chǎn)客戶產(chǎn)品。
聯(lián)電指出,采用廈門廠40納米制程的通訊芯片,產(chǎn)品良率逾99%。
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