深度解析日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：90年代的衰落之謎，現(xiàn)階段如何重新轉(zhuǎn)型？

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，代表著當(dāng)今世界最先進(jìn)的主流技術(shù)發(fā)展。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于上世紀(jì)五十年代起源于美國，之后共經(jīng)歷了三次大規(guī)模產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。

　　第一次是在 1970s 末期，從美國轉(zhuǎn)移到了日本，第一次轉(zhuǎn)移后日本成為世界半導(dǎo)體的中心;

　　第二次是上世紀(jì)八十年代末期至九十年代初，產(chǎn)業(yè)從日本轉(zhuǎn)移到了韓國、 中國臺灣和新加坡等地，形成了世界范圍內(nèi)美國、韓國、臺灣等國家和地區(qū)多頭并 立的局面。

　　第三次是二十一世紀(jì)以來，我國由于具備勞動力成本等多方面的優(yōu)勢， 正在承接第三次大規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。

　　日本半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展階段概述日本半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展依次經(jīng)歷了崛起(1970s)、鼎盛(1980s)、衰落(1990s)、轉(zhuǎn)型(2000s)四個階段。

1、崛起：1970s，VLSI 研發(fā)聯(lián)合體帶動技術(shù)創(chuàng)新

　　上世紀(jì) 70 世紀(jì)初，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體落后美國十年以上。

　　70 世紀(jì)中期，日 本本土半導(dǎo)體企業(yè)受到兩件事的嚴(yán)重沖擊。

　　一件事是日本 1975、1976 年在美國壓 力下被迫開放其國內(nèi)計算機和半導(dǎo)體市場;另一件事是 IBM 公司開發(fā)的被稱為未來 系統(tǒng)(Future System，F(xiàn)/S)的新的高性能計算機中，采用了遠(yuǎn)超日本技術(shù)水平的一 兆的動態(tài)隨機存儲器。

　　1976-1979 年在政府引導(dǎo)下，日本開始實施具有里程碑意義的，超大規(guī)模集成 電路的共同組合技術(shù)創(chuàng)新行動項目(VLSI)。

　　該項目由日本通產(chǎn)省牽頭，以日立、 三菱、富士通、東芝、日本電氣五大公司為骨干，聯(lián)合了日本通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實 驗室(EIL)、日本工業(yè)技術(shù)研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，共投資了720 億日元，用于進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心共性技術(shù)的突破。

　　VLSI 項目是日本“官產(chǎn)學(xué)”一體化的重要實踐，將五家平時互相競爭的計算 機公司以及通產(chǎn)省所屬的電子技術(shù)綜合研究所的研究人才組織到一塊進(jìn)行研究工 作，不僅集中了人才優(yōu)勢，而且促進(jìn)了平時在技術(shù)上互不通氣的計算機公司之間的 相互交流 、相互啟發(fā)，推動了全國的半導(dǎo)體、集成電路技術(shù)水平的提高，為日本 半導(dǎo)體企業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展提供平臺，令日本在微電子領(lǐng)域上的技術(shù)水平與美國并駕 齊驅(qū)。

　　項目實施的四年內(nèi)共取得了約 1000 多項專利，大幅度提升了成員企業(yè)的 VLSI制作技術(shù)水平，日本公司借此搶占了 VLSI 芯片市場的先機。

　　同時政府在政策方面也給予了大力支持。

　　日本政府于 1957 年頒布《電子工業(yè) 振興臨時措施法》，支持日本企業(yè)積極學(xué)習(xí)美國先進(jìn)技術(shù)，發(fā)展本國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1971 年、1978 年分別頒布了《特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法》、《特 定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》，進(jìn)一步鞏固了以半導(dǎo)體為核心的日本信息產(chǎn)業(yè) 的發(fā)展。

　　鼎盛：1980s，依靠低價戰(zhàn)略迅速占領(lǐng)市場 該階段，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要競爭力是產(chǎn)品的成本優(yōu)勢和可靠性。

　　日本半導(dǎo)體業(yè)的崛起以存儲器為切入口，主要是 DRAM(Dynamic RandomAccess Memory，動態(tài)隨機存取記憶體)。

　　到上世紀(jì) 80 年代，受益于日本汽車產(chǎn)業(yè) 和全球大型計算機市場的快速發(fā)展，DRAM 需求劇增。

　　而日本當(dāng)時在 DRAM 方面 已經(jīng)取得了技術(shù)領(lǐng)先，日本企業(yè)此時憑借其大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，取得了成本和可靠性 的優(yōu)勢，并通過低價促銷的競爭戰(zhàn)略，快速滲透美國市場，并在世界范圍內(nèi)迅速取 代美國成為 DRAM 主要供應(yīng)國。

　　隨著日本半導(dǎo)體的發(fā)展，世界市場快速洗牌，到1989 年日本芯片在全球的市場占有率達(dá) 53%，美國僅 37%，歐洲占 12%，韓國 1%， 其他地區(qū) 1%。

　　80 年代，日本半導(dǎo)體行業(yè)在國際市場上占據(jù)了絕對的優(yōu)勢地位。

　　截至 1990 年， 日本半導(dǎo)體企業(yè)在全球前十中占據(jù)了六位，前二十中占據(jù)十二位。日本半導(dǎo)體達(dá)到 鼎盛時期。

       衰落：1990s，技術(shù)和成本優(yōu)勢喪失，市場份額迅速跌落

　　從微電子行業(yè)的世界技術(shù)發(fā)展趨勢來看，進(jìn)入上世紀(jì)九十年代，在美國掀起了 以 downsizing 為核心的技術(shù)革命，以 PC 為代表的新型信息通信設(shè)備快速發(fā)展，但 日本在該領(lǐng)域未有足夠準(zhǔn)備。

　　同時日本在 DRAM 方面的技術(shù)優(yōu)勢也逐漸喪失，成 本優(yōu)勢也被韓國、臺灣等地取代。

　　PC 取代大型主機成為計算機市場上的主導(dǎo)產(chǎn)品，也成為 DRAM 的主要應(yīng)用下 游。不同于大型主機對 DRAM 質(zhì)量和可靠性(可靠性保證 25 年)的高要求，PC對 DRAM 的主要訴求轉(zhuǎn)變?yōu)榈蛢r。D

　　RAM 的技術(shù)門檻不高，韓國、臺灣等地通過 技術(shù)引進(jìn)掌握了核心技術(shù)，并通過勞動力成本優(yōu)勢，很快取代日本成為了主要的供 應(yīng)商。

　　1998 年韓國取代日本，成為 DRAM 第一生產(chǎn)大國，全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)中心 從日本轉(zhuǎn)移到韓國。

　　之后，韓國一面繼續(xù)維持 DRAM 的生產(chǎn)大國地位，一面開發(fā) 用于數(shù)字電視、移動電話等的 SOC，雙頭并進(jìn);而臺灣通過不斷增加投資，建成了 世界一流的硅代工公司——臺積電和聯(lián)電，開發(fā)了一種新的半導(dǎo)體制作模式，同時 積極研發(fā)，在部分尖端技術(shù)上已經(jīng)可以與日本齊頭并進(jìn)。

　　該階段，日本半導(dǎo)體產(chǎn)品品種較為單一(過于集中在 DRAM 上)，產(chǎn)品附加值 低;同時未跟上世界技術(shù)潮流，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在該階段受到重創(chuàng)。截止 2000 年， 日本 DRAM 份額已跌至不足 10%。

轉(zhuǎn)型：2000s，合并整合與轉(zhuǎn)型 SOC

　　為挽回半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的頹敗之勢，日本半導(dǎo)體企業(yè)首先進(jìn)行了結(jié)構(gòu)性改革。除Elpida 外所有其他的日本半導(dǎo)體制造商均從通用 DRAM 領(lǐng)域中退出，將資源集中到 了具有高附加值的系統(tǒng)集成芯片等領(lǐng)域。

　　2000 年 NEC、日立的 DRAM 部門合并， 成立 Elpida，東芝于 2002 年賣掉了設(shè)在美國的工廠，2003 年 Elpida 合并了三菱電 機的記憶體部門。

　　但 Elpida 于 2012 年宣告破產(chǎn)，2013 年被美光購并，標(biāo)志著日本 在 DRAM 的競爭中徹底被淘汰。

　　另一方面，日本重新開啟了三個較大型的“產(chǎn)官學(xué)”項目——MIRAI、ASUKA和 HALCA。三個項目都于 2001 年開啟，以產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的世界級超凈室 (SCR)作為研發(fā)室，“ASUKA”項目由 NEC、日立、東芝等 13 家半導(dǎo)體廠家共 同出資 700 億日元，時間為 2001-2005，主要研制電路線寬為 65 納米的半導(dǎo)體制造

　　目前世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入到寡頭時代，競爭格局相對穩(wěn)定。盡管日本企業(yè)在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)份額日益減少，但在半導(dǎo)體的一些其他細(xì)分行業(yè)以及半導(dǎo)體材料領(lǐng)域， 日本企業(yè)仍保持著優(yōu)勢地位。

　　DRAM 領(lǐng)域主要的生產(chǎn)商是三星、Hynix 和 Micron(包括收購的原日本 Elpida);NAND 領(lǐng)域是東芝(與 Sandisk 合資的四日市工廠)， 三星和 Micron;半導(dǎo)體制造設(shè)備是 TEL，Screen，日立高科等;半導(dǎo)體材料是 JSR，TOK，信越等;晶圓有信越，SUMCO 等。

　日本半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

　　生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片需要 19 種必須的材料，缺一不可，且大多數(shù)材料具備極高的 技術(shù)壁壘，因此半導(dǎo)體材料企業(yè)在半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。

　　而日本企 業(yè)在硅晶圓、合成半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、藥業(yè)、靶材料、保護涂膜、引線架、 陶瓷板、塑料板、TAB、COF、焊線、封裝材料等 14 中重要材料方面均占有 50%及以上的份額，日本半導(dǎo)體材料行業(yè)在全球范圍內(nèi)長期保持著絕對優(yōu)勢。

　　作為全球最大的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國，2014 年日本國內(nèi)的半導(dǎo)體材料消費占 22%， 日本同時也是全球最主要的半導(dǎo)體材料輸出國。

　　大部分半導(dǎo)體材料出口到了亞太地 區(qū)的其他國家。目前雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始了第三次轉(zhuǎn)移，逐步轉(zhuǎn)移到以中國為主的 更具備生產(chǎn)優(yōu)勢的地區(qū)，但是我國目前配套半導(dǎo)體材料生產(chǎn)能力有待提升。