紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時不涉足DRAM

　　大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元，在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。

　　半導體設備業(yè)透露，紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開端，也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運作的新合作模式。

　　由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資，并結(jié)合武漢、上海、矽谷及臺灣等研發(fā)人員，決定以自主研發(fā)投入生產(chǎn)3D NAND Flash設計、制造。

　　由長江存儲主導投資的3D NAND Flash廠，位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，占地高達1,968畝，將建立三座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash廠房，一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，第一期計畫預定2018年建成啟用投產(chǎn)，2020年全部完工，月產(chǎn)能將達到30萬片，年產(chǎn)值將超過100億美元。將成為全球最大單一NAND晶片制造廠。

　　至于后續(xù)的封測，以南茂為主要封測平臺，但力成也積極接洽爭取。

　　紫光高層并透露，長江存儲將會等到取得國際大廠授權，或自主研發(fā)技術達到成熟階段，才會跨足DRAM制造，絕不會竊取他廠的技術或?qū)＠度肷a(chǎn)。

　　紫光集團董事長趙偉國上月30日宣布這項投資案，當天包括：中共工信部副部長劉利華、工信部電子信息司司長刁石京、國家發(fā)改委高技術產(chǎn)業(yè)司副司長孫偉、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司董事長王占甫等人，與湖北省副省長許克振，武漢市委、常務副市長龍正才、東湖高新區(qū)黨工委書記胡立山等重要官員都親自出席，為中國大陸跨足建立自主存儲器技術且是歷年來單筆最大投資案做見證。

　　業(yè)界人士指出，雖然紫光集團強調(diào)技術自主研發(fā)，但近期已積極對臺展開大規(guī)模挖角行動，值得有關單位和企業(yè)密切注意。