被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望

　　眾所周知，美光在韓國雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預(yù)期，于是從早幾年開始，這個美國存儲的僅存碩果之一就和Intel一起開發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲技術(shù)將會在未來給Intel和美光帶來新的成長激勵。尤其是對美光來說，在現(xiàn)狀和未來的表現(xiàn)都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。

　　回顧存儲的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者：

　　(1)比NAND Flash快1000倍;

　　(2)成本只有DRAM的一半;

　　(3)使用壽命是NAND的1000倍;

　　(4)密度是傳統(tǒng)存儲的10倍;

　　而得益于這些優(yōu)勢，3D Xpoint能被廣泛應(yīng)用在游戲、媒體制作、基因組測序、金融服務(wù)交易和個體化治療等領(lǐng)域。以上只是3D Xpoint的一些應(yīng)用示例。但從以上介紹，我們可以看出，3D Xpoint未來的應(yīng)用非常有潛力。

　　Source：techreport

　　從美光的公告我們可以看出，2017年，他們將會從3D Xpoint上獲得收益。但美光并沒有詳細說明會從3D Xpoint上獲得多少收益，美光同樣沒有介紹未來將會有哪些客戶使用這個新技術(shù)。

　　就我所看，2017年，美光從3D Xpoint上獲取的收益并不會太多，但可預(yù)期的是，未來數(shù)年，美光能從其身上獲得更大的成長驅(qū)動力。

　　英特爾與美光雙方宣稱，3D XPoint能夠提供千倍于當前NAND產(chǎn)品的使用壽命水平。假設(shè)這里的參考對象為現(xiàn)代(15納米至20納米)MLC NAND，那么其使用壽命將達到數(shù)百萬次全盤寫入; 不過在市場營銷材料當中，我們看到相關(guān)產(chǎn)品的寫入次數(shù)可以達到數(shù)千萬次。

　　如果我們假定其全盤寫入次數(shù)為300萬次(即1000倍于現(xiàn)代MLC閃存)，那么一塊基于3D XPoint技術(shù)的256 GB驅(qū)動器將能夠提供總計高達768 PB的數(shù)據(jù)寫入能力。這相當于五年內(nèi)每天寫入420 TB數(shù)據(jù)，或者每秒寫入4.9 GB數(shù)據(jù)。

　　對于目前依賴于NAND技術(shù)的存儲設(shè)備而言，3D XPoint將消除任何可能出現(xiàn)的使用壽命問題——不過相對于耐久性幾乎無限的DRAM來說，3D XPoint仍然要略遜一籌。企業(yè)最終是否會利用3D XPoint取代DRAM還是要取決于實際應(yīng)用情況，特別是對于那些要求使用DRAM的企業(yè)級工作負載來說更是如此。

　　3D XPoint的延遲水平在10納秒級別，但英特爾與美光雙方并沒有明確指出這一數(shù)字到底來自讀取延遲還是寫入延遲。從英特爾方面提供的圖表來看，10納秒級別應(yīng)該是指讀取延遲，因此NAND寫入延遲的計量單位應(yīng)該是毫秒(一般來講，全頁寫入的延遲為1到2毫秒)，而圖表中列出的NAND延遲為數(shù)十微秒的說法與NAND的讀取延遲相符。

　　寫入延遲往往遠高于此，再結(jié)合英特爾與美光雙方作出的“速度可達NAND上千倍”的說明，那么我們猜測3D XPoint的寫入延遲應(yīng)該在100納秒級別甚至是毫秒級別。不過更復(fù)雜的是，3D XPoint以bit為訪問層級，而NAND以頁為訪問層級，因此在不考慮外界因素的前提下比較二者的延遲水平相當困難。

　　無論如何，3D XPoint的性能表現(xiàn)應(yīng)該更接近于DRAM而且優(yōu)于NAND，不過考慮到英特爾與美光都沒有就延遲給出明確參數(shù)，因此我們作出斷言恐怕還為時尚早。