工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價繼續(xù)蔓延

　　從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。

　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強調(diào)，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預(yù)計將缺貨一整年。

　　日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內(nèi)存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而且將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND閃存，造成DRAM內(nèi)存供需短缺。

　　值得一提的是，三星是這波DRAM內(nèi)存價格上漲的主要推手。目前，三星超過7成產(chǎn)能已經(jīng)被蘋果以及自家手機、大陸的OPPO/vivo瓜分，能供應(yīng)給其它品牌的十分有限，其產(chǎn)能轉(zhuǎn)型為成長速度最快的3D NAND閃存。

　　其它廠家也有跟進，但良品率都不及三星，讓三星有資格和能力主導(dǎo)價格調(diào)整，以彌補其Note 7手機停產(chǎn)造成的損失。

　　除了DRAM內(nèi)存工序失衡外，相關(guān)PCB板材料短缺，也是價格上漲的因素之一。