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如何使用納米功率EMI耐受型運(yùn)算放大器改善IoT設(shè)計(jì)

作者:TI 時間:2017-03-08 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

作者/TI供稿

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201703/344952.htm

  引言

  物聯(lián)網(wǎng)()應(yīng)用的設(shè)計(jì)者有兩個主要關(guān)注點(diǎn):管理電源以最大限度地延長電池壽命,并確??煽康牟僮鞣乐垢鞣N電磁干擾()。物聯(lián)網(wǎng)革命將導(dǎo)致部設(shè)數(shù)十億電池和線路供電的連接設(shè)備,其中包括許多無線設(shè)備。所有這些設(shè)備都在爭奪同一頻率頻譜。這將產(chǎn)生越來越嘈雜的環(huán)境,其中電磁波從多個源輻射。自從引入無線設(shè)備以來,電磁信號的干擾已成為共享的未許可頻譜的問題,但當(dāng)操作中的設(shè)備的數(shù)量增加時,問題的重要性也隨之增加。諸如煙霧探測器、有毒氣體傳感器和PIR傳感器等具有無線能力的終端設(shè)備由于它們彼此相互作用,因此,需要進(jìn)行額外的輻射測試,如圖1所示。

  圖1 帶有電磁波的無源紅外(PIR)傳感器和一氧化碳檢測器

  1納米功率放大器

  創(chuàng)建無線感測節(jié)點(diǎn)的競爭為測試帶來了一定程度的復(fù)雜性。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)甄選部件,以避免重新設(shè)計(jì)的昂貴成本,這可能在產(chǎn)品開發(fā)的最后階段延遲上市時間。除在噪聲條件下工作,電池供電的連接設(shè)備還需要可靠地操作多年而無需更換電池。物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電池壽命變化很大,從幾小時到幾年不等,具體取決于應(yīng)用和其操作環(huán)境。這些設(shè)備的設(shè)計(jì)人員必須選擇消耗極低電流的組件,以延長工作壽命并提供EMI抗擾性。

  TI的LPV811系列納米功率放大器消耗低至320nA的靜態(tài)電流,以最大限度延長電池壽命,并內(nèi)部保護(hù)免受EMI。然而,這些設(shè)備并不包括在許多2016年發(fā)布的運(yùn)算放大器上所看到的全輸入EMI濾波器。因?yàn)樘砑虞斎隕MI濾波器大大增加了輸入電容,可能導(dǎo)致具有大反饋電阻值和源阻抗的亞微安電路中的峰值。相反,我們在LPV801、LPV802、LPV811和LPV812的布局及內(nèi)部設(shè)計(jì)中采用了內(nèi)部(專有)預(yù)防措施,使其盡可能對抗EMI。

  2內(nèi)置EMI緩和技術(shù)有效性的驗(yàn)證

  為了驗(yàn)證我們內(nèi)置的EMI緩和技術(shù)的有效性,我們對比了LPV802和不具備內(nèi)部EMI保護(hù)的兩個流行的競爭設(shè)備。在所有條件下,使用LPV802的電路表現(xiàn)出比使用競爭設(shè)備的電路更好的EMI抗擾性。我們根據(jù)IEC 61000-4-3(電磁兼容性(EMC)——輻射測試條件)測試了所有三個設(shè)備的EMI耐受性。我們在80MHz至6GHz頻率下將被測設(shè)備(DUT)置于校準(zhǔn)的射頻(RF)范圍,同時根據(jù)IEC 61000-4-3 EMC輻射規(guī)范監(jiān)測DUT的故障。為了對比這三個設(shè)備,我們在相同的電路中同時將所有三個設(shè)備暴露于相同的EMC輻射。并監(jiān)測其輸出偏差。此外,為了測量常見EMI濾波技術(shù)的有效性,我們測試了兩組電路板,一組電路板增加了外部輸入EMI電容器;另一組電路板未裝設(shè)EMI電容器。

  圖2所示為在標(biāo)準(zhǔn)62mil、雙層FR4電路板上構(gòu)建的測試板,其兩側(cè)帶有接地層,以測試EMI性能。四針連接器可快速更換電路板。插接傳感器引腳可更容易地移除傳感器。

  圖2 帶傳感器的測試板

  圖3所示為腔中的測試裝置。有四個測試板測試EMI性能。三個測試板具有相同電路,其上安裝有不同的運(yùn)算放大器。另外一個測試板以接地參考配置構(gòu)建,但未在測試中使用。我們將四個測試板中的每一個通過1m長的四個導(dǎo)體屏蔽電纜連接到中心電池盒(2個AA電池)。電纜兩端都有EMI扼流圈。我們通過15米長的UTP CAT-5電纜將電池盒連接到控制室,并使用適當(dāng)?shù)腅MI扼流圈,以將輸出電壓供給測井系統(tǒng)。帶有錐體的兩個白盒為用于在測試期間監(jiān)控電場的場傳感器。

  圖3 IEC61000-4-3 EMC輻射測試的測試設(shè)置

  圖4所示為IEC 61000-4-3規(guī)定的測試結(jié)果之一。在30V / m輻射水平,兩個競爭設(shè)備在140MHz時開始減弱,而LPV802保持到100MHz。一般來說,使用LPV802的電路的EMI性能優(yōu)于使用競爭設(shè)備,這針對不同輻射水平下進(jìn)行的所有規(guī)定測試,特別是在100-200MHz范圍內(nèi)進(jìn)行的測試。所有設(shè)備大多不受上(> 400MHz)頻率的影響。

  圖4 使用電容器進(jìn)行30V / m測試的結(jié)果

  3結(jié)論

  建議在正常設(shè)計(jì)過程中添加外部EMI輸入電容,這有助于提升整體性能,EMI保護(hù)不能完全消除EMI的影響,但它確實(shí)有助于降低影響。

  添加外濾可進(jìn)一步降低影響。即使使用受EMI保護(hù)的設(shè)備,仍建議進(jìn)行外部濾波。

  使用諸如消耗納安培靜態(tài)電流及抗EMI的LPV801、LPV802、LPV811和LPV812的部件,可以幫助設(shè)計(jì)人員構(gòu)建具有更長電池壽命并符合全球EMI規(guī)定的系統(tǒng)。這有助于降低維護(hù)成本,提高上市時間。此外,若在產(chǎn)品開發(fā)最后階段EMI出現(xiàn)故障,也無需耗費(fèi)巨資進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。



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