高盛:DRAM漲勢(shì)將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

　　據(jù)外電報(bào)道，高盛判斷，DRAM價(jià)格漲勢(shì)可能在未來幾季降溫， 2018年價(jià)格也許會(huì)轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評(píng)等。

　　巴倫周刊8日?qǐng)?bào)導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報(bào)告表示，過去四個(gè)季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗(yàn)顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢(shì)代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價(jià)格高點(diǎn)，比以往更高。

　　Delaney強(qiáng)調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)的成長(zhǎng)動(dòng)能放緩，價(jià)格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價(jià)格走升，供給緩慢提高，當(dāng)前較易取得貨源。 Delaney并稱，DRAM投資大增，未來價(jià)格壓力將加劇。 過去兩季，DRAM資本設(shè)備支出大增46%。

　　盡管Delaney擔(dān)憂DRAM利潤(rùn)的上行空間有限，但是他未全盤看壞美光，指稱該公司研發(fā)64層3D NAND等，為正面發(fā)展。

　　8日高盛報(bào)告發(fā)布后，美光股價(jià)一度下跌2.5%，之后跌幅縮小至0.50%、收在28.06美元。 今年迄今美光大漲28.01%。

　　三星電子的南韓華城廠，即將擴(kuò)產(chǎn)的傳聞延燒許久。 最新消息顯示，三星決定投資3兆韓圜(約26.4億美元)提升DRAM產(chǎn)能。 不過由于未來11線不再生產(chǎn)DRAM，產(chǎn)能一增一減之下，應(yīng)該不至于沖擊DRAM供給。

　　韓媒etnews 2日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界消息指出，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門將擴(kuò)充華城廠17線的DRAM產(chǎn)能，生產(chǎn)10nm等級(jí)的DRAM。 三星已告知設(shè)備廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，并在三月份向部分供應(yīng)商下單，估計(jì)投資金額約為2.5兆~3兆韓圜，完工后每月增產(chǎn)3.5萬片300公厘的硅晶圓，預(yù)定今年下半初步生產(chǎn)。