傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達(dá)219.5億美元

　　三星登上全球半導(dǎo)體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。

　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測，三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。

　　存儲器目前供不應(yīng)求，也是三星今年布局的重點(diǎn)，預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約 108 億美元)，非存儲器部門(包含晶圓代工)則占 8 兆韓圜。

　　業(yè)界消息指出，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門將擴(kuò)充華城廠 17 線的 DRAM 產(chǎn)能，生產(chǎn) 10 納米等級的 DRAM。三星已告知設(shè)備廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，并在 3 月向部分業(yè)者下單，估計(jì)投資金額約為 2.5~3 兆韓圜，完工后每月增產(chǎn) 3.5 萬片 300 公厘的硅晶圓，預(yù)定今年下半初步生產(chǎn)。

　　三星華城廠為綜合晶圓廠，17 線生產(chǎn) DRAM、11 線生產(chǎn)影像傳感器和 DRAM、16-2 線生產(chǎn) 3D NAND flash、S3 線生產(chǎn) 10 納米系統(tǒng)半導(dǎo)體。

　　三星 NAND 快閃存儲器量產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)先，分析師看好三星借由新增投資，可趁機(jī)擴(kuò)大市占率。市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 數(shù)據(jù)顯示，三星 2016 年第四季 NAND 存儲器營收市占達(dá) 37.1%，遙遙領(lǐng)先第二名東芝的 18.3%。

　　市調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 月初公布報(bào)告指出，如果存儲器持續(xù)漲價，三星最快于第二季取代英特爾成為全球半導(dǎo)體龍頭。