使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)之二

在本系列第一部分，我們探討了兩種類(lèi)型的QDR-IV存儲(chǔ)器、時(shí)鐘、讀/寫(xiě)操作和分組操作。在第二部分，我們將探討總線(xiàn)轉(zhuǎn)換、總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)、地址奇偶校驗(yàn)等重要的總線(xiàn)問(wèn)題。

總線(xiàn)轉(zhuǎn)換的注意事項(xiàng)
總線(xiàn)轉(zhuǎn)換時(shí)間非常重要，其決定了讀和寫(xiě)指令間是否需要額外的間隔來(lái)避免在同一個(gè)I/O 端口上發(fā)生總線(xiàn)沖突。

想象下QDR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫(xiě)指令和讀指令。從CK 信號(hào)的上升沿（與初始化寫(xiě)指令周期相對(duì)應(yīng)）算起，在整整三個(gè)時(shí)鐘周期后向DQA 引腳提供寫(xiě)數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)則將在下一個(gè)周期發(fā)送，因?yàn)?DQ從CK 信號(hào)的上升沿（與初始化讀指令的周期相應(yīng)）算起五個(gè)時(shí)鐘周期后才能獲得數(shù)據(jù)。此外，為符合總線(xiàn)轉(zhuǎn)換時(shí)間和傳輸時(shí)延（從ASIC/FPGA 到QDR IV 存儲(chǔ)器），還有兩個(gè)額外周期。因此，啟動(dòng)寫(xiě)指令后，可以立即啟動(dòng)讀指令。

在其他情況下，如果先啟動(dòng)讀指令后啟動(dòng)寫(xiě)指令，那么發(fā)送讀指令經(jīng)過(guò)三個(gè)時(shí)鐘周期后，才能發(fā)送寫(xiě)指令。這是因?yàn)?，從在時(shí)鐘信號(hào)CK 的上升沿上對(duì)讀指令進(jìn)行采樣算起，經(jīng)過(guò)五個(gè)周期后可獲得DQA 引腳上的讀數(shù)據(jù)，并且從在時(shí)鐘信號(hào)CK 的上 升沿上對(duì)寫(xiě)指令進(jìn)行采樣算起，在整三個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)向DQA 引腳提供寫(xiě)數(shù)據(jù)。否則，將會(huì)發(fā)生總線(xiàn)沖突。因此，發(fā)送寫(xiě)指令后的最小時(shí)鐘周期應(yīng)該為RL – WL + 1（RL：讀時(shí)延；WL：寫(xiě)時(shí)延；這兩個(gè)時(shí)延的單位為時(shí)鐘周期數(shù)）。另外一個(gè)時(shí)鐘周期用于正確捕獲數(shù)據(jù)并補(bǔ)償總線(xiàn)轉(zhuǎn)換時(shí)延（通常為一個(gè)時(shí)鐘周期）。

如果傳輸時(shí)延大于總線(xiàn)轉(zhuǎn)換時(shí)延，那么‘讀到寫(xiě)’指令間的間隔為：

“讀到寫(xiě)”指令間的時(shí)間周期 = 讀時(shí)延 – 寫(xiě)時(shí)延 + 1 + 傳輸時(shí)延

請(qǐng)參考圖7。發(fā)送讀指令經(jīng)過(guò)四個(gè)時(shí)鐘周期后，將發(fā)送端口A 的寫(xiě)指令。這樣是為了避免因讀/寫(xiě)時(shí)延、總線(xiàn)轉(zhuǎn)換時(shí)間和傳輸時(shí)延間的差別而導(dǎo)致的總線(xiàn)沖突。

圖7. QDR-IV HP SRAM時(shí)序分析圖

總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)
QDR-IV 器件支持總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)以降低切換噪聲和I/O功耗。在存儲(chǔ)事務(wù)處理中，存儲(chǔ)器控制器和QDR-IV都可以選擇應(yīng)用總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)。

由于QDR-IV 器件的POD 信令模式為I/O 信號(hào)提供了到VDDQ 的高壓終端選項(xiàng)，所以信號(hào)轉(zhuǎn)為高電平邏輯狀態(tài)不會(huì)耗電。因此，總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)對(duì)于POD I/O 信號(hào)是一個(gè)很重要的性能。QDR-IV 會(huì)保證翻轉(zhuǎn)地址和數(shù)據(jù)總線(xiàn)的數(shù)據(jù)完整性。

使用芯片配置寄存器來(lái)啟用或禁用地址和數(shù)據(jù)總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)功能。

地址總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)
AINV 是雙倍數(shù)據(jù)速率信號(hào)，每次將地址發(fā)送給存儲(chǔ)器器件時(shí)都會(huì)更新該信號(hào)。AINV 引腳指示是否對(duì)地址總線(xiàn)（An –A0）和AP 進(jìn)行了翻轉(zhuǎn)。AINV 是高電平有效信號(hào)。當(dāng)AINV = 1 時(shí)，將翻轉(zhuǎn)地址總線(xiàn)；當(dāng)AINV = 0 時(shí)，不翻轉(zhuǎn)地址總線(xiàn)。AINV 引腳的功能由存儲(chǔ)器控制器控制。

地址總線(xiàn)和地址奇偶位都被視為地址組（AG）。

表5顯示的是AG 定義以及x18 和x36 QDR-IV 選項(xiàng)的AINV 設(shè)置條件。

表5. 地址總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)條件

x36器件示例

不進(jìn)行地址總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)：
假設(shè)要訪(fǎng)問(wèn)的地址分別為22’h 000199和22’h 3FFCFF。17個(gè)地址引腳需要在第一個(gè)和第二個(gè)地址的邏輯狀態(tài)間進(jìn)行切換，如下表所示（紅色單元格顯示）。這樣會(huì)增大地址引腳上的切換噪聲、I/O電流以及串?dāng)_。

表6. 地址總線(xiàn)序列（未進(jìn)行總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)）

進(jìn)行地址總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)：
根據(jù)表5顯示，第一個(gè)地址組（22h 000199）滿(mǎn)足翻轉(zhuǎn)邏輯條件。因此，存儲(chǔ)器控制器發(fā)送第一個(gè)地址組前，它會(huì)將地址組從22’h 000199翻轉(zhuǎn)為22’h 3FFE66，并將AINV引腳置為1。由于不需要翻轉(zhuǎn)第二個(gè)地址組，所以存儲(chǔ)器控制器可以將其直接發(fā)送，并將AINV設(shè)置為0。

下表顯示的是地址總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)的結(jié)果。在這種情況下，只有5個(gè)地址引腳需要切換邏輯（紅色單元格顯示）。切換位的總數(shù)降低為5，所以降低了由于同時(shí)切換輸出（SSO）而引起的噪聲、I/O電流以及串?dāng)_。

表7. 地址總線(xiàn)序列（進(jìn)行總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)）

數(shù)據(jù)總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)

數(shù)據(jù)總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)在數(shù)據(jù)線(xiàn)路中也類(lèi)似，但翻轉(zhuǎn)位由存儲(chǔ)器控制器在存儲(chǔ)器寫(xiě)操作期間生成，并且翻轉(zhuǎn)位由QDR-IV存儲(chǔ)器中的翻轉(zhuǎn)邏輯在存儲(chǔ)器讀操作期間生成。

DINVA和DINVB引腳指示了是否翻轉(zhuǎn)相應(yīng)的DQA和DQB引腳。DINVA和DINVB均為高電平有效信號(hào)。當(dāng)DINV = 1時(shí)，將翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)總線(xiàn)；當(dāng)DINV = 0時(shí)，不翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)總線(xiàn)。

DINVA[1]和DINVA[0]相互獨(dú)立并控制與其相應(yīng)的DQA組。DINVA[0]控制DQA[17:0]（對(duì)于x36的配置）或DQA[8:0]（對(duì)于x18的配置）。DINVA[1]控制DQA[35:18]（對(duì)于x36的配置）或DQA[17:9]（對(duì)于x18的配置）。同樣，DINVB[0]控制x36配置中的DQB[17:0]或x18配置中的DQB[8:0]。DINVB[1]控制x36配置中的DQB[35:18]或x18配置中的DQA[17:9]。

表8顯示的是DINV位說(shuō)明以及x18和x36 QDR-IV選項(xiàng)的DINVA設(shè)置條件。

表8. 數(shù)據(jù)總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)條件

注意：可以對(duì)DINVA[1]、DINVB[0]以及DINVB[1]使用相同的翻轉(zhuǎn)邏輯，以便控制相應(yīng)的DQ組。

x18器件的示例

不進(jìn)行數(shù)據(jù)總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)：
假設(shè)需要分別發(fā)送DQA[8:0]上的9’h 007和9’h 1F3。6個(gè)數(shù)據(jù)引腳需要在第一個(gè)和第二個(gè)DQA[8:0]位的邏輯狀態(tài)之間進(jìn)行切換，如下表所示（紅色單元格顯示）。這樣會(huì)增大數(shù)據(jù)引腳上的切換噪聲、I/O電流以及串?dāng)_。

表9. 數(shù)據(jù)總線(xiàn)序列（不進(jìn)行總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)）

進(jìn)行數(shù)據(jù)總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)：

根據(jù)表8，第一個(gè)DQA[8:0]滿(mǎn)足翻轉(zhuǎn)邏輯條件。因此，存儲(chǔ)器控制器發(fā)送第一個(gè)DQA[8:0]前，它會(huì)將引腳地址從9’h 007翻轉(zhuǎn)為9’h 1F8，并將DINVA[0]引腳設(shè)置為1。由于第二個(gè)DQA[8:0]不需要翻轉(zhuǎn)，所以存儲(chǔ)器控制器可以直接發(fā)送它，并將DINVA[0]設(shè)置為0。

表10顯示的是數(shù)據(jù)總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)的結(jié)果。在這種情況下，只有3個(gè)數(shù)據(jù)引腳需要切換邏輯（紅色單元格顯示）。切換位的總數(shù)降低為3，所以降低了SSO的噪聲、I/O電流以及串?dāng)_。

表10. 數(shù)據(jù)總線(xiàn)序列（進(jìn)行總線(xiàn)翻轉(zhuǎn)）

地址奇偶校驗(yàn)

QDR-IV只有一條地址總線(xiàn)，但其以雙倍數(shù)據(jù)速率和高頻率運(yùn)行。因此，地址奇偶校驗(yàn)輸入（AP）和地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤標(biāo)志輸出（PE＃）引腳提供了片上地址奇偶校驗(yàn)功能，以便能夠確保地址總線(xiàn)完整性。地址奇偶校驗(yàn)功能是可選的；可以使用配置寄存器來(lái)啟用或禁用它。

通過(guò)該AP引腳可以在各地址引腳（An到A0）上進(jìn)行偶校驗(yàn)。設(shè)置AP值，使AP和An-A0中邏輯“1”的總數(shù)為偶數(shù)。

對(duì)于數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度為x18的器件，設(shè)置AP值，使A[21:0]和AP中邏輯“1”的總數(shù)為偶數(shù)。

對(duì)于數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度為x36的器件，設(shè)置AP值，使A[20:0]和AP中邏輯“1”的總數(shù)為偶數(shù)。

器件的示例
以數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度為x36的器件的21’h1E0000和21’h1F0000地址為示例。表11顯示的是如何為每個(gè)地址設(shè)置AP值。

表11. 地址奇偶功能

當(dāng)發(fā)生奇偶錯(cuò)誤時(shí)，在配置寄存器4、5、6和7中（請(qǐng)查看相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)，了解有關(guān)配置寄存器的更多信息）記錄第一個(gè)錯(cuò)誤的完整地址以及端口A/B錯(cuò)誤位和地址翻轉(zhuǎn)位。端口A/B錯(cuò)誤位表示發(fā)生地址奇偶錯(cuò)誤的端口：0表示端口A，1表示端口B。持續(xù)鎖存該信息，直到向配置寄存器3中的地址奇偶錯(cuò)誤清除位寫(xiě)入1來(lái)清除該信息為止。

通過(guò)兩個(gè)計(jì)數(shù)器，可以表示是否發(fā)生了多個(gè)地址奇偶錯(cuò)誤。端口A錯(cuò)誤計(jì)數(shù)是端口A地址上奇偶錯(cuò)誤數(shù)量的運(yùn)行計(jì)數(shù)器。同樣，端口B錯(cuò)誤計(jì)數(shù)是端口b地址上奇偶錯(cuò)誤數(shù)量的運(yùn)行計(jì)數(shù)器。每個(gè)計(jì)數(shù)器獨(dú)立計(jì)數(shù)到最大值（3），然后將停止計(jì)數(shù)。這些計(jì)數(shù)器均是自由運(yùn)行的；對(duì)配置寄存器3的地址奇偶錯(cuò)誤清除位寫(xiě)入1，可將其復(fù)位。

檢測(cè)到地址奇偶錯(cuò)誤后，寫(xiě)操作就會(huì)被忽略，以防止損壞存儲(chǔ)器。但是，如果輸入地址錯(cuò)誤，仍會(huì)繼續(xù)執(zhí)行讀操作，但存儲(chǔ)器會(huì)發(fā)送出假數(shù)據(jù)。

PE#為低電平有效信號(hào)，表示地址奇偶錯(cuò)誤。檢測(cè)到地址奇偶錯(cuò)誤后，PE#信號(hào)在8個(gè)周期（QDR-IV XP SRAM）或5個(gè)周期（QDR-IV HP SRAM）內(nèi)被設(shè)置為0。它將保持置位狀態(tài)，直到通過(guò)配置寄存器清除了錯(cuò)誤為止。處理完地址翻轉(zhuǎn)便表示完成了地址奇偶檢查。

PE#轉(zhuǎn)為低電平后，會(huì)停止存儲(chǔ)器操作，并使用配置寄存器將PE#復(fù)位為高電平。此外，由于發(fā)生AP錯(cuò)誤的寫(xiě)操作也被阻止，所以需要向存儲(chǔ)器重新編寫(xiě)數(shù)據(jù)。

在本系列第三部分，我們將探討校正問(wèn)題，其中包括矯正訓(xùn)練、控制/地址校正和讀寫(xiě)校正，以及糾錯(cuò)碼（ECC）和QDR-IV存儲(chǔ)器控制器的設(shè)計(jì)建議。