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64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點」?

作者: 時間:2017-06-22 來源:eettaiwan 收藏

  64層的3D 正跨越較平面更具成本效益的門坎,預計將在未來18個月內成為市場主流...

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201706/360847.htm

  Western Digital(WD)內存技術執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出,64層的3D 正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。

  在最近接受《EE Times》的訪問中,Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術」(seminal technology),可望應用于WD逾50種產品線。 他預計今年WD約有一半的產品線都將采用3D NAND,其中有75%都是64層3D NAND。 「64層是我們認為具有2D NAND成本競爭力的起點。 」

  WD日前發(fā)布據(jù)稱是首款采用64層3D NAND技術打造的客戶端固態(tài)硬盤(SSD)。 WD Blue 3D NAND SATA SSD針對的是DIY玩家、經銷商和系統(tǒng)制造商,而SanDisk Ultra 3D SSD則針對想要提升PC效能的游戲與創(chuàng)意玩家。 Sivaram說,64層3D NAND最初主要應用在高階消費裝置,并逐漸擴展至下游的行動裝置與嵌入式系統(tǒng),最后才是企業(yè)應用。 Sivaram說:「企業(yè)需要更長的時間才會開始導入。 」

  

 

  WD認為64層3D NAND將從游戲與繪圖密集型PC用SSD等高階消費裝置開始,逐漸擴展至廣泛的產品應用。

  對于WD而言,64層3D NAND目前已經比其最佳的2D NAND更便宜了。 Sivaram表示:「雖然不是每一家廠商都在做能做到64層3D NAND,但都能迅速地導入大家的進度都很快。 」WD已經為其零售市場限量生產了48層3D NAND,但該技術尚稱不上是成熟的節(jié)點,而32層也只是在內部實現(xiàn),「這是一個必經的學習步驟,」他說。

  他說,15nm 2D NAND是一種「極其活躍」的微影技術。 「而當你采用3D NAND,線距會變得較寬松,它就不需要像15nm技術那樣仰賴微影技術了。 」

  然而,以所需要的新工具以及制造技術的觀點來看,3D NAND仍十分昂貴。 Sivaram表示,64層恰好位于獲得更多位以平衡成本增加的交叉點。 「但即使是64層,每單元3位是基本要求,」他說,「只要恰當?shù)匾悦繂卧?位打造,就會比其他架構更便宜。 」

  Sivaram表示,64層3D NAND將在未來18個月內成為市場主流。 他并指出,WD自去年此時即已開始提供樣品了。 他并不愿討論WD與東芝(Toshiba)之間不確定的未來關系是否會影響其3D NAND的生產,也未詳細說明公司在64層3D NAND之后的開發(fā)藍圖。

  Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示,3D NAND的下一步可能就是字符串(string stacking)。 這是指將單獨的3D NAND組件彼此層層堆棧在一起,而無論它是32、48或64層,共同打造96或128層的堆棧。 他說,「理論上,它可能需要64層的倍數(shù),但目前還不知道能達到什么程度。 」

  Handy說,隨著堆棧的層數(shù)增加,深寬比也是如此,使得準確蝕刻孔徑變得更加困難。 Sivaram說:「此外,還有其他的問題,但深寬比的問題才真正令人煩惱。 」

  String stacking技術則可實現(xiàn)一連串深寬比為60的孔徑,取代單個120或240深寬比的孔洞。 「每個人都想知道的是何時才具有足夠的經濟效益,得以從3D NAND過渡到其他替代技術。 」

  自從SanDisk說ReRAM將在三個世代后取代NAND,時間已經過了近十年。 Handy補充說:「但如今每個人都在出貨第三代3D NAND,并出樣第四代產品。 3D NAND存在的時間可能比原先的預期更長久。 」

  

  16nm 128Gb TLC平面NAND以及32層TLC 384Gb 3D NAND的比較 (來源:Objective Analysis)

  他說,層數(shù)增加的速度也比預期的更快。 「尤其是低層數(shù)組件無法符合成本目標的事實,使得層數(shù)增加的速度更快。 3D NAND的重點就在于它應該比平面更便宜,而較低層數(shù)的組件則否。 」Handy指出,WD和美光(Micron)積極投入生產顯示,他們已為其3D NAND創(chuàng)造了獲利途徑。 而三星(Samsung)是否采用與WD、美光一樣的技術打造其 3D NAND,目前并不得而知。

  Handy預測,大約要到2018年中期,3D NAND才能真正達到成本和量產目標。 「多年來,我們一直這么認為。 但3D NAND仍然未能實現(xiàn)其成本目標,也還不足以進行量產。 預計還得等到更有利可圖才行。 」

  此外,Handy認為,即使東芝3D NAND業(yè)務的所有權變化,也不會改變太多的市場樣貌。 「盡管名稱改變了,但市場上仍然是那些廠商。 」無論如何,WD仍將采用SanDisk/東芝的技術制造閃存,「問題是在誰從中獲利? 」



關鍵詞: NAND 堆棧

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