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2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

作者: 時間:2017-06-26 來源:材料深一度 收藏

  什么是?

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201706/360949.htm

  是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

  設(shè)備主要用于半導體材料襯底的外延生長,是LED以及半導體器件的關(guān)鍵設(shè)備。

  根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從2016年的6.148億美元增加到2021年的11.628億美元?!?/p>

 

  首席分析師Sunil Kumar Singh指出,推動MOCVD市場增長的原因有多種,其中最重要的原因是全球LED市場中高亮度LED的需求增長。而且LED成本的降低也使得其在照明市場中的應(yīng)用增加。

  其次,可持續(xù)性能源的需求在慢慢增長,這也促使了MOCVD的需求增加。因為制造商會使用MOCVD生產(chǎn)更高效的光伏電池來最大化光電轉(zhuǎn)換效率。

  根據(jù)Technavio統(tǒng)計,推動MOCVD市場快速增長三大原因如下:

  1.能源保護需求的上升

  目前,許多供應(yīng)商為了節(jié)能的目的,生產(chǎn)了大量的功率電子設(shè)備。因此供應(yīng)商熱衷于提高能量密度,這導致了設(shè)備效率的提升,從而使得客戶更加重視能源保護。同時,石油等非可持續(xù)性能源的消耗和成本上升也會導致新能源市場的增長。

  2.高功率器件的出現(xiàn)

  目前,消費者對于新一代電子設(shè)備擁有了更多的要求,人們普遍希望他們能夠使用到更快、更強、更加節(jié)能的產(chǎn)品。但是由于硅自身的材料性能限制, 無法滿足這些用戶的需求。

  基于氮化鎵()這類第三代半導體的設(shè)備提供了更多的可能性,同時擁有功率和節(jié)能方面的出色性能。

  3.亞太地區(qū)MOCVD的使用率上升

  由于亞太地區(qū)(尤其是中國)增長的照明需求和當?shù)氐恼畬τ贛OCVD的補貼推動了全球MOCVD市場的發(fā)展。LED器件和照明燈具的需求大大刺激了MOCVD的使用率上升。



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