存儲市場缺貨嚴重 美光是如何謀劃的?
美光估算DRAM供應
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201707/361286.htmDRAM行業(yè)供應情況
存儲行業(yè)的玩家無法控制DRAM需求,因為它受到終端消費者需求的控制,這是難以預測的。但他們可以控制供應。
多年來,DRAM市場從30家供應商整合到3家:三星、SK Hynix和Micron。只有幾個行業(yè)參與者,可以保持供應紀律,因為他們分享了類似的需求環(huán)境。
美光預計到2020年,DRAM行業(yè)的復合年增長率為15.0%-20.0%。
有紀律的資本支出并不能阻止下滑
供應商沒有計劃在2017年增加新的DRAM生產(chǎn)能力。任何容量擴張將來自技術(shù)轉(zhuǎn)型。這將導致2017年DRAM供應邊際增長,反過來又將抬升DRAM價格。
但是,這不同于3年前的情況。在摩根大通技術(shù)媒體與電訊會議上,美光首席財務官Ernest Maddock以2014年上市周期為例。
2014年,SK海力士的DRAM設備的火災使得市場上出現(xiàn)了大量缺貨。第二名,Micron正在鞏固日本Elpida Memory的業(yè)務,這減慢了供應增長。這就推動了三星的供應負擔。
三星解釋說,供需缺口有所不同,競爭對手無法滿足需求。這樣就帶來了新的網(wǎng)絡容量。SK海力士和美光在2015年中期解決了他們的產(chǎn)能問題。
然而,增加的DRAM容量遇到PC業(yè)務的意外下滑,導致DRAM供大于求。雖然能力擴張計劃好,但卻不能防止供過于求的情況。
競爭對手能否擴大DRAM產(chǎn)能?
在美銀美林2017全球技術(shù)大會上,馬多克解釋說,諸如低借款成本和高DRAM價格等暫時性因素并不會影響供應商的資本支出。
他解釋說,新的DRAM設備上線將需要數(shù)十億美元,至少需要兩年時間。一旦容量上線,就可以在未來10~15年內(nèi)產(chǎn)生回報。因此,產(chǎn)能擴張的決定受到需求的影響,工廠的規(guī)模取決于需求的強度。
麥克多克表示,如果Micron認為PC需求每年增長5.0%,智能手機需求將會加速,Micron可能會考慮擴大其DRAM產(chǎn)能。
事實上,美光對DRAM需求的增長并不樂觀,因此不會投資于新的產(chǎn)能。它更愿意投資新技術(shù),以促進增長。我們將在下一部分分析一下。
美光的DRAM資本支出
技術(shù)轉(zhuǎn)型推動DRAM供應增長
美光科技預計到2020年,DRAM行業(yè)的供應量平均年增長率為15.0%-20.0%,主要增長動力源于技術(shù)轉(zhuǎn)型。美光公司的首席財務官Ernest Maddock預計供應將在此范圍的低端發(fā)展,因為每個高級節(jié)點產(chǎn)生的增量都較少。
技術(shù)轉(zhuǎn)型如何限制供應
在納斯達克第36次投資者大會上,Maddock解釋說,先進技術(shù)不會產(chǎn)生更多的晶圓。
DRAM設備可以在20nm(納米)節(jié)點上處理100個晶片。當設施轉(zhuǎn)移到18納米節(jié)點時,晶粒尺寸縮小,每晶圓位數(shù)可能增加25.0%-30.0%。
隨著模具尺寸的縮小,設備必須在模具上沉積更多層,并蝕刻細紋理的幾何形狀。這增加了在蝕刻過程中花費的時間。因此,相同的設備處理較少的晶圓,代替100個晶圓,先進的節(jié)點可以蝕刻95個晶圓。然而,每晶圓的位數(shù)會增加。
每個節(jié)點收縮使得總體位數(shù)在增加,但由于更少的晶圓被蝕刻,所產(chǎn)生的增加位數(shù)正在下降。一家公司可以通過添加更多設備來處理100個晶圓。
Micron的DRAM資本支出在哪里?
隨著存儲市場的成熟,資本密集度降低,這意味著與回報相比,花費的資本少。雖然美光在DRAM收入中所占的收益超過了60.0%,但其資本支出占DRAM的40.0%-50.0%。
在未來的兩三年內(nèi),美光計劃花費20億美元將其日本(EWJ)工廠轉(zhuǎn)換為DRAM中心。它計劃開發(fā)用于智能手機、數(shù)據(jù)中心和自駕車的下一代存儲芯片。Nvidia和英特爾的主要客戶將其產(chǎn)品集中在AI 上,將專注于開發(fā)適用于AI應用的高端DRAM產(chǎn)品。
另一方面,三星在韓國的一個新的DRAM工廠投入了87億美元。
接下來,我們將看看NAND市場。
美光的NAND需求展望
DRAM的需求預計將以年均20.0%的速度增長,到2020年將以15.0%~20.0%的速度增長。另一方面,NAND市場可能會比DRAM增長快速。
NAND市場占存儲市場的30.0%,即480億美元。在NAND市場中,320億美元用于非存儲產(chǎn)品,而160億美元用于SSD(固態(tài)硬盤)。NAND市場主要由美光、SK海力士和西數(shù)(WDC)-Toshiba合資公司把持。
目前,所有NAND玩兒家正在進行從平面到3D NAND的技術(shù)轉(zhuǎn)換。三星和美光在3D NAND市場上處于領(lǐng)先地位,其他的也在追趕。他們大多數(shù)可以在2017年下半年投入量產(chǎn)。TrendForce預計3D NAND將在第三季度占總體行業(yè)NAND產(chǎn)量的50.0%以上。
由于需求不斷增加,向3D NAND的過渡形成了NAND供應不足的局面。
NAND需求前景
美光預計,2016~2020年,NAND的年復合增長率為45.0%。這主要得益于SSD和移動領(lǐng)域的強勁需求。
SSD
美光預計,2016~2020年SSD需求將增長超過50.0%。由于SSD更快、更耐用、功耗更高、存儲容量更高,因此SSD是HDD(硬盤驅(qū)動器)的直接競爭性替代品。雖然SSD在筆記本電腦和服務器中的采用率已經(jīng)上升,但仍然有很大的市場等待挖掘。
像SanDisk和Micron這樣的存儲制造商已經(jīng)在供應鏈中拓展產(chǎn)能,開始制造SSD,而不是為SSD提供閃存。
移動
另一個重要的需求驅(qū)動是移動NAND。正如我們在本系列的其他部分所看到的,每個智能手機的內(nèi)存容量正在顯著增加。即使是基本的移動設備也有較高的內(nèi)存。美光預計2016~2020年移動NAND需求將增長40.0%~50.0%。
由于美光在移動NAND市場中占有的份額很小,因此供應環(huán)境緊張,導致其他移動NAND制造商無法滿足市場需求,因此有充足的機會增加其市場份額。蘋果在2017年推出其下一款iPhone時,可能會占據(jù)整體NAND產(chǎn)能的主要部分。
接下來,我們來看看NAND供應環(huán)境。
美光對NAND供應的看法
由于存儲和移動市場的強勁增長,美光科技預計3D NAND需求將大幅增長。NAND市場在2017上半年的供貨量增長放緩后,平面NAND容量下降,主要精力都在安裝3D NAND設備上。
這使得NAND市場供應緊張。然而,隨著行業(yè)玩兒家將3D NAND產(chǎn)品上線,供應可能在2017年下半年有所改善。
NAND市場的資本支出
三星計劃在2017年7月在韓國新建工廠,開始生產(chǎn)其64層NAND芯片。東芝和西部數(shù)據(jù)的合資企業(yè)計劃在2017年下半年開始生產(chǎn)64層3D NAND芯片。在生產(chǎn)36層和48層3D NAND芯片后,SK海力士推出了其72層3D NAND產(chǎn)品,并計劃于2017年下半年開始批量生產(chǎn)72層芯片。
美光已經(jīng)將超過50.0%的NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為3D NAND,并計劃在2017年第三季度將其增長到75.0%。
新產(chǎn)能導致NAND供應過剩?
美光公司首席財務官Ernest Maddock并不期望在2017下半年推出新的3D NAND產(chǎn)品,從而在未來的12~18個月內(nèi)創(chuàng)造供大于求的情況。由于蘋果對其下一款iPhone的需求強勁,而SSD供應商的需求也在不斷增加,他預計所有新產(chǎn)能將被吸收。
在美銀美林2017全球技術(shù)大會上,Maddock表示,3D NAND技術(shù)需要高額的資本支出,因為技術(shù)是新的。隨著技術(shù)的成熟,其資本密集度將逐漸減弱。
下面,我們將介紹美光的3D NAND戰(zhàn)略。
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