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1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

作者: 時間:2017-07-27 來源:紅德智庫觀察 收藏
編者按:自1970年,美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來,已經(jīng)過去47年,美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進(jìn)來,卻在輸光光之后黯然離場。目前,只有韓國三星和海力士,占據(jù)絕對壟斷地位,在DRAM市場呼風(fēng)喚雨,賺得盆滿缽滿。

  這張照片展示了一堆古董內(nèi)存。從上到下是:采用三星顆粒的兩根32M 72針內(nèi)存,韓國生產(chǎn)。中間是新加坡NCP的256M PC133 S內(nèi)存。最下面是采用英飛凌顆粒的64M PC133 S內(nèi)存,葡萄牙生產(chǎn)。其中NCP是新加坡赫克松(Hexon)集團(tuán)的內(nèi)存品牌。赫克松成立于1989年,是德國英飛凌和日本爾必達(dá)的亞太區(qū)總代理,因此采購兩家的DRAM顆粒,到新加坡組裝成內(nèi)存條,然后銷售到中國大陸,靠價格低廉取勝。不過時至今日,德國英飛凌(奇夢達(dá))和日本爾必達(dá),都已經(jīng)破產(chǎn)倒閉。只剩下了韓國三星獨霸江湖。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201707/362226.htm


1970-2017  DRAM芯片市場上的生死搏殺


  DRAM是動態(tài)隨機存儲器的意思,也就是電腦內(nèi)存。對于今天的消費者來說,電腦內(nèi)存只是些綠色的小條條,售價不過幾百元。然而這些小玩意,卻走過了長達(dá)120年的復(fù)雜演進(jìn)歷史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存。人們已經(jīng)很難想象,一個電冰箱大小的計算機存儲器,只能存儲幾K數(shù)據(jù),售價卻高達(dá)幾萬美元。在中國市場,1994年的時候,一根4M內(nèi)存售價1400元,相當(dāng)于兩個月工資。1999年臺灣921大地震,在北京中關(guān)村,一根64M SDRAM內(nèi)存條,價格可以在幾天內(nèi),從500元暴漲到1600元。

  自1970年,美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來,已經(jīng)過去47年。DRAM內(nèi)存芯片市場,累計創(chuàng)造了超過1萬億美元產(chǎn)值($1000,000,000,000美元)。企業(yè)間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進(jìn)來,卻在輸光光之后黯然離場。無數(shù)名震世界的產(chǎn)業(yè)巨頭轟然倒地。就連開創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM,也分別在1986年、1998年和1999年,凄慘地退出了DRAM市場。目前,只有韓國三星和海力士,占據(jù)絕對壟斷地位,在DRAM市場呼風(fēng)喚雨,賺得盆滿缽滿。

  從美國到韓國,這個巨大的轉(zhuǎn)變,背后隱藏著半個世紀(jì)以來,那些不為人知的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭,足以載入經(jīng)濟(jì)學(xué)教科書。把歐美和中國,那些冒牌經(jīng)濟(jì)學(xué)家,極力鼓吹的“自由市場經(jīng)濟(jì)”論調(diào),徹底掃進(jìn)垃圾堆。

  ——這是一場真正的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭,國與國之間的生死較量,慘烈程度遠(yuǎn)超液晶戰(zhàn)爭。


1970-2017  DRAM芯片市場上的生死搏殺


  1949年,美國哈佛大學(xué)實驗室的王安博士,發(fā)明磁芯存儲器。這種古老的存儲器一直使用到1970年代。直至被英特爾批量生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存淘汰。

  在敘述這場經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭前,我們先從總體上,了解一下DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的脈絡(luò)和現(xiàn)狀。

  電腦存儲器的發(fā)明者,幾乎都來自計算機巨頭——美國IBM公司。IBM的歷史最早可追溯到1890年代。美國統(tǒng)計學(xué)家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研制了穿孔制表機,采用在卡紙上打孔的方式,記錄統(tǒng)計數(shù)據(jù)。1890年,美國進(jìn)行第12次人口普查時,便大量采用這種機器。直到1930年代,IBM每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。

  1932年,IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek),發(fā)明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器,稱為“磁鼓存儲器”。直到1950年代,磁鼓依然是大型計算機的主要存儲方式。1956年,IBM公司購買了中國人王安博士(上海人),擁有的“磁芯存儲器”專利。磁芯存儲一直使用至1970年代。1966年,IBM公司的研究人員,羅伯特·登納德博士,發(fā)明了半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存,并在1968年獲得專利。

  然后,1970年美國英特爾,依靠批量生產(chǎn)DRAM大獲成功,逼死了磁芯存儲器。1976年日本廠商進(jìn)攻DRAM市場后,差點將英特爾逼死。1985年美國發(fā)動經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭,扶植韓國廠商進(jìn)攻DRAM產(chǎn)業(yè),又將日本廠商逼死。1997年美國發(fā)動亞洲金融風(fēng)暴,差點將韓國廠商逼死。美國控制韓國經(jīng)濟(jì)后,韓國廠商又借著DRAM市場的暴利翻身崛起。此時不怕死的臺灣人沖進(jìn)DRAM市場,投入500億美元卻虧得血本無歸。2007年全球經(jīng)濟(jì)危機,逼死了德國廠商,并將臺灣DRAM廠商打翻在地,狠踩兩腳。2017年,不怕死的中國大陸廠商沖了進(jìn)來,準(zhǔn)備投資660億美元,進(jìn)攻DRAM市場。

  有人說,中國人瘋了。

  我說沒瘋,因為中國——做為世界第一大電子產(chǎn)品制造國,居然90%以上的內(nèi)存靠進(jìn)口,剩下那部分,居然連國產(chǎn)的產(chǎn)量,都控制在韓國企業(yè)手里。


1970-2017  DRAM芯片市場上的生死搏殺


  2015年,韓國三星電子投資136億美元(15.6萬億韓元),在韓國京畿道平澤市,建設(shè)12寸晶圓DRAM廠(Fab18)。該項目占地2.89平方公里,總產(chǎn)能預(yù)計將達(dá)到每月45萬片晶圓,其中3D NAND閃存芯片將占據(jù)一半以上。主要生產(chǎn)第四代64層堆疊3D NAND閃存芯片。2017年7月4日三星宣布該廠投產(chǎn)。


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