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新技術(shù)有望帶來計算機高速磁內(nèi)存

作者: 時間:2017-09-12 來源:新華社 收藏

  是已被使用數(shù)十年的存儲技術(shù),但它的一個問題是速度較低。瑞士研究人員報告說,找到了極大提高速度的方法,有望讓計算機在不久的將來用上高速的磁內(nèi)存,從而大大減少計算機啟動時間。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201709/364151.htm

  自從國際商用機器公司(IBM)于1956年推出第一個磁盤存儲器以來,器因其長壽命和低成本的優(yōu)勢,一直被用來存儲信息,比如作為計算機的硬盤。傳統(tǒng)磁存儲器通過帶電線圈產(chǎn)生的磁場變化來改變存儲介質(zhì)的磁性,從而實現(xiàn)存儲信息,但其速度跟不上越來越快的計算機處理器,難以用作對速度要求高的內(nèi)存。

  瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)材料系教授彼得羅·甘巴爾代拉領(lǐng)導(dǎo)的團隊在新一期英國《自然·納米技術(shù)》雜志上發(fā)表報告說,利用被稱為“自旋軌道轉(zhuǎn)矩”的物理現(xiàn)象,可以不用通電線圈,僅用通電的特殊半導(dǎo)體薄膜材料就能改變存儲介質(zhì)的磁性,從而實現(xiàn)磁存儲。

  該團隊用新方法改變了一個直徑約500納米的鈷金屬點的磁性,發(fā)現(xiàn)在給其附近的導(dǎo)線通電后,在不到1納秒的時間內(nèi),鈷金屬點的磁性就發(fā)生了改變。并且鈷金屬點可如此反復(fù)經(jīng)歷上萬億次的磁性變化,說明它可成為高速且耐用的存儲介質(zhì)。與傳統(tǒng)線圈方式的磁存儲器相比,新方法不僅速度快,還不會因為線圈的電阻而消耗能量,能效更高。

  研究人員說,這一新技術(shù)有望讓計算機的內(nèi)存用上磁存儲器。目前許多計算機的內(nèi)存采用電存儲器,關(guān)機斷電后內(nèi)存中的信息就會被清空,因此重新開機時需要較長時間。而磁存儲可以在斷電后仍然保留數(shù)據(jù),因此如果計算機用上磁內(nèi)存,有望大大減少開機啟動的時間。



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