半導體，中國的芯片設計產(chǎn)業(yè)需要怎樣突破？

　　漲價原因呢，主要還是Nor flash行業(yè)的大佬在逐漸退出，排名第三的美光退出NOR Flash業(yè)務，有可能被排名世界第四的臺灣華邦接手，排名第二的Cypress關閉中小容量的Nor Flash生產(chǎn)線，加上AMOLED面板對nor flash有需求，因此帶來行業(yè)景氣。

　　另外，兆易創(chuàng)新還做MCU(單片機)產(chǎn)品，用于汽車和物聯(lián)網(wǎng)，2016年兆易創(chuàng)新的MCU銷售收入為1.97億元，同比增長55.2%。

　　在內存和閃存領域，韓國擁有絕對的優(yōu)勢，而我國的長江存儲擔負起了打破韓國壟斷的使命。

　　存儲器領域，DRAM和NAND FLASH，韓國三星和海力士都絕對的霸主，尤其是三星。

　　韓國人在2017年的存儲器漲價中大賺特賺，三星電子2017年第一季度凈利潤高達67.8億美元，增長竟然高達46%，接近50%的瘋狂增長。到2017年第二季度，三星營收猛增19.8%，凈利潤增長89%，高達99億美元，不僅打破了自己的最高單季度凈利潤記錄，還首次超過了蘋果公司。

　　SK 海力士在2017年第一季度營收384億人民幣，同比增長72%，凈利潤達116億人民幣，同比增漲324%

　　華為上半年的閃存門事件，反應出中國在這方面的絕對弱勢地位。

　　DRAM是最大的存儲器領域，目前全球DRAM存儲器價格在瘋長，韓國人同樣在大賺特賺

　　2017年第二季度，三星電子、SK海力士、美光科技三家業(yè)內巨頭DRAM銷售額達44.3億美元，比上季度增長了30.1%。

　　其中三星電子銷售19.8億美元，比上季度增長36.5%，SK海力士銷售13.7億美元，增長28.2%，兩家企業(yè)市場份額合計占到全球的75.9%。美國美光銷售10.6億美元，增長22.0%，

　　下圖是2017年第一季度的全球市場份額，三星+SK海力士份額為73.5%，美國美光為21%，三巨頭為94.5%，剩下的臺灣三家廠商南亞科，華邦，力晶占了4.6%. 全球其他公司占了0.9%。

　　全球六強之外，在這個僅僅0.9%的市場份額里面，有一家中國小公司，北京矽成控股的ISSI，這是一家設計公司，在全球DRAM市場排在第八位，不過這個第八位，幾乎可以忽略不計。

　　兆易創(chuàng)新曾經(jīng)試圖收購ISSI，進入DRAM領域，畢竟Nor flash市場還是太小，不過根據(jù)2017年8月的消息，收購沒有成功，原因為兩個，一個是價格沒有談攏，另外一個是臺灣人的阻撓，排名世界第四的DRAM廠家臺灣南亞科是ISSI的代工廠，如果ISSI被兆易創(chuàng)新收購，南亞科將會停止提供服務。

　　不過在DRAM領域，ISSI太小了，即使兆易創(chuàng)新收購ISSI成功，也不可能對抗韓系廠家和美光。

　　而在NAND Flash市場，DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，三星、東芝、閃迪、海力士、美光和英特爾幾乎壟斷了全球100%的市場。尤其是三星和海力士，合計占了全球幾乎一半的份額。

　　我們可以明顯的看出，在DRAM和NAND FLASH領域，中國幾乎沒有存在感，在這個領域要突破，還是需要靠國家隊。之前誰說國企沒有用，只會搞壟斷來著?要是能在存儲器領域搞成壟斷，我看是好得很。

　　2015年7月，中國紫光集團曾經(jīng)向全球第三大DRAM廠商，美國美光科技，提出230億美元的收購要約。結果被拒絕，背后就是美國政府的阻撓。

　　為什么要收購美光呢?韓國太強大了，不管是DRAM領域還是NAND FLASH，美光相對于韓系的三星和海力士，都處于弱勢地位，尤其是在DRAM領域，美光的市場份額在韓國競爭下呈現(xiàn)不斷下跌的態(tài)勢，從2016年的28%下降到2017年上半年的18%左右。

　　從營業(yè)利潤率來看，三星DRAM的營業(yè)利潤率高達40%這個水平，美光只有20%這個水平，三星只要一降價，美光就是生死存亡，可以說三星完全掌握了美光的生死。

　　其實紫光和美光聯(lián)手研發(fā)，一邊有錢，一邊有技術，是中美雙贏的局面，奈何遏制中國的技術進步是美國更高層面的戰(zhàn)略，注定雙方聯(lián)合困難重重。雖然紫光至今沒有放棄和美光合作，但是目前已經(jīng)被逼迫走上自主研發(fā)制造的道路，沒有別的路可以走。

　　目前存儲器自主研發(fā)的國家隊是紫光集團控股的長江存儲。

　　2016年7月26日，長江存儲公司成立，紫光集團擁有51%的股份，另外的股份由國家大基金持有25%，湖北省地方政府的基金持有24%，武漢新芯公司為長江存儲的全資子公司。

　　武漢新芯公司是湖北省和武漢市政府2006年為了進軍集成電路制造領域而成立的研發(fā)+制造一體的企業(yè)，實際上武漢新芯2014年底已經(jīng)和美國的Cypress半導體公司開始聯(lián)合研發(fā)NAND Flash技術，但是業(yè)界并不看好，因為NAND Flash被三星，海力士，東芝，美光四家壟斷，不要說新芯公司研發(fā)實力不足，Cypress實力也不夠。

　　因此通過和Cypress和共同研發(fā)，武漢新芯已經(jīng)有一部分的自主研發(fā)力量，只是非常弱小，這是中國自主研發(fā)存儲器的火種。

　　長江存儲成立之后，由于大量資金注入，在堅持自主研發(fā)的同時，開始大量從臺灣和韓國挖人，如果留意最近的臺灣和韓國的科技新聞，會發(fā)現(xiàn)他們的媒體經(jīng)常抱怨半導體人才被中國以高薪誘惑流失。

　　紫光從臺灣挖了多少重量級人才過來呢?

　　紫光集團全球執(zhí)行副總裁高啟全，他是紫光集團董事長趙偉國2015年10月親自從臺灣挖過來的重量級人物，高啟全被稱為臺灣DRAM教父，他是本文前面提到的世界第一大NOR flash公司旺宏的創(chuàng)始人，同時也是臺灣第一，世界第四大DRAM公司南亞科的總經(jīng)理。同時還是南亞科和英飛凌的合資公司華亞科的董事長(華亞科目前已經(jīng)被美國美光并購)。是臺灣半導體產(chǎn)業(yè)的重量級人物。

　　很多臺灣媒體把高啟全和梁孟松相比，梁孟松從臺積電跳槽去了三星后，三星的代工制造業(yè)務突飛猛進，對臺積電造成了很大威脅，制程竟然反超了臺積電，優(yōu)先量產(chǎn)14nm，一度還分食了臺積電的蘋果芯片訂單。

　　2015年高啟全宣布退休后，加入紫光擔任全球執(zhí)行副總裁。被臺灣媒體視為和梁孟松一樣的叛將。

　　事實是，高啟全此人有無大中華情節(jié)不得而知，但是從他擔任紫光副總裁只有接受記者采訪的言論來看，他更多的是不滿在臺灣發(fā)展空間狹小，根本不可能對抗一生的敵人韓國三星。

　　高啟全今年接受記者采訪時對媒體說，

　　“1985年，英特爾正式退出DRAM領域，在經(jīng)歷了日本、韓國積極投入，后來者居上，韓國最終坐穩(wěn)了第一把交椅。臺灣在 2008 年成立臺灣創(chuàng)新內存(TMC/TIMC)計劃集中發(fā)展 DRAM 產(chǎn)業(yè)資源，但終究因為資金問題未能如愿，原本 5000 億新臺幣的資金需求，臺灣政府僅提供了 80億，遠遠達不到預期。

　　他強調，“現(xiàn)在唯一有機會成為全球抗衡三星勢力的只有大陸，紫光會把這夢化為具體的實踐!”一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力，目前只有大陸有能力有資金投入進來，長江存儲就是基于這個出發(fā)點而誕生，也是大基金唯一真正投資的存儲器企業(yè)?！?/p>

　　從高啟全的話可以反應出他內心的想法，就是要在產(chǎn)業(yè)里面做出一番事業(yè)，所以，只要我們提供的平臺夠大夠好，不管他是什么政治立場，一樣可以為我所用，臺灣的舞臺太小了。

　　除了高啟全，紫光集團還挖來了晨星創(chuàng)辦人楊偉毅出任紫光旗下長江存儲公司CTO，又延攬晶圓代工廠聯(lián)電前CEO孫世偉，擔任全球執(zhí)行副總裁一職。這兩位都是臺灣半導體業(yè)界鼎鼎有名的大佬級人物，像晨星，當年就是和聯(lián)發(fā)科并列的臺灣兩大芯片研發(fā)企業(yè)之一，后來晨星被聯(lián)發(fā)科吞并。

　　臺灣聯(lián)電更是臺灣僅次于臺積電的是第二大集成電路制造廠，2016年銷售額44.5億美元，對比下中芯國際2016年的銷售收入只有29億美元多點。

　　目前長江存儲在同時進行NAND FLASH和DRAM的研發(fā)，根據(jù)2017年4月高啟全接受記者采訪時透露，“長江存儲的研發(fā)團隊里面，美國人、日本人、南韓人都有，絕不是只有挖臺灣工程師，長江存儲內部是規(guī)定要用英文溝通，因為外籍主管很多，以國際化的規(guī)格在打造企業(yè)?！?/p>

　　現(xiàn)在的武漢新芯約1,200人，另外，長江存儲成立至今也招募將近700人，共計1900人左右。

　　長江存儲目前研發(fā)人員總共約500人，其中臺灣人約50名。

　　根據(jù)2017年9月的消息，長江存儲將會在美國設立研發(fā)中心，并且趁著日本東芝在處于出售狀態(tài)的機遇，挖角日本的存儲器研發(fā)人才，日本很多年輕的工程師，受制于日本職場論資排輩文化的壓制，薪資和發(fā)展通道上本有很多不滿，加上東芝已經(jīng)風雨飄搖自顧不暇，在中國高薪誘惑下，必然會有人加盟。

　　目前長江存儲的重心放在3D NAND flash的開發(fā)上面，同時也在推進20/18nm的DRAM開發(fā)。

　　NAND Flash肯定是長江存儲最先量產(chǎn)的產(chǎn)品，因為傳統(tǒng)2D轉3D NAND技術后，半導體機臺設備幾乎都要換新，所以這時候投入是對的，每一個存儲器陣營都站在同一個出發(fā)點。

　　而DRAM技術，每轉進新一代制程技術僅增加20%的半導體機臺設備，意思是，既存的半導體大廠的多數(shù)機臺設備都已經(jīng)折舊光了，新加入DRAM技術的人去買新設備來生產(chǎn)，成本非常貴，競爭力會很差。從這個角度而言，中國要做好在存儲器領域長期燒錢的準備。