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IGBT中錯(cuò)誤解決方法,三大案例破局

作者: 時(shí)間:2017-10-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  IGBT經(jīng)常被應(yīng)用在各類大功率電源當(dāng)中,其好壞關(guān)系到電路的性能。本文將為大家介紹在IGBT中應(yīng)用會(huì)遇見的一些問題,以及解決方法。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201710/366305.htm

  選用有效的過流保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路

  在IGBT的應(yīng)用中,關(guān)鍵是過流保護(hù)。IGBT能承受的過流時(shí)間僅為幾微秒,這與scr、gtr(幾十微秒)等器件相比要小得多,因而對(duì)過流保護(hù)的要求就更高了。IGBT的過電流保護(hù)可分為兩種類型,一種是低倍數(shù)(1.2~1.5倍)的過載電流保護(hù);

  另一種是高倍數(shù)(8~10倍)的短路電流保護(hù)。對(duì)于過載保護(hù)可采用瞬時(shí)封鎖門極脈沖的方法來實(shí)現(xiàn)保護(hù)。對(duì)于短路電流保護(hù),加瞬時(shí)封鎖門極脈沖會(huì)因短路電流下降的di/dt太大,極易在回路雜散電感上感應(yīng)出很高的集電極電壓過沖擊穿IGBT,使保護(hù)失效。

  因此對(duì)IGBT而言,可靠的短路電流保護(hù)應(yīng)具備下列特點(diǎn):

 ?。?)首先應(yīng)軟降柵壓,以限制短路電流峰值,延長(zhǎng)允許短路時(shí)間,為保護(hù)動(dòng)作贏得時(shí)間;

 ?。?)保護(hù)切斷短路電流應(yīng)實(shí)施軟關(guān)斷

  exb841、m57962和hl402b均能滿足以上要求。但這些驅(qū)動(dòng)器不能徹底封鎖脈沖,如不采取措施在故障不消失情況下會(huì)造成每周期軟關(guān)斷保護(hù)一次的情況,這樣產(chǎn)生的熱積累仍會(huì)造成IGBT的損壞。為此可利用驅(qū)動(dòng)器的故障檢測(cè)輸出端通過光電耦合器來徹底封鎖門極脈沖,或?qū)⒐ぷ黝l率降低至1hz以下,在故障消失時(shí)自動(dòng)恢復(fù)至正常工作頻率。

  如圖1所示,IGBT的驅(qū)動(dòng)模塊m57962l上自帶保護(hù)功能,檢測(cè)電路檢測(cè)到檢測(cè)輸入端1腳為15v高電平時(shí),判定為電流故障,立即啟動(dòng)門關(guān)斷電路,將輸出端5腳置低電平,使IGBT截止,同時(shí)輸出誤差信號(hào)使故障輸出端8腳為低電平,以驅(qū)動(dòng)外接保護(hù)電路工作,延時(shí)8~10μs封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào),這樣能很好地實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。經(jīng)1~2ms延時(shí)后,如果檢測(cè)出輸入端為高電平,則m57962l復(fù)位至初始狀態(tài)。

  

  圖1

  采用無感線路

  由前面的分析可知,相對(duì)于同樣的di/dt,如果減小雜散電感l(wèi)б的數(shù)值,同樣可以緩減關(guān)斷過程的dvce/dt。對(duì)于功率較大的IGBT裝置,線路寄生電感較大,可用兩條寬而薄的母排,中間夾一層絕緣材料,相互緊疊在一起,構(gòu)成低感母線,也有專門的生產(chǎn)廠家為裝置配套制作無感母線。無感母線降低電壓過沖的意義不僅為了避免過流或短路,還在于減輕吸收電路的負(fù)擔(dān),簡(jiǎn)化吸收電路結(jié)構(gòu),減少吸收電阻功耗,減少逆變器的體積。這也是很令人關(guān)注的問題。

  積極散熱

  IGBT在開通過程中,大部分時(shí)間是作為MOSFET來運(yùn)行的,只是在集射電壓vce下降過程后期,pnp晶體管由放大區(qū)至飽和區(qū),增加了一段延緩時(shí)間,使vce波形被分為兩段。IGBT在關(guān)斷過程中,MOSFET關(guān)斷后,pnp晶體管中的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除,使集電極電流波形變?yōu)閮啥?,造成集電極電流較大的拖尾時(shí)間。顯然,開通關(guān)斷時(shí)間的延遲會(huì)增加開關(guān)損耗,并且,每開通關(guān)斷一次損耗就會(huì)累加,如果開關(guān)頻率很高,損耗就會(huì)很大,除了降低逆變器的效率以外,損耗造成的最直接的影響就是溫度升高,這不僅會(huì)加重IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)的危險(xiǎn),而且,會(huì)延長(zhǎng)集電極電流的下降時(shí)間和集射電壓的上升時(shí)間,引起關(guān)斷損耗的增加。顯然,這是一個(gè)惡性循環(huán),因此,為IGBT提供良好的散熱條件是有效利用器件,減少損耗的主要措施。除了正確安裝散熱器外,安裝風(fēng)扇以增強(qiáng)空氣流通,可以有效的提高散熱效率。



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