TLV3501應(yīng)用電路及其電路圖

　　TLV3501管腳/引腳配置：

　　SO—8：腳1：NC

　　腳2：反相輸入端

　　腳3：同向輸入端

　　腳4：負電源輸入端

　　腳5：NC

　　腳6：輸出端

　　腳7：正電源輸入端

　　腳8：關(guān)斷信號控制端

　　對于SOT23-6封裝由上圖可以看出引腳1是由定向的包裝標記。 SO-8比SOT23-6封裝多了兩個NC引腳，NC引腳為空腳，沒有內(nèi)部的電路連接。

　　TLV3501應(yīng)用電路：

　　TLV3501和TLV3502均配備高速響應(yīng)，包括內(nèi)部的滯后，以提高抗噪性能與擴展0.2V超出電源軌的輸入共模范圍為6mV。

　　關(guān)斷

　　一個停機引腳允許器件進入空閑狀態(tài)時，它是不使用。當關(guān)斷引腳為高電平時，芯片的電流大約為2μA，輸出變?yōu)楦咦杩埂．旉P(guān)斷引腳為低電平時，TLV3501是有效的。當不使用TLV3501關(guān)機功能，只需連接關(guān)斷引腳到最負電源，如圖1。大約需要100ns的走出來的關(guān)斷模式。該TLV3502不具備關(guān)斷功能。

　　TLV3501應(yīng)用電路圖

　　工作電壓

　　TLV3501比較器用于指定從+2.7V至+5.5 V單電源(或±1.35V雙電源至±2.75V)在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)時芯片運行低于這個范圍時不是特定的性能。

　　增加外部遲滯

　　該TLV350x擁有強勁的性能與良好的布局使用性。然而，比較器輸入具有指定的偏移電壓(±5mV的)范圍內(nèi)的小抗干擾能力。對于緩慢移動的或有噪聲的輸入信號時，比較器輸出可以顯示多個開關(guān)作為輸入信號移動的開關(guān)閾值。在這種應(yīng)用中，TLV350x的內(nèi)部遲滯的可能為6mV或更大。在更大的抗噪性需要的情況下，外部滯后可通過添連接少量的反饋到正輸入。圖2顯示了用于引入額外的滯后為25mV，共計31mV滯后5V單電源供電時的典型拓撲?？倻笫怯上率?/p>

　　切換比較器的輸出所需要的轉(zhuǎn)變電壓的值，通過增大閾值區(qū)域，從而降低噪聲干擾。

　　過電壓保護

　　芯片的輸入會通過“靜電外釋”二極管，如果輸入電壓超過電源約300mV時將受到保護。瞬時電壓大于電源300mV是可以的，可以通過串聯(lián)一個小的電阻到芯片，將輸入電流限制在10mA，如圖3。

　　振蕩器

　　TLV350x可以很容易地配置為簡單和廉價的弛張振蕩器。在圖4中，R2的網(wǎng)絡(luò)設(shè)置在三分之一到三分之二的跳閘閾值。因為這是一個高頻電路，電阻器的值是相當?shù)?，以最小化電容的影響。三分之一的V +的三分之二之間的正輸入端候補取決于輸出是否低或高。充電時間(或放電)是0.69R1C。因此，該期間是1.38R1C。為62pF和圖4中所示1kΩas，輸出被計算為10.9MHz。這種電路的一個實施振蕩在9.6MHz。寄生電容和元件容差講解理論與實際性能之間的差異

　　PCB布局

　　對于任何高速比較器或放大器，正確的設(shè)計和印刷電路板(PCB)布局可以讓芯片達到最佳性能。有源輸入如果增加多余電容或不正確的接地，會限制高速比較器的最大性能。從信號源到比較器的輸入電阻最小化是必要的，以便最大限度地減少整個電路的傳播延遲。隨著輸入電容的源電阻產(chǎn)生的RC濾波器，延遲電壓變化在輸入，并降低了高頻信號的振幅該TLV350x隨著從輸入引腳的電容至地的結(jié)果在幾個電容皮法。

　　用于電源旁路電容的位置和類型是高速比較器的關(guān)鍵。建議的2.2μF鉭電容器不需要像靠近器件為0.1μF的電容，并且可以與其他設(shè)備共享。該2.2μF電容緩沖對紋波電源線和0.1μF的電容提供高頻時轉(zhuǎn)換為比較器的開關(guān)。 在高頻電路中，對于直流在相同的電位快速的上升和下降電壓差可以看做一個瞬態(tài)開關(guān)，為了減少這種影響，一個接地平面通常被用來減小電路板內(nèi)的電壓電位差。一個接地平面具有降低對電路板寄生電容的影響的優(yōu)點，通過提供一種更可取的路徑的電流流過。有超過一個接地平面上的信號跡線，在高頻率的返回電流(在接地平面)的傾向右下的信號路徑流動。接地平面(如簡單的通孔引線和通孔)增加平面的電感，使得在較高頻率上它不那么有效。在地平面上進行必要的休息過孔應(yīng)隨機分布。