DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家？

　　在據(jù)業(yè)者估計，2017年DRAM整體價格漲幅將高達(dá)39%，在智能手機存儲器容量提升以及服務(wù)器需求的驅(qū)動下，明年將出現(xiàn)持續(xù)增長現(xiàn)象。

　　據(jù)市場調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2016年第四季度DRAM供不應(yīng)求，帶動2017年第一季度上漲30%以上。以DRAM市場整體走向來看，今年第三季度平均漲幅約7%，未來第四季度漲幅約5%-10%，雖然漲幅依舊，但是至2018年，漲幅會逐漸趨于平穩(wěn)，相比2017年，漲幅不會太大。

　　DRAM連續(xù)一年漲幅的主要原因為以下幾點，其一，近年來，小米、華為以及OPPO等國產(chǎn)手機開始走中高端路線。其二，數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器對于DRAM需求加強。其三，DRAM產(chǎn)業(yè)制程接近極限，技術(shù)研發(fā)難度增加，導(dǎo)致供貨短缺。

　　至于NAND Flash走勢情況，據(jù)業(yè)者分析，在今年第四季度蘋果需求的沖擊下，其缺口會逐漸擴(kuò)大，但是除蘋果外，其余手機廠商對于NAND Flash并沒有需求，所以其整體相對于第三季度會處于平衡狀態(tài)。明年第一季度為傳統(tǒng)淡季，整體價格可能會不升反降。

　　在芯片市場的沖擊下，三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭直接霸占了90%以上的市場份額，強勢控制價格增長的比率。至于國內(nèi)外其余芯片企業(yè)，則“分羹”較少，處于緊追猛趕的狀態(tài)，但整體來看，國內(nèi)外市場短期內(nèi)也是呈現(xiàn)欣欣向榮之景。

　　三星的布局

　　在經(jīng)歷Galaxy Note 7手機爆炸的影響后，三星對于產(chǎn)品質(zhì)量以及生產(chǎn)過程有了嚴(yán)格的把控，借助于DRAM市場漲勢，三星漸漸“恢復(fù)元氣”。作為全球最大的DRAM芯片制造商，三星無疑是這場漲勢中最大的受益者，據(jù)第二季業(yè)績展望報告顯示，其營業(yè)利潤再創(chuàng)新高，同比增長約72%，預(yù)計未來第三季度將持續(xù)增長。

　　據(jù)了解，蘋果、OPPO、三星以及Vivo已經(jīng)承包了三星DRAM近70%的產(chǎn)量，而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相關(guān)印刷電路板材料短缺的問題，使得DRAM供應(yīng)短缺更加嚴(yán)重。

　　對于新技術(shù)研發(fā)方面，三星似乎早有布局。據(jù)消息稱，三星目前正在研發(fā)17nmDRAM,預(yù)計明年將進(jìn)入量產(chǎn)階段。同時，三星也展開了16nmDRAM的研發(fā)，不過最快量產(chǎn)時間也將在2020年，畢竟隨著制程技術(shù)提升，后面的研發(fā)難度會越來越大。而且三星預(yù)測15nm將接近DRAM的物理極限，未來將很長時間開發(fā)新材質(zhì)，提升制程穩(wěn)定性以便于縮小線寬。

　　以目前市場來看，Galaxy Note 8的預(yù)定量再創(chuàng)歷史新高，而且iPhone X所搭載的OLED屏幕均來自于三星，故三星第三季度的營收數(shù)據(jù)肯定不會太差，據(jù)消息透漏，三星將于月底公布營收的詳細(xì)結(jié)果。

　　美光建設(shè)新廠 研發(fā)全新技術(shù)

　　此前，美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區(qū)由于氮氣泄露的原因，造成5000至1萬片的晶圓直接報廢，4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。好在公司迅速解決并恢復(fù)正常生產(chǎn)運作，對于其之后的產(chǎn)能并沒有太大的影響。

　　8月14日，美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設(shè)成功。據(jù)悉，這個工廠主要用于美光研發(fā)全新內(nèi)存以及存儲技術(shù)，美光技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示，美光的主要DRAM技術(shù)研發(fā)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)入其日本廣島的制造工廠，未來將加快3D NAND以及DRAM全新技術(shù)的研發(fā)。

　　受惠于DRAM市場的漲潮，美光預(yù)計2017年會計年度第四季營收同比增長91%，高達(dá)61.38億美元，且對于2017年底營收的展望遠(yuǎn)超市場預(yù)期，預(yù)估為63億美元左右。美光執(zhí)行長SanjayMehrotra表示，美光1X納米DRAM以及64層3D NAND的良率將于今年年底達(dá)到穩(wěn)定階段，從產(chǎn)業(yè)目前情況來看，今年年底前，DRAM以及NAND Flash都將供不應(yīng)求。

　　SK海力士強勢出擊

　　對于內(nèi)存與存儲器市場，SK海力士則表現(xiàn)的極為“豪氣”，直接出資86.1億美元進(jìn)行3D NAND Flash以及DRAM擴(kuò)產(chǎn)，似乎是市場趨勢一片大好的原因，SK海力士將兩廠擴(kuò)產(chǎn)竣工的時間直接縮短至明年第四季度。

　　據(jù)了解，此次SK海力士擴(kuò)產(chǎn)主要用于技術(shù)升級，產(chǎn)能至多提升3%-5%，相對于美光來說，這更像是一場新技術(shù)研發(fā)速度的比賽，畢竟美光剛建設(shè)新廠不久，兩者建設(shè)新廠的目的似乎不謀而合。

　　在產(chǎn)品研發(fā)上，SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI、VR以及自動駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲器DRAM–Graphics DDR6。

　　在NAND Flash 產(chǎn)品方面，美光成功開發(fā)出72層堆疊芯片，相比于上一代48層堆疊芯片，其運行速度提升2倍，讀寫性能提升了20%，生產(chǎn)效能也增長了30%，目前已經(jīng)開始量產(chǎn)。

　　總結(jié)：

　　在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的情況下，三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現(xiàn)狀，而是不斷研發(fā)全新產(chǎn)品。在這場角逐中，或許他們?nèi)叨际勤A家。