【E問E答】單片機(jī)中的高阻態(tài)到底什么意思?
在一個(gè)系統(tǒng)中或在一個(gè)整體中,我們往往定義了一些參考點(diǎn),就像我們常常說(shuō)的海平面,在單片中也是如此,我們無(wú)論說(shuō)是高電平還是低電平都是相對(duì)來(lái)說(shuō)的。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201710/370247.htm在51單片機(jī),沒有連接上拉電阻的P0口相比有上拉電阻的P1口在I/O口引腳和電源之間相連是通過一對(duì)推挽狀態(tài)的FET來(lái)實(shí)現(xiàn)的,51具體結(jié)構(gòu)如下圖。
51結(jié)構(gòu)圖
組成推挽結(jié)構(gòu),從理論上講是可以通過調(diào)配管子的參數(shù)輕松實(shí)現(xiàn)輸出大電流,
提高帶載能力,兩個(gè)管子根據(jù)通斷狀態(tài)有四種不同的組合,上下管導(dǎo)通相當(dāng)于把電源短路了,這種情況下在實(shí)際電路中絕對(duì)不能出現(xiàn),從邏輯電路上來(lái)講,上管開-下管關(guān)開時(shí)IO與VCC直接相連,IO輸出低電平0,這種結(jié)構(gòu)下如果沒有外接上拉電阻,輸出0就是開漏狀態(tài)(低阻態(tài)),因?yàn)镮/O引腳是通過一個(gè)管子接地的,并不是使用導(dǎo)線直接連接,而一般的MOS在導(dǎo)通狀態(tài)也會(huì)有mΩ極的導(dǎo)通電阻。
排阻
無(wú)論是低阻態(tài)還是高阻態(tài)都是相對(duì)來(lái)說(shuō)的,把下管子置于截止?fàn)顟B(tài)就可以把GND和I/O口隔離達(dá)到開路的狀態(tài),這時(shí)候推挽一對(duì)管子是截止?fàn)顟B(tài),忽略讀取邏輯的話I/O口引腳相當(dāng)于與單片機(jī)內(nèi)部電路開路,考慮到實(shí)際MOS截止時(shí)會(huì)有少許漏電流,就稱作“高阻態(tài)”。
由于管子PN節(jié)帶來(lái)的結(jié)電容的影響,有的資料也會(huì)稱作“浮空”,通過I/O口給電容充電需要一定的時(shí)間,那么IO引腳處的對(duì)地的真實(shí)電壓和水面浮標(biāo)隨波飄動(dòng)類似了,電壓的大小不僅與外界輸入有關(guān)還和時(shí)間有關(guān),在高頻情況下這種現(xiàn)象是不能忽略的。
評(píng)論