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三星考慮明年擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能,恐改變目前供給緊俏格局

作者: 時(shí)間:2017-10-30 來源:集微網(wǎng) 收藏

  根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(eXchange)調(diào)查,由于廠近兩年來產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限,加上制程轉(zhuǎn)換的難度,供給成長明顯較往年放緩,配合著下半年終端市場(chǎng)消費(fèi)旺季的推波助瀾,DRAM合約價(jià)自2016年中開啟漲價(jià)序幕。然而,傳出在考慮提高競(jìng)爭(zhēng)者進(jìn)入門檻的情況下,可能將擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能,恐將改變DRAM供給緊俏格局。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201710/370767.htm

  DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,以主流標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存模組(DDR4 4GB)合約價(jià)為例,從去年中開始起漲,由當(dāng)時(shí)的DDR4 4GB 13美元均價(jià)拉升至今年第四季合約價(jià)30.5美元,報(bào)價(jià)連續(xù)六個(gè)季度向上,合計(jì)漲幅超過130%,帶動(dòng)相關(guān)DRAM大廠獲利能力大幅提升。截至目前為止,第二季度DRAM事業(yè)營業(yè)利益率來到59%,SK海力士也有54%的表現(xiàn),美光亦達(dá)44%。展望第四季,DRAM合約價(jià)持續(xù)上漲,各家廠商的獲利能力亦可望繼續(xù)攀升。

  

 

  擴(kuò)產(chǎn)目的維持1-2年技術(shù)領(lǐng)先,提升新進(jìn)者進(jìn)入門檻

  正因DRAM產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入寡占格局,理論上廠商對(duì)于高獲利的運(yùn)作模式是樂觀其成,然而,在連續(xù)數(shù)季內(nèi)存價(jià)格上升的帶動(dòng)下,SK海力士、美光皆累積許多在手現(xiàn)金。有了豐沛的資源,SK海力士將在年底進(jìn)行18nm制程轉(zhuǎn)進(jìn),無錫二廠也將在明年興建,預(yù)計(jì)2019年產(chǎn)出;美光借著股價(jià)水漲船高之際宣布現(xiàn)金增資,代表未來在蓋新廠、擴(kuò)張產(chǎn)能與制程升級(jí)上預(yù)做準(zhǔn)備,此舉無疑激起三星的警戒心,使得三星開始思索DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

  三星可能采取的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,除了是應(yīng)對(duì)供給吃緊狀況,最重要的是借助提高DRAM產(chǎn)出量,壓抑內(nèi)存價(jià)格上漲幅度。雖然短期內(nèi)的高資本支出將帶來折舊費(fèi)用的提升,并導(dǎo)致獲利能力下滑,但三星著眼的是長期的產(chǎn)業(yè)布局與保有其在DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,以及與其他DRAM大廠維持1-2年以上的技術(shù)差距。此外,明年堪稱中國內(nèi)存發(fā)展的元年,三星透過壓低DRAM或是NAND的價(jià)格,將能提升中國競(jìng)爭(zhēng)者的進(jìn)入門檻,并使競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手虧損擴(kuò)大、增加發(fā)展難度并減緩其開發(fā)速度。

  

 

  SK海力士與美光可望跟進(jìn)擴(kuò)產(chǎn),2018年DRAM供給成長率將達(dá)22.5%

  DRAMeXchange指出,三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產(chǎn)線,部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM,并全數(shù)采用18nm制程,加上原有Line17還有部分空間可以擴(kuò)產(chǎn),預(yù)計(jì)三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量提升80-100K,也代表三星的DRAM產(chǎn)能可能由2017年底的390K一口氣逼近至500K的水平,亦將帶動(dòng)三星明年位元產(chǎn)出供給量由原本預(yù)估的18%成長上升至23%。

  從整體DRAM供給來看,2018年供給年成長率將來到22.5%,高于今年的19.5%,亦即明年DRAM供需缺口將可能被彌平,預(yù)期SK海力士與美光將加入軍備競(jìng)賽以鞏固市占可能性高,為DRAM市場(chǎng)增添新的變量。

  然而,DRAMeXchange認(rèn)為,三星此舉將可能改變DRAM市場(chǎng)供給緊俏格局,只是修正目前競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的超額利潤,降為較合理獲利結(jié)構(gòu);再者,隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash轉(zhuǎn)往DRAM,將可望降低明年NAND Flash供過于求的情形,并進(jìn)而減緩整體NAND Flash平均售價(jià)(average selling price)下滑的速度。三星擴(kuò)廠或許對(duì)2018年DRAM市場(chǎng)將帶來部分沖擊,但就整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的長期發(fā)展來看未必是負(fù)面消息。



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