三星2017年豪擲260億美元投資 欲遏制中國存儲器廠商發(fā)展

　　根據(jù)IC Insights最新發(fā)布的17年麥克林報告指出，今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增長35%，達(dá)到908億美元。

　　而三星今年在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出達(dá)到260億美元，是去年支出的兩倍還多。IC Insights總裁Bill McClean表示：“我追蹤半導(dǎo)體行業(yè)的37年里，從沒有見過如此激烈的半導(dǎo)體資本支出增長。 可見，今年三星的巨額開支在半導(dǎo)體行業(yè)史上是史無前例的。”

　　下圖顯示了自2010年以來三星為其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的資本支出。2010年，該公司首次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入了超過100億美元。 直至2016年已達(dá)到113億美元，這也是連續(xù)7年超過100億美元。而今年的資本支出更有望達(dá)到新高，激增至260億美元。

　　IC Insights預(yù)計，三星在2017年第四季度半導(dǎo)體行業(yè)資本支出為86億美元，將占到其262億美元總開支預(yù)算的33%。同時，三星半導(dǎo)體四季度銷售額有望占到全球半導(dǎo)體銷售額的16%左右。

　　IC Insights估計，今年三星260億美元的半導(dǎo)體支出將分成如下幾部分： 3D NAND閃存：140億美元(包括在平澤工廠的產(chǎn)能大幅增長) DRAM：70億美元(用于流程遷移和彌補由于遷移造成的容量損失的額外容量) 代工/其他：50億美元(用于提升10納米制程能力)

　　IC Insights認(rèn)為，今年三星的巨額支出將會對該行業(yè)未來格局產(chǎn)生巨大影響。 3D NAND閃存市場可能因此出現(xiàn)產(chǎn)能過剩時期。 這種產(chǎn)能過剩的情況不僅是由于三星在3D NAND閃存方面的巨額支出，而且也是由于競爭對手(例如SK海力士，美光，東芝，英特爾等公司)的大力投入所致。 在某種程度上講，三星的競爭對手只能提高產(chǎn)能，不然只能坐吃山空。

　　IC Insights認(rèn)為，三星半導(dǎo)體的資本開支預(yù)計將會扼殺中國儲存器廠商的發(fā)展，因為一定程度上，他們在打擊自主發(fā)展的中國廠商與存儲器巨頭同場競技的資格。那么，中國儲存器廠商何去何從，這將是迫在眉睫需要仔細(xì)思考的問題。