旺宏NAND論文 獲國(guó)際肯定
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時(shí)間：2017-11-30
來(lái)源：經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)
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內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國(guó)際電子組件大會(huì)(IEDM)，被評(píng)選為「亮點(diǎn)論文」，是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實(shí)力受到國(guó)際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/201711/372280.htm旺宏強(qiáng)調(diào)，獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù)，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。
目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NAND 型閃存開(kāi)發(fā)，旺宏開(kāi)發(fā)的SGVC新3D NAND Flash只要堆棧16層，內(nèi)存密度即可達(dá)到現(xiàn)行閘極環(huán)繞型結(jié)構(gòu) (GAA)所堆棧48效果。
此外，由于記憶晶胞為平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)，可大幅減少幾何效應(yīng)對(duì)于整體電性的敏感度，適合于需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的各式應(yīng)用，低層數(shù)的堆棧也有利提升制程良率。
評(píng)論