Yole：供需失衡推動存儲芯片價格上漲，市場年均增長9%

　　存儲器行業(yè)正處于強勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術》報告中預計，2016~2022年整個存儲器市場的復合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導體芯片價格上漲，導致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀錄的利潤!

　　存儲器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動和計算(主要是服務器)市場。平均而言，每部智能手機的DRAM內存容量將增長三倍以上，預計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機的NAND存儲器容量將增加5倍以上，預計到2022年將達到150GB以上。對于服務器來說，預計到2022年DRAM存儲器容量將達到0.5TB以上，企業(yè)級市場SSD的NAND存儲器容量將高達5TB以上。這些市場的增長驅動力來自深度學習、數據中心、網絡、AR/VR和自動駕駛。

　　智能手機和服務器的DRAM和NAND容量需求

　　通常使用低密度(low-MB)存儲器的汽車市場將會出現以自動駕駛和車載信息娛樂為主導的DRAM內存的采用。此外，NOR閃存市場正在復蘇，預計將以驚人的16%復合年增長率成長，預計到2022年將達到44億美元，主要原因是其在如AMOLED顯示器、觸摸顯示驅動器IC和工業(yè)物聯(lián)網等新領域的應用。

　　在供應端方面，因為供應商的整合和技術挑戰(zhàn)造成先進節(jié)點的推行較難，并且從2D轉移到3D NAND的過程中需要大量投資，所以導致DRAM和NAND存儲器供應的短缺。DRAM廠商希望維持較高的產品售價和盈利能力，以合理化他們在先進節(jié)點遷移方面的巨額資本支出，因此傾向不會增加產能。

　　存儲器芯片使用多種封裝技術，從引線框架到硅通孔(TSV)

　　存儲器芯片的封裝有多種選擇，包括從引腳數少、外形小的SOP封裝到引腳數多的硅通孔(TSV)等各種封裝技術，而這些技術的選擇取決于密度、性能和成本等產品要求。Yole分析確定了五個核心存儲器芯片封裝平臺：引線框架、引線鍵合BGA、倒裝芯片BGA、晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)、硅通孔(TSV)。每種技術都包括許多不同的變化形式，并擁有不同的術語。我們預計2016~2022年整個存儲器芯片封裝市場的復合年增長率為4.6%，2022年將超過250億美元。

　　存儲器芯片的封裝類型

　　2016年，引線鍵合BGA占據存儲器芯片封裝市場的80%以上份額。同樣是在2016年，倒裝芯片BGA開始進入DRAM存儲器芯片封裝市場，預計未來五年將以20%的復合年增長率成長，將占據整個存儲器芯片封裝市場的10%左右市場份額。隨著高帶寬需求的推動，DRAM PC/服務器領域的應用日益增多，推動了倒裝芯片市場的增長。三星電子(Samsung)已經將其90%以上的DRAM芯片封裝轉換為倒裝芯片，SK海力士也開始轉型，其它廠商未來也都將逐步采用倒裝芯片。事實上，我們相信所有用于PC/服務器的DDR5存儲器最終都將使用倒裝芯片。

　　由于高帶寬和存儲器芯片對各種應用中的高性能計算的低延遲需求，硅通孔(TSV)正被用于高帶寬存儲器芯片中。2016年硅通孔(TSV)市場在存儲器芯片封裝市場中的份額不到1%，但是未來五年的復合年增長率超過30%，預計到2022年，硅通孔(TSV)市場份額將達到8%。同時，晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)將被NOR閃存和利基市場的存儲器(EEPROMs / EPROM / ROM)采用，預計其復合年增長率超過10%，不過到2022年，晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)市場份額還不到1%。

　　對于移動應用，存儲器芯片封裝將主要維持在引線鍵合BGA平臺上，但是，將很快開始向高端智能手機的多芯片封裝(ePoP)邁進。NAND閃存芯片的主要要求是低成本的高存儲密度。NAND采用引線鍵合堆疊形式，以便在單個封裝中提供高密度。

　　NAND閃存芯片封裝將保持采用引線鍵合BGA形式，不會遷移到倒裝芯片。但是，東芝將開始在NAND閃存芯片中使用硅通孔(TSV)來提高高端應用的數據傳輸速率。在東芝之后，我們相信三星電子和SK海力士將會推出硅通孔(TSV)封裝的NAND芯片。

　　存儲器芯片封裝的價值很高，主要被IDM“把控”

　　2016年存儲器芯片封裝市場規(guī)模約為200億美元。雖然許多外包半導體封裝測試廠商(OSAT)涉足存儲器芯片封裝業(yè)務，但是80%以上的封裝仍在存儲器芯片IDM廠商內部完成。全球領先的IDM廠商在封裝方面擁有相當豐富的知識，積累了多年的項目經驗，并擁有強大的內部制造能力。

　　2016~2022年存儲器芯片封裝市場

　　OSAT廠商受到IDM廠商影響，在存儲器芯片封裝業(yè)務的機會有限。然而，許多中國廠商正在投入超過500億美元的資金進入存儲器領域。與全球領先的IDM廠商不同，中國新興的廠商缺少存儲器芯片封裝的經驗，他們將會把封裝業(yè)務外包給OSAT廠商。