[5納米碳納米管CMOS器件]入選高校十大科技進(jìn)展

　　日前，由教育部科學(xué)技術(shù)委員會(huì)組織評(píng)選的2017年度“中國(guó)高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”經(jīng)過(guò)高校申報(bào)和公示、形式審查、學(xué)部初評(píng)、項(xiàng)目終審等評(píng)審流程后在京揭曉。

　　由北京大學(xué)申報(bào)的”5納米碳納米管CMOS器件“入選。

　　芯片是信息時(shí)代的基礎(chǔ)與推動(dòng)力，現(xiàn)有CMOS技術(shù)將觸碰其極限。碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的重要選項(xiàng)。

　　理論研究表明，碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗，且較易實(shí)現(xiàn)三維集成，系統(tǒng)層面的綜合優(yōu)勢(shì)將高達(dá)上千倍，芯片技術(shù)由此可能提升至全新高度。

　　北京大學(xué)電子學(xué)系彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在碳納米管CMOS器件物理和制備技術(shù)、性能極限探索等方面取得重大突破，放棄傳統(tǒng)摻雜工藝，通過(guò)控制電極材料來(lái)控制晶體管的極性，抑制短溝道效應(yīng)，首次實(shí)現(xiàn)了5納米柵長(zhǎng)的高性能碳管晶體管，性能超越目前最好的硅基晶體管，接近量子力學(xué)原理決定的物理極限，有望將CMOS技術(shù)推進(jìn)至3納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

　　2017年1月20日，標(biāo)志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 為題，在線發(fā)表于《科學(xué)》(Science, 2017, 355: 271-276);被包括IBM研究人員在內(nèi)的同行在《科學(xué)》《自然?納米技術(shù)》等期刊24次公開(kāi)正面引用，并入選ESI高被引論文。相關(guān)工作被Nature Index、IEEE Spectrum、Nano Today、《科技日?qǐng)?bào)》等國(guó)內(nèi)外主流學(xué)術(shù)媒體和新華社報(bào)道;

　　《人民日?qǐng)?bào)》(海外版)評(píng)價(jià)碳管晶體管的“工作速度是英特爾最先進(jìn)的14納米商用硅材料晶體管的三倍，而能耗只是其四分之一”，意味著中國(guó)科學(xué)家“有望在芯片技術(shù)上趕超國(guó)外同行”，“是中國(guó)信息科技發(fā)展的一座新里程碑”。