美光:存儲器一路好到2021年
存儲器大廠美光(Micron)昨(22)日在美國召開分析師大會,美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示,存儲器市場已出現(xiàn)典范轉型,以智能型手機為中心的行動時代(mobile era),逐步轉進人工智能(AI)等的數(shù)據(jù)經濟時代(data economy era)。數(shù)據(jù)經濟需要搭載大量DRAM及NAND Flash協(xié)助運算,存儲器市場可望一路好到2021年。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201805/380396.htmSanjay Mehrotra表示,2000~2007年是PC及網(wǎng)際網(wǎng)路的時代,每年創(chuàng)造出的存儲器(包括DRAM、NAND/NOR Flash、SSD等)需求達2500億GB,平均每年帶來的產值達380億美元。2008~2016年進入了行動時代,每年創(chuàng)造出高達7兆GB的存儲器需求,平均每年帶來的產值達620億美元。
但2017年進入了所謂的數(shù)據(jù)經濟時代,光去年一年就創(chuàng)造了22兆GB的存儲器需求,市場產值更是暴增至1,280億美元規(guī)模。Sanjay Mehrotra預估,數(shù)據(jù)經濟需要更多的存儲器協(xié)助運算及儲存,預計至2021年將創(chuàng)造出高達62兆GB的存儲器需求,市場產值更會見到爆炸性成長。
在數(shù)據(jù)經濟的時代,AI是主角,創(chuàng)造了龐大的數(shù)據(jù)量及價值,例如自然語言的運算就要大量存儲器協(xié)助運算及儲存,圖像數(shù)據(jù)的儲存也需要更大的存儲器。對智能型手機來說,在導入3D感測、4K影像、虛擬及擴充實境(VR/AR)功能后,終端邊緣運算也得搭載更多的DRAM及NAND Flash。再者,正在快速起飛的車用電子、云端運算、數(shù)據(jù)中心等應用,對存儲器需求更是較今年呈現(xiàn)倍數(shù)成長。
對存儲器產業(yè)來說,DRAM制程進入10納米世代后,需要更大的資本支出,但至2021年的位元年復合成長率僅20%,NAND Flash進入3D NAND制程要全面更改設備,資本支出同樣龐大,但至2021年的位元年復合成長率僅40~45%。
Sanjay Mehrotra表示,在需求快速成長但供給增加趨緩的情況下,存儲器產業(yè)結構性改變,已創(chuàng)造出健康的動能循環(huán),存儲器市況可望一路好到2021年。
評論