衍生自稀有元素碲的極薄二維材料，可大幅提升芯片電晶體運(yùn)行

　　美國(guó)普渡大學(xué)研究人員發(fā)現(xiàn)一種衍生自稀有元素碲(tellurium)的極薄二維材料，可大幅提升芯片電晶體運(yùn)行效率，進(jìn)而提高電子設(shè)備(如手機(jī)、電腦)處理訊息的速度，也能增強(qiáng)諸如紅外線感測(cè)器的技術(shù)。

　　80% 碲應(yīng)用于冶金工業(yè)，在鋼、銅合金中加入少量碲，能改善其切削加工性能并增加硬度;在鑄鐵中，碲被用作碳化物穩(wěn)定劑，使表面堅(jiān)固耐磨;而含有少量碲的鉛可提升材料耐蝕性、耐磨性和強(qiáng)度，用做海底電纜的護(hù)套。

　　高純碲可用做溫差電材料的合金組分，另外和多數(shù)類(lèi)金屬一樣，碲和若干碲化物是半導(dǎo)體材料，超純碲單晶則是新型紅外材料，而隨著技術(shù)進(jìn)步(尤其是光伏產(chǎn)業(yè))，我們對(duì)碲的需求量正在上升，比如碲化鎘太陽(yáng)能薄膜電池的主要原料也是碲。

　　在做為半導(dǎo)體材料方面，普渡大學(xué)指出，諸如石墨烯(graphene)、黑磷(black phosphorus)或硅烯(silicene)等二維材料，不是在室溫下缺乏穩(wěn)定性、就是在高頻高功率設(shè)備中還沒(méi)有找到能量產(chǎn)高效電晶體(transistor)的方法，但普渡大學(xué)電子與資訊工程學(xué)教授 Mary Jo Schwartz 領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，從碲元素中制造的二維薄膜能在室溫下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定片狀電晶體結(jié)構(gòu)，允許載流子(carrier)快速移動(dòng)。

　　使用其他電晶體材料通常必須在較低溫或真空環(huán)境中才能獲得良好穩(wěn)定性，也因此，能在室溫下保持高載流子移動(dòng)率的碲電晶體更具成本效益，片狀結(jié)構(gòu)則代表電子移動(dòng)障礙更少，就像一張紙，能讓快速移動(dòng)的載流子在更大表面積上傳輸更多電流。

　　不過(guò)碲礦資源分布稀散，且本地殼含量不高，加上對(duì)碲的需求上升引發(fā)另類(lèi)環(huán)境污染問(wèn)題(某些形式的碲有毒)，這種新電晶體材料能否順利誕生還要持續(xù)觀望。