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三星侵犯大學(xué)專利,賠償金或高達(dá)4億美元

作者: 時(shí)間:2018-06-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  近日,德克薩斯州聯(lián)邦陪審團(tuán)作出一項(xiàng)裁決:電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項(xiàng)專利技術(shù),需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_(dá)4億美元。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201806/381874.htm

  據(jù)了解,韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟,指控電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)()制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。然而向陪審團(tuán)表示,它與韓國技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù),并否認(rèn)侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對(duì)這項(xiàng)專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對(duì)此不屑一顧時(shí),其對(duì)手英特爾公司開始向這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán),圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變,三星才開始重視這個(gè)事件的嚴(yán)重性。

  據(jù)悉,三星的這一侵權(quán)行為被裁定為“有意為之”,這意味著法官可以將三星所需支付的賠償金額增加到陪審團(tuán)規(guī)定的三倍。



關(guān)鍵詞: 三星 FinFET

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