低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。

　　安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車(chē)/混和動(dòng)力電動(dòng)車(chē)(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類(lèi)應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。

　　自從16多年前第一款SiC二極管問(wèn)市以來(lái)，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試都已充分證明其高品質(zhì)水平。

　　在基板處理、外延生長(zhǎng)和制造方面的進(jìn)步顯著地降低缺陷密度，我們將看到持續(xù)的工藝改進(jìn)和更高的量。安森美半導(dǎo)體在整個(gè)工藝周期采用了獨(dú)特的方法，以確?？蛻臬@得最高品質(zhì)的產(chǎn)品。

　　另一重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設(shè)計(jì)。SiC能夠應(yīng)對(duì)高場(chǎng)應(yīng)力，因此很多設(shè)計(jì)都是為了應(yīng)對(duì)這些高應(yīng)力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。

　　利用寬帶隙(WBG)材料的獨(dú)特特性，SiC技術(shù)比硅提供實(shí)在的優(yōu)勢(shì)，其強(qiáng)固的結(jié)構(gòu)為嚴(yán)苛環(huán)境中的應(yīng)用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡(jiǎn)化的、性能更佳、尺寸設(shè)計(jì)更小的新器件。

　　SiC為系統(tǒng)提供顯著好處。SiC更高的開(kāi)關(guān)頻率可以使用更小的磁性元件和無(wú)源元件，使整體系統(tǒng)縮小50%以上，從而大大節(jié)省整體元件和制造成本。