低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度

　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。

　　安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。

　　自從16多年前第一款SiC二極管問市以來，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測試和現(xiàn)場測試都已充分證明其高品質(zhì)水平。

　　在基板處理、外延生長和制造方面的進(jìn)步顯著地降低缺陷密度，我們將看到持續(xù)的工藝改進(jìn)和更高的量。安森美半導(dǎo)體在整個工藝周期采用了獨特的方法，以確?？蛻臬@得最高品質(zhì)的產(chǎn)品。

　　另一重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設(shè)計。SiC能夠應(yīng)對高場應(yīng)力，因此很多設(shè)計都是為了應(yīng)對這些高應(yīng)力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。

　　利用寬帶隙(WBG)材料的獨特特性，SiC技術(shù)比硅提供實在的優(yōu)勢，其強(qiáng)固的結(jié)構(gòu)為嚴(yán)苛環(huán)境中的應(yīng)用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡化的、性能更佳、尺寸設(shè)計更小的新器件。

　　SiC為系統(tǒng)提供顯著好處。SiC更高的開關(guān)頻率可以使用更小的磁性元件和無源元件，使整體系統(tǒng)縮小50%以上，從而大大節(jié)省整體元件和制造成本。