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如何提高隔離接口模塊的ESD抗擾能力

作者:ZLG致遠(yuǎn)電子 時(shí)間:2018-06-29 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  隔離模塊應(yīng)用于各類復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中,以提升總線的抗干擾能力,但設(shè)備接口可能會(huì)采用端子與外部連接,可能會(huì)在安裝、維修過程中有靜電等能量輸入,從而導(dǎo)致隔離模塊損壞。那么該如何避免這樣的問題呢?本文為您揭秘。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201806/382525.htm

  帶隔離通信接口的設(shè)備,在不同的使用、安裝狀態(tài)下,接口會(huì)表現(xiàn)出完全不同的特性,了解設(shè)備在不同的使用狀態(tài)下,對接口的影響的機(jī)理,才能有針對性地增加保護(hù)器件,提升能力。下面以帶有隔離CAN或RS-485通信接口為例,對常見的設(shè)備狀態(tài)下,ESD的作用機(jī)理進(jìn)行分析,并提出相應(yīng)的改善措施。

  1. 設(shè)備控制側(cè)有接保護(hù)地,總線側(cè)懸空

  如圖 1,此狀態(tài)下,設(shè)備控制側(cè)有接入保護(hù)地(PE),總線側(cè)參考地懸空,與PE無任何連接。

  圖 1

  此狀態(tài)出現(xiàn)的可能場景:

  1. 產(chǎn)品開發(fā)測試過程中;

  2. 單個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行ESD測試時(shí);

  3. 設(shè)備組網(wǎng)時(shí),控制側(cè)已接入保護(hù)地,正在進(jìn)行總線接入或斷開操作時(shí);

  4. 設(shè)備組網(wǎng)后,總線側(cè)未進(jìn)行接地處理的。

  靜電分析:

  假設(shè)控制側(cè)均做了足夠的保護(hù)措施,當(dāng)控制側(cè)接口受到靜電放電時(shí),能量通過控制側(cè)保護(hù)器泄放至PE,對隔離通信接口基本無影響,如圖 2。

  圖 2

  當(dāng)總線接口受到靜電放電時(shí),由于總線側(cè)懸空,能量只能通過隔離柵的等效電容Ciso進(jìn)行泄放,由于Ciso非常小,僅有幾皮法至十幾皮法,Ciso被迅速充電,兩端電壓Viso會(huì)非常高,幾乎等同于放電電壓,如圖 3。電壓全部施加在模塊的隔離柵,若電壓超出了隔離柵的電壓承受范圍,則會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部隔離柵損壞。

  圖 3

  對于一般的模塊,隔離柵可承受的靜電放電電壓只有4kV,對于更高等級(jí)的6kV或8kV的靜電來說是非常脆弱的,極易出現(xiàn)損壞情況。

  改善方法:

  為了減輕隔離柵的壓力,可以在隔離柵兩邊增加一個(gè)電容Cp, 為靜電能量提供一個(gè)低阻抗的路徑。如圖 4,總線側(cè)的靜電能量大部分通過此電容泄放至PE,并可以有效降低隔離柵兩側(cè)電壓,從而起到保護(hù)隔離接口模塊的作用。

  圖 4

  為了達(dá)到良好效果,Cp容值應(yīng)遠(yuǎn)大于Ciso,建議取100pF~1000pF之間。若無安規(guī)要求,可與Cp并聯(lián)一個(gè)大阻值泄放電阻,如1M,以防靜電積累;若有安規(guī)要求,一般需要去除泄放電阻,同時(shí)選擇安規(guī)電容。器件選擇時(shí),注意阻容耐壓需要滿足設(shè)備指標(biāo)要求。

  2. 設(shè)備控制側(cè)懸空,總線側(cè)有接保護(hù)地

  如圖 5,此狀態(tài)下,設(shè)備控制側(cè)參考地懸空,與PE無任何連接,總線側(cè)有接入保護(hù)地(PE)。

  圖 5

  此狀態(tài)出現(xiàn)的可能場景:

  1. 產(chǎn)品開發(fā)測試過程中;

  2. 單個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行ESD測試時(shí);

  3. 設(shè)備組網(wǎng)時(shí),總線側(cè)先接地,控制側(cè)未接地時(shí);

  4. 設(shè)備組網(wǎng)后,控制側(cè)未進(jìn)行接地處理的。

  靜電分析:

  類似的,當(dāng)控制側(cè)接口受到靜電放電時(shí),由于控制側(cè)懸空,能量只能通過隔離柵的等效電容Ciso進(jìn)行泄放,由于Ciso非常小,兩端電壓Viso會(huì)非常高,如圖 6。電壓全部施加在隔離接口模塊的隔離柵,若電壓超出了隔離柵的電壓承受范圍,則會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部隔離柵損壞。

  圖 6

  當(dāng)總線側(cè)接口受到靜電放電時(shí),靜電能量通過隔離接口模塊內(nèi)部總線側(cè)器件泄放至PE,如圖 7。若ESD能量超出了接口模塊內(nèi)部總線側(cè)器件的ESD抗擾能力,總線接口則可能損壞。

  圖 7


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