如何提高隔離接口模塊的ESD抗擾能力
隔離模塊應(yīng)用于各類復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中,以提升總線的抗干擾能力,但設(shè)備接口可能會(huì)采用端子與外部連接,可能會(huì)在安裝、維修過程中有靜電等能量輸入,從而導(dǎo)致隔離模塊損壞。那么該如何避免這樣的問題呢?本文為您揭秘。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201806/382525.htm帶隔離通信接口的設(shè)備,在不同的使用、安裝狀態(tài)下,接口會(huì)表現(xiàn)出完全不同的ESD特性,了解設(shè)備在不同的使用狀態(tài)下,ESD對接口的影響的機(jī)理,才能有針對性地增加保護(hù)器件,提升隔離接口的ESD能力。下面以帶有隔離CAN或RS-485通信接口為例,對常見的設(shè)備狀態(tài)下,ESD的作用機(jī)理進(jìn)行分析,并提出相應(yīng)的改善措施。
1. 設(shè)備控制側(cè)有接保護(hù)地,總線側(cè)懸空
如圖 1,此狀態(tài)下,設(shè)備控制側(cè)有接入保護(hù)地(PE),總線側(cè)參考地懸空,與PE無任何連接。
圖 1
此狀態(tài)出現(xiàn)的可能場景:
1. 產(chǎn)品開發(fā)測試過程中;
2. 單個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行ESD測試時(shí);
3. 設(shè)備組網(wǎng)時(shí),控制側(cè)已接入保護(hù)地,正在進(jìn)行總線接入或斷開操作時(shí);
4. 設(shè)備組網(wǎng)后,總線側(cè)未進(jìn)行接地處理的。
靜電分析:
假設(shè)控制側(cè)均做了足夠的保護(hù)措施,當(dāng)控制側(cè)接口受到靜電放電時(shí),能量通過控制側(cè)保護(hù)器泄放至PE,對隔離通信接口基本無影響,如圖 2。
圖 2
當(dāng)總線接口受到靜電放電時(shí),由于總線側(cè)懸空,能量只能通過隔離柵的等效電容Ciso進(jìn)行泄放,由于Ciso非常小,僅有幾皮法至十幾皮法,Ciso被迅速充電,兩端電壓Viso會(huì)非常高,幾乎等同于放電電壓,如圖 3。電壓全部施加在隔離接口模塊的隔離柵,若電壓超出了隔離柵的電壓承受范圍,則會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部隔離柵損壞。
圖 3
對于一般的隔離接口模塊,隔離柵可承受的靜電放電電壓只有4kV,對于更高等級(jí)的6kV或8kV的靜電來說是非常脆弱的,極易出現(xiàn)損壞情況。
改善方法:
為了減輕隔離柵的壓力,可以在隔離柵兩邊增加一個(gè)電容Cp, 為靜電能量提供一個(gè)低阻抗的路徑。如圖 4,總線側(cè)的靜電能量大部分通過此電容泄放至PE,并可以有效降低隔離柵兩側(cè)電壓,從而起到保護(hù)隔離接口模塊的作用。
圖 4
為了達(dá)到良好效果,Cp容值應(yīng)遠(yuǎn)大于Ciso,建議取100pF~1000pF之間。若無安規(guī)要求,可與Cp并聯(lián)一個(gè)大阻值泄放電阻,如1M,以防靜電積累;若有安規(guī)要求,一般需要去除泄放電阻,同時(shí)選擇安規(guī)電容。器件選擇時(shí),注意阻容耐壓需要滿足設(shè)備指標(biāo)要求。
2. 設(shè)備控制側(cè)懸空,總線側(cè)有接保護(hù)地
如圖 5,此狀態(tài)下,設(shè)備控制側(cè)參考地懸空,與PE無任何連接,總線側(cè)有接入保護(hù)地(PE)。
圖 5
此狀態(tài)出現(xiàn)的可能場景:
1. 產(chǎn)品開發(fā)測試過程中;
2. 單個(gè)產(chǎn)品進(jìn)行ESD測試時(shí);
3. 設(shè)備組網(wǎng)時(shí),總線側(cè)先接地,控制側(cè)未接地時(shí);
4. 設(shè)備組網(wǎng)后,控制側(cè)未進(jìn)行接地處理的。
靜電分析:
類似的,當(dāng)控制側(cè)接口受到靜電放電時(shí),由于控制側(cè)懸空,能量只能通過隔離柵的等效電容Ciso進(jìn)行泄放,由于Ciso非常小,兩端電壓Viso會(huì)非常高,如圖 6。電壓全部施加在隔離接口模塊的隔離柵,若電壓超出了隔離柵的電壓承受范圍,則會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部隔離柵損壞。
圖 6
當(dāng)總線側(cè)接口受到靜電放電時(shí),靜電能量通過隔離接口模塊內(nèi)部總線側(cè)器件泄放至PE,如圖 7。若ESD能量超出了接口模塊內(nèi)部總線側(cè)器件的ESD抗擾能力,總線接口則可能損壞。
圖 7
評(píng)論