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中國ICT技術:進步可喜 前景可期

作者: 時間:2018-07-02 來源:中國科技網(wǎng) 收藏

  改革開放40年,中國高新技術發(fā)展水平如何?特別是在(信息通訊技術)領域,國外半導體專家究竟是如何看待和評價的呢?帶著這些問題,科技日報記者日前采訪了韓國著名企業(yè)家和半導體專家崔珍奭博士,傾聽了他的看法。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201807/382574.htm

  崔博士在韓國半導體業(yè)界名氣很大。根據(jù)韓國NAVER門戶網(wǎng)站上面人物詞典的介紹,崔博士歷任三星電子技術開發(fā)部首席研究員、常務理事、海力士半導體專務理事、副社長、STX SOLAR 社長、韓和集團制造部門運營創(chuàng)新總括社長等職,并在多所大學擔任過教職。他從三星電子轉職海力士,依靠研發(fā)和管理能力幫助危機重重的海力士業(yè)務走上正軌的案例,堪稱韓國半導體發(fā)展史上的經(jīng)典。

  中國半導體業(yè)取得階段性成果

  改革開放40年,中國已躍升全球最大的半導體消費國和電子產(chǎn)品生產(chǎn)國,中國企業(yè)消耗的芯片數(shù)量幾乎是全球產(chǎn)量一半。與此同時,中國使用的芯片也有不少需要進口。但是,業(yè)內人士無疑看到了更多的內容。

  崔博士說,韓國半導體業(yè)界早已感受到中國的進步。雖然韓國企業(yè)規(guī)模更大,綜合技術實力更強,但中國的步伐顯然邁得更快。

  崔博士的觀點很明確:中國在半導體行業(yè)里已經(jīng)取得了階段性成果,天下三分,已置身其二。

  崔博士表示,半導體行業(yè)大致可以劃分為儲存器業(yè)務、系統(tǒng)芯片業(yè)務和晶圓代工業(yè)務三塊,中國在其中的兩個業(yè)務領域已取得成功,技術實力接近了主流水平。

  在系統(tǒng)芯片領域,美國和歐洲企業(yè)技術實力強勁,特別是在高端芯片市場,美歐企業(yè)目前仍然保持行業(yè)領先位置,但是在相對低端的通用CPU等細分市場,中國在2010年就已經(jīng)超越韓國,成為全球主要的系統(tǒng)芯片生產(chǎn)國之一。中國在這個領域至今仍然保持著迅猛發(fā)展的勢頭,逐步進入高端芯片領域。

  在晶圓代工業(yè)務方面,中國的總體水平已經(jīng)開始領跑韓國。中國的SMIC和華虹正在推進28納米工程,而韓國三星電子雖然具備40—14納米技術,但是晶圓代工業(yè)務并不活躍,業(yè)務量占比很低。而韓國主要晶圓代工企業(yè),如東部、MAGNACHIP等,目前的核心業(yè)務都建立在8英寸晶圓和180—100納米制程上,已經(jīng)同中國企業(yè)存在技術代差。

  全球業(yè)務中長期預測樂觀

  2016年下半年,儲存器業(yè)務迎來了最近一輪景氣周期。其中DRAM產(chǎn)業(yè)集中度更高,表現(xiàn)也更加亮眼。當前全球內存產(chǎn)業(yè)的主要玩家包括韓國的三星電子、海力士半導體和美國的美光,這三家在2017年和2018年第一季度均取得了令人矚目的經(jīng)營業(yè)績。三星電子2018年第一季度業(yè)績,總營收達到60.56萬億韓元,同比增長約20%,當季營業(yè)利潤也創(chuàng)下歷史新高的15.64萬億韓元,同比增長約三分之一。其中以DRAM為主的半導體業(yè)務創(chuàng)造的營業(yè)利潤超過了集團總利潤的一半。

  另一個值得關注的數(shù)據(jù)是,經(jīng)過2017年一年時間,全球儲存器業(yè)務占半導體整體業(yè)務的比重已經(jīng)從2016年的21%提升到了30%。對于半導體這樣一個發(fā)展了數(shù)十年的成熟行業(yè)來說,這種提升幅度是巨大的,其中最主要的影響因子是內存漲價因素。不過,考慮到智能手機和各種移動設備硅含量的不斷增加,圖形處理器、大數(shù)據(jù)、人工智能、智能汽車和物聯(lián)網(wǎng)等新的電子技術未來內存需求的釋放,業(yè)務中長期的預測仍然是樂觀的。

  中國儲存器業(yè)務尚未完全啟動

  崔博士介紹,一般來說,評價內存企業(yè)技術水平主要考察企業(yè)的技術節(jié)點。目前為止,內存生產(chǎn)技術大體沿著28、25、23、20、18納米的路線進行迭代和升級。這種差距意味著內存顆粒性能的高下之別,也意味著生產(chǎn)成本的巨大差異。對于內存行業(yè)來說,一代的差距也意味著大約2年的追趕時間。

  崔博士表示,以2017年為基準,三星電子的主力DRAM使用18納米制程,海力士和美光為20納米制程。從數(shù)據(jù)上大體可以認為,三星電子領先一代左右。而同樣使用20納米制程,美光在單位面積晶圓上制造的內存單元的數(shù)量相當于23納米制程的水平。這樣看美光還要落后一代。同中國行業(yè)巨大的規(guī)模和需求相比,中國的儲存器業(yè)務尚未完成啟動過程,目前計劃投產(chǎn)的企業(yè)在制程上恐怕還要落后于美光。這個差距需要關注。

  崔博士強調,中國并不缺乏資金和設備,也有龐大的市場作為支撐,目前缺乏的是技術。他說,內存企業(yè)需要確定正確的技術路線,需要迭代研發(fā)制程工藝,對人才的需求是非常迫切的。他表示,核心技術沒有捷徑,相信中國企業(yè)能夠直面差距,著眼長遠,解決好左右未來發(fā)展的瓶頸問題。



關鍵詞: ICT 存儲器

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