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高端電芯片如何突破,解缺芯之困

作者: 時(shí)間:2018-07-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  中興事件之后,引發(fā)了關(guān)于中國半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)的擔(dān)憂,引起了業(yè)界人士都中國芯的重視。其實(shí),一直以來,中國都是在光通信領(lǐng)域占有很重要的位置,但在光通信上,就還需進(jìn)一步的努力,發(fā)展空間還有很大,尤其是高端電。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201807/383235.htm

  高端光電芯片是最大短板

  在光通信傳輸過程中,發(fā)射端將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),然后調(diào)制到激光器發(fā)出激光束,通過光纖傳遞,在接收端接收到光信號(hào)后再將其轉(zhuǎn)化為電信號(hào),經(jīng)調(diào)制解調(diào)后變?yōu)樾畔ⅲ怆娦酒鸬降淖饔镁褪菍?shí)現(xiàn)電信號(hào)和光信號(hào)之間的相互轉(zhuǎn)換,是光電技術(shù)產(chǎn)品的核心,處于光通信領(lǐng)域的金字塔尖。

  目前國內(nèi)能夠生產(chǎn)光電芯片的企業(yè)并不多,約30余家,其中大多數(shù)能夠大批量生產(chǎn)低端芯片。

  僅有光迅科技、海信、華為、烽火等少數(shù)廠商可以生產(chǎn)中高端芯片,但總體供貨有限,市場占比不足1%,高端芯片嚴(yán)重依賴于博通、三菱等美日公司。

  中國電信科技委主任韋樂平表示,在路由器、基站、傳輸系統(tǒng)、接入網(wǎng)等光網(wǎng)絡(luò)核心建設(shè)成本中,光器件成本占比高達(dá)60-80%,而光器件成本高企的核心原因在于高端芯片還不能完全國產(chǎn)化,需要依賴進(jìn)口,因此高端光電芯片應(yīng)該成為中國光通信產(chǎn)業(yè)需要攻克的關(guān)鍵點(diǎn)。

高端電芯片如何突破,解缺芯之困

  問題出在哪

  中國光電芯片產(chǎn)業(yè)相對(duì)落后,既與內(nèi)部研發(fā)實(shí)力,也與外部環(huán)境有關(guān)。

  在內(nèi)部研發(fā)方面,光電芯片是一種高度集成的元器件,其所集成的元件包括激光器、調(diào)制器、耦合器、分束器、波分復(fù)用器、探測(cè)器等。目前業(yè)內(nèi)有兩大類芯片封裝解決方案,一類是III-V族,一類是硅光,其中前者技術(shù)相對(duì)較成熟,有成熟的單片集成解決方案,后者的激光器集成和封裝方案還在完善。


高端電芯片如何突破,解缺芯之困


  一般來說,光電芯片的研制過程可分解成為三個(gè)環(huán)節(jié),分別是外延材料設(shè)計(jì)、外延材料的生長以及后端工藝制備。外延材料設(shè)計(jì)是指借助模擬仿真軟件設(shè)計(jì)出滿足應(yīng)用需求的芯片外延結(jié)構(gòu)。外延材料的制備是指利用相關(guān)方式生長出滿足設(shè)計(jì)要求的外延材料,其質(zhì)量往往是影響光芯片性能的重要因素。后端工藝制備則是利用半導(dǎo)體相關(guān)工藝,將外延材料制作成具有一定表面結(jié)構(gòu)的光電芯片。

  而中國在光電芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、流片加工、封裝等方面,與國外相比,都有些欠缺。據(jù)中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018-2022年)》顯示,國內(nèi)企業(yè)目前只掌握了10Gb/s速率及以下的激光器、探測(cè)器、調(diào)制器芯片,以及PLC/AWG芯片的制造工藝以及配套IC的設(shè)計(jì)、封測(cè)能力,整體水平與國際標(biāo)桿企業(yè)還有較大差距,尤其是高端芯片能力比美日發(fā)達(dá)國家落后1-2代以上。而且,中國光電子芯片流片加工也嚴(yán)重依賴美國、新加坡、加拿大等國。

  在外部環(huán)境方面,在全球電子信息產(chǎn)業(yè)的格局中,中國依然是行業(yè)的新進(jìn)者,按照產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律,新進(jìn)者一定是先從整機(jī)和系統(tǒng)等相對(duì)容易的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)開始切入。賽迪智庫集成電路研究所超摩爾研究室主任朱邵歆博士告訴《通信產(chǎn)業(yè)報(bào)》(網(wǎng))記者,我國目前所處的產(chǎn)業(yè)階段決定了整機(jī)和系統(tǒng)企業(yè)會(huì)優(yōu)先采購全球龍頭供應(yīng)商的光芯片,從而對(duì)自主研發(fā)芯片的決心有所松懈。

  顯然,光電芯片的研發(fā)過程極為復(fù)雜,不僅需要一定的技術(shù)積累,還需要較大的投資,研發(fā)和生產(chǎn)周期也都較長,高端芯片更是如此。這意味著中小企業(yè)很難在高端光電芯片的研發(fā)上有所作為,而即便是大型企業(yè),在研發(fā)的過程中沒有獲得足夠多的用戶反饋,及時(shí)糾錯(cuò),在商用過程中多少也有些力不從心。

 如何突破

  要攻克高端芯片,首先得打破國內(nèi)通信設(shè)備廠商不愿意用、研發(fā)廠商不敢大投入的怪圈。這就需要加大信息基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的投入,統(tǒng)籌產(chǎn)業(yè)布局,改善企業(yè)生存環(huán)境,營造良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

  此外,中國通信學(xué)會(huì)光通信委員會(huì)榮譽(yù)主任、亞太光通信委員會(huì)主任毛謙認(rèn)為,芯片工藝非常復(fù)雜,工藝的成功與人很有關(guān)系,培養(yǎng)、吸引高技術(shù)人才也是重中之重。

高端電芯片如何突破,解缺芯之困

  朱邵歆則建議,國內(nèi)的通信設(shè)備企業(yè)要判定當(dāng)前的國際形勢(shì),加大自主產(chǎn)品的研發(fā)力度,利用系統(tǒng)優(yōu)勢(shì),加大試錯(cuò)比例。還要借光芯片開始在消費(fèi)電子中應(yīng)用的東風(fēng)(如人臉識(shí)別的VCSEL光芯片),發(fā)揮技術(shù)儲(chǔ)備優(yōu)勢(shì),加大產(chǎn)品和市場布局,以市場的手段提升光芯片產(chǎn)品的競爭力。

  可喜的是,國內(nèi)已經(jīng)有多家企業(yè)和科研院所率先布局光電芯片領(lǐng)域,并取得了一定的成果。比如,武漢郵電科學(xué)院等科研機(jī)構(gòu)在光器件領(lǐng)域深耕多年,具有深厚的技術(shù)儲(chǔ)備。華為海思早在2013年,通過收購比利時(shí)硅光子公司Caliopa,加入芯片戰(zhàn)場,后來又收購了英國光子集成公司CIP,目前該公司已經(jīng)掌握100G光模塊技術(shù),準(zhǔn)備進(jìn)一步攻克難關(guān),實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

  烽火科技旗下光迅科技近日推出了120GCXP模塊和100GQSFP28SR4模塊,這是在國內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)100G速率光模塊的芯片國產(chǎn)化。此外海信、華工科技等都在耕耘高端光電芯片市場。

  然而,上述企業(yè)的芯片產(chǎn)品要全部實(shí)現(xiàn)內(nèi)部采購,還需要很長時(shí)間。朱邵歆強(qiáng)調(diào),對(duì)于中國的光芯片發(fā)展來說,一些必要的“學(xué)分”還是要修滿的。

  以工匠之心靜待花開

  光電芯片產(chǎn)業(yè)一直是低端產(chǎn)品在發(fā)展,高端欠缺。有資料顯示,10Gb/s以及以下速率光芯片國產(chǎn)率能夠達(dá)到80%以上,可是25Gb/s以及以上速率光芯片卻處于產(chǎn)業(yè)的洼地。這與手機(jī)芯片產(chǎn)業(yè)是何等的相似,使人不免產(chǎn)生疑問,難道中國真的玩不轉(zhuǎn)這種高科技的玩意兒嗎?

  其實(shí)不是這樣的,中國在很多產(chǎn)業(yè)走在世界的前列,比如高鐵,比如航天工業(yè),這都說明了中國在芯片領(lǐng)域同樣擁有走在世界前列的可能,只是需要時(shí)間罷了。畢竟這是一個(gè)需要精密儀器在納米級(jí)進(jìn)行集成、封裝作業(yè)的產(chǎn)業(yè),需要的是技術(shù)長期的積累,更需要耐得住寂寞,以及資金消耗。

  如果有投入、愿意花費(fèi)精力布局這一產(chǎn)業(yè),中國光電芯片產(chǎn)業(yè)將會(huì)向高端發(fā)展,在這期間,只需耐心等待。



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