淺析Nand Flash編程應用難點

Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。

1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發(fā)展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了解NAND特性的工程師，才能在應用上得心應手，不會被Nand Flash所絆倒。

一、分區(qū)

定義分區(qū)的實質是定義數(shù)據(jù)會如何寫入NAND Flash，不同內容的數(shù)據(jù)寫到對應的地址中。一般用戶會有多個區(qū)，比如boot、kernel、fs、user等分區(qū)。

分區(qū)的描述：分區(qū)的地址范圍(起始塊、結束塊)，鏡像文件大小(Image Size)。

分區(qū)的數(shù)據(jù)存儲：鏡像文件是從分區(qū)的起始塊開始存放，如果分區(qū)中有壞塊，將使用壞塊處理策略替換壞塊，直到鏡像文件結束，如果分區(qū)中不夠好塊存放鏡像文件，則燒錄失敗。

如下圖是跳過壞塊的鏡像文件分區(qū)燒寫示意圖：

二、ECC(錯誤更正)算法

ECC 存在于NAND 每頁的備用區(qū)(Spare Area)中，它允許外部系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)主區(qū)的數(shù)據(jù)是否有誤。在大多數(shù)情況下，ECC 算法可以糾正誤碼，NandFlash在使用中也可能會出現(xiàn)壞塊，所以ECC是非常有必要的。

不同的用戶會可能會使用不同的ECC算法，一般來說ECC算法由處理器供應商提供，如果編程器軟件中無這個ECC算法，則需要用戶提供ECC算法源代碼。

如果用戶不使用調入文件，而是使用讀母片的方式燒錄，并且無動態(tài)數(shù)據(jù)，則可以不考慮ECC算法，因為母片中的備用區(qū)已計算好ECC，直接將母片的備用區(qū)拷貝至其他芯片即可。

三、壞塊管理

壞塊處理策略定義了在遇到壞塊時算法應該如何處理，基本的壞塊處理策略有：跳過壞塊、替換表(預留塊區(qū)Reserve BlockArea，RBA)等等，下面分別對幾種壞塊處理方案進行說明。

1) 硬拷貝

硬拷貝其實就是遇到壞塊什么都不處理，不管好塊還是壞塊直接燒寫按順序燒寫數(shù)據(jù)，即使校驗數(shù)據(jù)不一致也不報錯，這是最簡單、直接的處理方法，但是只能適用于數(shù)據(jù)不需管理的方案;

2) 跳過壞塊

跳過壞塊就是燒錄數(shù)據(jù)時，遇到壞塊即跳過此壞塊，將數(shù)據(jù)順延燒到下一個好塊，這樣可以保證所有的數(shù)據(jù)都能燒寫到NAND存儲空間中，但是并不知道數(shù)據(jù)究竟燒到了哪一位;

3) 替換表

此方法是將NAND存儲空間中預留出一些塊作為保留塊，當遇到壞塊時，在預留的保留塊中選一個塊來替換壞塊，將原來寫到壞塊的數(shù)據(jù)寫到替換塊中;

4) BBT(Bad block table)

此方法核心是跳過壞塊，但是跳過后需要在NAND閃存指定位置寫入一個壞塊表(Bad block table)，下圖是BBT的結構圖。

NAND應用需要注意的點大致整理如上，實際使用中會有靈活的應用方案，需要熟知NAND特性、編程器原理的工程師才能設計出合適的方案加以運用。P800Flash極速編程器融合了ZLG致遠電子三代Flash編程器的特點，全面支持eMMC、NOR、NAND Flash的燒錄，可提供完善的編程解決方案。