新聞中心

EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 小器件、大作用,透過這五大關(guān)鍵點(diǎn)解讀什么是MOS管

小器件、大作用,透過這五大關(guān)鍵點(diǎn)解讀什么是MOS管

作者: 時(shí)間:2018-08-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

增強(qiáng)型:VGS=0時(shí),漏源之間沒有導(dǎo)電溝道,在VDS作用下無iD;耗盡型:VGS=0時(shí),漏源之間有導(dǎo)電溝道,在VDS作用下iD。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201808/384979.htm

1、結(jié)構(gòu)和符號(hào)(以N溝道增強(qiáng)型為例)

在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個(gè)濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極,半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個(gè)電極作為柵極。

其他MOS管符號(hào)

2、工作原理(以N溝道增強(qiáng)型為例)

(1) VGS=0時(shí),不管VDS極性如何,其中總有一個(gè)PN結(jié)反偏,所以不存在導(dǎo)電溝道。

VGS =0, ID =0

VGS必須大于0

管子才能工作。

(2) VGS>0時(shí),在Sio2介質(zhì)中產(chǎn)生一個(gè)垂直于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng),排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當(dāng)VGS達(dá)到一定值時(shí)P區(qū)表面將形成反型層把兩側(cè)的N區(qū)溝通,形成導(dǎo)電溝道。

VGS >0→g吸引電子→反型層→導(dǎo)電溝道

VGS↑→反型層變厚→ VDS ↑→ID↑

(3) VGS≥VT時(shí)而VDS較小時(shí):

VDS↑→ID ↑

VT:開啟電壓,在VDS作

用下開始導(dǎo)電時(shí)的VGS°

VT = VGS —VDS

(4) VGS>0且VDS增大到一定值后,靠近漏極的溝道被夾斷,形成夾斷區(qū)。

VDS↑→ID 不變

3、特性曲線(以N溝道增強(qiáng)型為例)

場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線動(dòng)畫

4、其它類型MOS管

(1)N溝道耗盡型:制造時(shí)在柵極絕緣層中摻有大量的正離子,所以即使在VGS=0時(shí),由于正離子的作用,兩個(gè)N區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道(類似結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)。

(2)P溝道增強(qiáng)型:VGS = 0時(shí),ID = 0開啟電壓小于零,所以只有當(dāng)VGS 0時(shí)管子才能工作。

(3)P溝道耗盡型:制造時(shí)在柵極絕緣層中摻有大量的負(fù)離子,所以即使在VGS=0 時(shí),由于負(fù)離子的作用,兩個(gè)P區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道(類似結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)。

5、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

(1) 開啟電壓VT :在VDS為一固定數(shù)值時(shí),能產(chǎn)生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增強(qiáng))

(2) 夾斷電壓VP :在VDS為一固定數(shù)值時(shí),使 ID對(duì)應(yīng)一微小電流時(shí)的 |VGS | 值。(耗盡)

(3) 飽和漏極電流IDSS :在VGS = 0時(shí),管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。(耗盡)

(4) 極間電容 :漏源電容CDS約為 0.1~1pF,柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1~3pF。

(5) 低頻跨導(dǎo) gm :表示VGS對(duì)iD的作用。

在轉(zhuǎn)移特性曲線上,gm 是曲線在某點(diǎn)上的斜率,也可由iD的表達(dá)式求導(dǎo)得出,單位為 S 或 mS。

(6) 最大漏極電流 IDM

(7) 最大漏極耗散功率 PDM

(8) 漏源擊穿電壓 V(BR)DS 柵源擊穿電壓 V(BR)GS



關(guān)鍵詞: 控制

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉