基于PN8305的六級能效充電器套片方案

芯朋微熱門產(chǎn)品PN8305M/H同步整流轉(zhuǎn)換器，與該公司PSR產(chǎn)品PN8386配合使用，輕松實現(xiàn)5V3A六級能效電源方案。

1.封裝及腳位配置圖

PN8386封裝及腳位配置圖

PN8386集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8386為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。

PN8305封裝及腳位配置圖

PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。PN8305內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。

2.PCB及DEMO實物圖

3.方案典型應(yīng)用圖

4.方案特性

·PCBA尺寸：42.5mm*41.3mm*20mm

·輸入電壓：90~265Vac全電壓

·輸出電壓：5V

·輸出電流：3A

·平均效率：≥81.4%(滿足六級能效要求)

·高壓啟動待機功耗75mW

·啟動時間：200ms(90Vac)

·擁有輸出短路保護，輸出過流保護，輸出欠壓保護(PCB端3.1V以下)，VDD過壓保護，F(xiàn)B分壓電阻開路短路保護，以及電流檢測電阻Rcs開短路保護，過溫保護。

5.測試數(shù)據(jù)

備注：在CC工作狀態(tài)下且系統(tǒng)PCB電壓低于3.1V時，PN8386會進入保護狀態(tài)。

6.EMC測試

·EMI傳導(dǎo)、輻射滿足EN55022 Class B標準要求，裕量均大于6.0dB

·ESD滿足IEC61000-4-2，8kV/15kV等級要求

·EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級要求

·Surge滿足IEC 61000-4-5:2005，1kV等級要求

·交流絕緣滿足3.75kV,60s, 漏電流小于5mA要求

7.應(yīng)用要點

PN8386工作在DCM模式，忽略傳輸瞬態(tài)Tr和Tf，導(dǎo)通時間、去磁時間和振蕩時間分別為：

PN8386在T2時間內(nèi)間接采樣輸出電壓信號，為減小漏感振蕩對采樣的影響，最小T2時間應(yīng)足夠長(5V3A應(yīng)用建議大于3.2us)：

備注：電源在小負載工況下，PN8386的Vcs=0.17V以避免音頻噪音。

PN8305須在T2時間內(nèi)完成Trench MOSFET的開通和關(guān)斷，其最小導(dǎo)通時間由RT電阻設(shè)定：

因此，RT電阻建議取值為：